LED技術(shù)作為第四代照明光源，憑借其高效節(jié)能、環(huán)保長(zhǎng)壽命的特點(diǎn)，在全球照明領(lǐng)域占據(jù)了重要地位。理論上，LED光源在25℃環(huán)境溫度下的使用壽命可達(dá)5萬(wàn)小時(shí)以上，這一數(shù)據(jù)成為產(chǎn)品宣傳的重要亮點(diǎn)。然而，在實(shí)際應(yīng)用環(huán)境中，LED器件常常面臨高溫、高濕、電壓波動(dòng)等復(fù)雜工況，這些因素會(huì)放大材料缺陷，加速器件老化，導(dǎo)致實(shí)際使用壽命遠(yuǎn)低于理論值。
本文通過(guò)系統(tǒng)分析LED器件的常見(jiàn)失效模式，結(jié)合具體案例，深入探討失效機(jī)理，并提出相應(yīng)的改進(jìn)方案，為企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性提供技術(shù)參考。

芯片結(jié)構(gòu)失效

失效機(jī)理探討

芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不合理，將會(huì)出現(xiàn)電流密度分布不均，光轉(zhuǎn)化效率低，整體發(fā)熱量大，局部電流擁擠等現(xiàn)象。

芯片正常使用時(shí)，電流擁擠區(qū)域發(fā)熱嚴(yán)重，溫度較高，芯片老化迅速，壽命大大降低；當(dāng)存在EOS沖擊時(shí)，電流擁擠區(qū)域的電流密度將會(huì)急劇增大，最先出現(xiàn)擊穿失效現(xiàn)象。

芯片電極腐蝕

失效特征分析

LED芯片表面污染會(huì)引入電極間漏電流，這種失效模式具有獨(dú)特的環(huán)境依賴(lài)性：高溫烘烤后漏電流減小，潮濕環(huán)境試驗(yàn)中漏電流恢復(fù)。這種可逆特性為失效定位提供了重要線(xiàn)索。

通過(guò)微觀形貌觀察和元素分析技術(shù)，可在腐蝕區(qū)域檢測(cè)到氯、鈉等異常元素，這些污染物在濕熱環(huán)境下與電極金屬發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致腐蝕產(chǎn)物積累。

典型案例分析

客戶(hù)送測(cè)LED燈珠，燈珠過(guò)回流焊后點(diǎn)亮，部分燈珠出現(xiàn)暗亮的失效，要求金鑒對(duì)樣品進(jìn)行失效分析。

發(fā)現(xiàn)失效燈珠的芯片電極為鋁電極，鋁電極有明顯開(kāi)裂現(xiàn)象，這會(huì)導(dǎo)致芯片的Vf增大，且焊球與電極的結(jié)合力降低。 EDS能譜檢測(cè)鋁電極元素成分包含異常氯（Cl）和鈉（Na）元素。因鋁金屬比較活潑，遇到氯離子很容易被腐蝕。

在未使用的藍(lán)膜LED芯片表面測(cè)試到大量的氯和鈉元素，Na和Cl的物質(zhì)可能是芯片生產(chǎn)過(guò)程中的藥水殘留或操作人員的手汗污染。并且金鑒觀察到芯片表面上有未清除的光刻膠，光刻膠主要為酰胺樹(shù)脂成分，推斷為光刻膠固化溫度過(guò)高或者時(shí)間過(guò)長(zhǎng)導(dǎo)致光刻膠在正常情況下無(wú)法清洗完全。

封裝結(jié)構(gòu)應(yīng)力失效

材料特性匹配問(wèn)題

LED芯片采用的分有InGaN， AlInGaP和ZnSe等半導(dǎo)體材料，具有較高的脆性，且厚度通常較薄。當(dāng)封裝結(jié)構(gòu)中存在熱膨脹系數(shù)失配時(shí)，溫度變化會(huì)在器件內(nèi)部產(chǎn)生殘余應(yīng)力，長(zhǎng)期應(yīng)力作用可能導(dǎo)致芯片裂紋擴(kuò)展、性能退化。

案例分析

LED失效分析案例中，CSP燈珠出現(xiàn)膠裂異常，金鑒顯微熱分布測(cè)試分析顯示，芯片負(fù)極焊盤(pán)區(qū)域溫度比正極焊盤(pán)區(qū)域溫度高約15℃。因此，推斷該芯片電流密度均勻性較差，導(dǎo)致正負(fù)極焊盤(pán)位置光熱分布差異較大，局部熱膨脹差異過(guò)大從而引起芯片上方封裝膠開(kāi)裂異常。

