BD9C301FJ是在1個芯片中內置低導通電阻的功率MOSFET的同步整流降壓DC/DC轉換器。輸入電壓范圍廣,最大可輸出3A的電流。可由較少的外接部件構成,從而降低成本。是電流模式控制DC/DC轉換器,具有高速瞬態(tài)響應性能,可輕松設定相位補償。
主要規(guī)格
型號 | BD9C301FJ-E2
封裝 | SOP-J8
包裝形態(tài) | Taping
包裝數(shù)量 | 2500
最小獨立包裝數(shù)量 | 2500
RoHS | Yes
尺寸圖
特點:
- 同步單相直流 / 直流轉換器
- 過流保護
- 熱關斷保護
- 欠壓鎖定保護
- 短路保護
- 固定軟啟動功能(1 毫秒)
典型應用電路
方框圖
PCB 設計與散熱要點
1. 布局核心原則
- 電流環(huán)路最小化 :重點優(yōu)化兩個大脈沖電流環(huán)路 ——①高端 MOSFET 導通:CIN→VIN→SW→L→COUT→PGND→CIN;②低端 MOSFET 導通:低端 MOSFET→L→COUT→PGND→低端 MOSFET。環(huán)路需短而粗(推薦線寬≥1mm),減少寄生電感與輻射噪聲,提升效率。
- 接地分離與連接 :AGND(信號地)與 PGND(功率地)分開布線,F(xiàn)B、COMP 等敏感引腳接 AGND,輸入 / 輸出電容接 PGND,最終在靠近輸出電容處單點連接 AGND 與 PGND,避免大電流干擾控制電路。
- 關鍵節(jié)點隔離 :SW 節(jié)點(高頻開關,電壓波動大)需遠離 FB、COMP 引腳(距離≥2mm);輸入電容與輸出電容分開布局,避免輸入諧波噪聲影響輸出紋波。
2. 散熱設計
- 功率 dissipation 限制 :1 層板(70mm×70mm×1.6mm)下最大功耗 0.68W(Ta=25℃),環(huán)境溫度每升高 1℃需降額 5.45mW,例如 Ta=85℃時,最大功耗 = 0.68W - (85-25)×5.45mW≈0.35W。
- 散熱優(yōu)化 :在 IC 下方及周圍布置大面積 PGND 銅箔(推薦≥100mm2),通過增加銅箔面積降低熱阻;若 PCB 為多層板,可通過過孔將 PGND 與內層地平面連接,提升散熱能力。
總結
BD9C301FJ 作為一款寬輸入電壓同步降壓 DC/DC 轉換器,以 4.5V-18V 中壓輸入、3A 輸出能力、電流模式控制及簡單的相位補償配置為核心優(yōu)勢,適配消費電子與網絡設備的降壓需求。其鎖存型保護機制(SCP/OCP/TSD)提升系統(tǒng)安全性,固定軟啟動功能簡化設計,但需注意保護觸發(fā)后需通過 UVLO 或 EN 解鎖。在實際應用中,需重點關注電流環(huán)路最小化、接地隔離與散熱降額,結合輸出電壓需求合理配置反饋電阻與相位補償元件,確保器件在中壓輸入場景下穩(wěn)定高效運行,尤其適配對成本與易用性要求較高的非高危設備。
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