電性連接失效

焊線(xiàn)斷裂位置分析

LED器件內(nèi)部焊線(xiàn)斷裂是常見(jiàn)的開(kāi)路失效原因。根據(jù)界面特性分析，焊線(xiàn)系統(tǒng)存在五個(gè)潛在的薄弱環(huán)節(jié)：球頸結(jié)合處、線(xiàn)弧彎曲處、第二焊點(diǎn)界面等位置最容易出現(xiàn)疲勞斷裂。

環(huán)境試驗(yàn)失效解析

某5730封裝LED在溫度循環(huán)試驗(yàn)后出現(xiàn)電性失效。微觀分析顯示，失效器件在焊點(diǎn)周?chē)霈F(xiàn)硅膠開(kāi)裂現(xiàn)象，第二焊點(diǎn)界面發(fā)生斷裂。

深入分析表明，硅膠與金線(xiàn)材料的熱膨脹系數(shù)差異達(dá)到一個(gè)數(shù)量級(jí)以上，溫度循環(huán)過(guò)程中界面應(yīng)力反復(fù)變化，最終導(dǎo)致結(jié)合強(qiáng)度最低的焊點(diǎn)界面失效。此類(lèi)問(wèn)題需要通過(guò)材料優(yōu)化和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)來(lái)改善熱應(yīng)力分布。

界面粘接失效

特殊問(wèn)題

采用垂直結(jié)構(gòu)芯片的LED器件，固晶層與基板界面分層是特有的失效模式。某直插式LED在使用過(guò)程中出現(xiàn)1.5%的失效率，故障分析顯示固晶層與支架鍍層完全分離，同時(shí)封裝膠體與支架杯壁也出現(xiàn)界面分層。

失效機(jī)理分析

界面分層通常源于材料兼容性問(wèn)題和工藝參數(shù)設(shè)置不當(dāng)。在溫度變化過(guò)程中，不同材料的熱膨脹差異導(dǎo)致界面應(yīng)力積累，結(jié)合強(qiáng)度不足時(shí)就會(huì)出現(xiàn)分層現(xiàn)象。改善方向包括界面處理工藝優(yōu)化、粘接材料篩選和固化工藝調(diào)整。

電應(yīng)力失效

異常電流損傷機(jī)制

外部電應(yīng)力沖擊是LED器件常見(jiàn)的使用期失效原因。某仿流明LED在服役期間出現(xiàn)突發(fā)性失效，分析發(fā)現(xiàn)芯片P型電極區(qū)域出現(xiàn)燒毀現(xiàn)象，而N型電極保持完好。

實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證與機(jī)理分析

通過(guò)模擬過(guò)電流沖擊試驗(yàn)重現(xiàn)了失效現(xiàn)象，證實(shí)P型區(qū)域因電阻較高而優(yōu)先燒毀。進(jìn)一步分析指出，驅(qū)動(dòng)電源的突波電流或串聯(lián)線(xiàn)路中的電壓累積都可能導(dǎo)致局部電流密度超標(biāo)。

此類(lèi)失效的預(yù)防需要系統(tǒng)級(jí)考慮，包括驅(qū)動(dòng)電路的過(guò)流保護(hù)設(shè)計(jì)、線(xiàn)路布局優(yōu)化以及芯片電極結(jié)構(gòu)的均勻性改進(jìn)。

結(jié)語(yǔ)

LED器件失效是一個(gè)多因素、多環(huán)節(jié)的復(fù)雜問(wèn)題，涉及芯片制造、封裝工藝、材料體系和應(yīng)用環(huán)境等多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域。通過(guò)系統(tǒng)的失效分析，可以準(zhǔn)確識(shí)別故障根源，為產(chǎn)品質(zhì)量改進(jìn)提供明確方向。

可靠性提升需要從設(shè)計(jì)預(yù)防、工藝控制和使用規(guī)范三個(gè)層面建立完整體系：設(shè)計(jì)階段充分考慮材料特性匹配和應(yīng)力分布；制造過(guò)程嚴(yán)格管控工藝參數(shù)和環(huán)境條件；應(yīng)用階段提供明確的使用指導(dǎo)和保護(hù)措施。