電接觸是電子與汽車系統(tǒng)中不可或缺的組件。隨著汽車行業(yè)向電動(dòng)化轉(zhuǎn)型，傳感器與數(shù)據(jù)采集所需的電連接器數(shù)量大幅增加。接觸故障可能導(dǎo)致設(shè)備損壞甚至危及生命安全，而高接觸電阻是引發(fā)故障的主要因素之一。為精確量化接觸電阻特性，本研究結(jié)合數(shù)值模擬與解析方法，并依托Xfilm埃利TLM接觸電阻測(cè)試儀的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證能力，對(duì)多觸點(diǎn)系統(tǒng)的電阻分布規(guī)律展開(kāi)分析。

解析模型與數(shù)值模型構(gòu)建

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本文研究?jī)蓚€(gè)金屬導(dǎo)體（圓盤(pán)形式）之間的電接觸電阻計(jì)算問(wèn)題，結(jié)合基于 COMSOL Multiphysics的有限元法（FEM）數(shù)值模型與解析模型（Holm方程和Greenwood 方程）。模型由兩個(gè)銅盤(pán)通過(guò)多個(gè)規(guī)則圓形接觸點(diǎn)（a-spots）連接構(gòu)成，接觸點(diǎn)的電阻率（ρcs）高于銅盤(pán)（ρCu），以模擬接觸老化現(xiàn)象。

• Holm模型

Holm接觸電阻模型

假設(shè)兩個(gè)無(wú)限大圓柱體通過(guò)單一圓形接觸點(diǎn)連接，忽略界面氧化膜的影響，接觸電阻公式為：其中，ρ?和ρ?為導(dǎo)體電阻率，a為接觸點(diǎn)半徑。

• Greenwood模型

Greenwood接觸電阻模型：多接觸點(diǎn)示意圖

考慮多接觸點(diǎn)間的相互作用，假設(shè)兩導(dǎo)體材料相同（ρ?=ρ?=ρ），公式為：

其中，sij為接觸點(diǎn)間距，ai和aj為接觸點(diǎn)半徑。

• 數(shù)值模型

(a) 銅盤(pán)接觸結(jié)構(gòu) (b) 流經(jīng)多接觸點(diǎn)的電流線收縮效應(yīng)

幾何與材料參數(shù)：

• 銅盤(pán)：半徑5mm，厚度1mm,ρCu=1.72×10?8Ω?m
• 接觸點(diǎn)：28個(gè)圓形a-spots，半徑0.1mm 至0.5mm
• 絕緣層：聚乙烯（PE），厚度30μm

計(jì)算域離散化示意圖

有限元分析：使用COMSOL Multiphysics求解穩(wěn)態(tài)電動(dòng)力學(xué)問(wèn)題，邊界條件包括電流連續(xù)性和絕緣邊界。網(wǎng)格劃分包含2,938,081個(gè)單元。

電流收縮與電壓分布

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接觸點(diǎn)半徑0.1 mm時(shí)的電壓分布計(jì)算結(jié)果

二維/三維視圖顯示電流在接觸點(diǎn)處發(fā)生收縮效應(yīng)，僅通過(guò)28個(gè)圓形接觸點(diǎn)導(dǎo)電，周圍絕緣層限制電流泄漏。接觸點(diǎn)中心電壓最高，邊緣逐漸降低，驗(yàn)證接觸點(diǎn)作為電流收縮與電阻集中核心區(qū)域的物理機(jī)制。

接觸點(diǎn)半徑對(duì)接觸電阻的影響

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(a)不同接觸點(diǎn)半徑下的電壓降特性；(b)接觸電阻對(duì)比分析

分析顯示電壓降隨半徑增大呈指數(shù)衰減（0.1mm到0.5mm時(shí)降幅96%），理想工況（接觸點(diǎn)電阻率與銅一致ρCu=ρCs=1.72×10-8Ω·m）的電阻對(duì)比，發(fā)現(xiàn)：

• 數(shù)值模擬電阻最低：多觸點(diǎn)并行導(dǎo)電優(yōu)化電流分布，而Holm/Greenwood模型因單點(diǎn)等效假設(shè)或忽略三維效應(yīng)導(dǎo)致結(jié)果偏高。
• 核心規(guī)律驗(yàn)證：接觸面積越大，電阻越小；多觸點(diǎn)設(shè)計(jì)（如 28 個(gè)小點(diǎn)）比單點(diǎn)更優(yōu)。

接觸點(diǎn)電阻率對(duì)接觸電阻的影響

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接觸電阻對(duì)比分析（銅基體與接觸點(diǎn)異質(zhì)電阻率工況）接觸電阻分析（極端電阻率工況）

模擬接觸點(diǎn)因氧化/污染導(dǎo)致電阻率升高的老化工況（如ρcs較銅高1010倍）：

• 電阻隨ρcs升高呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)（對(duì)數(shù)坐標(biāo)下呈線性關(guān)系）。以 ρcs=1.72×102Ω?m 為例，0.1mm半徑接觸點(diǎn)電阻達(dá) 5.25×104Ω，較理想工況增大超108倍。
• 增大接觸點(diǎn)半徑仍可顯著降低電阻（如 0.1mm→0.5mm，電阻降低233倍），證明保持接觸點(diǎn)清潔（降低ρcs）和增大接觸面積是抗老化的關(guān)鍵。

混合電阻率工況模擬

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混合電阻率接觸點(diǎn)的電阻分布

當(dāng)28個(gè)接觸點(diǎn)中部分電阻率不同（覆蓋 1.72×10?8Ω?m 至 1.72×102Ω?m）時(shí)：

• 整體電阻分布于2.58×10?6Ω（最優(yōu)）至 0.6Ω（最差）。
• 局部高阻主導(dǎo)現(xiàn)象：少數(shù)高阻接觸點(diǎn)顯著影響整體性能，與實(shí)際連接器中“單點(diǎn)失效導(dǎo)致系統(tǒng)故障”一致，強(qiáng)調(diào)接觸界面均勻性與污染物控制的重要性。

數(shù)值模擬優(yōu)勢(shì)：所有工況下，COMSOL結(jié)果比Holm和Greenwood模型低至少一個(gè)量級(jí)，因其考慮實(shí)際接觸界面離散分布、絕緣層限制及三維電流收縮效應(yīng)。Greenwood模型vs. Holm模型：Greenwood模型因額外考慮接觸點(diǎn)間互阻，其電阻值高于Holm模型；但當(dāng)接觸點(diǎn)密集時(shí)，兩者差異縮小。

Xfilm埃利TLM電阻測(cè)試儀

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Xfilm埃利TLM接觸電阻測(cè)試儀用于測(cè)量材料表面接觸電阻或電阻率的專用設(shè)備，廣泛應(yīng)用于電子元器件、導(dǎo)電材料、半導(dǎo)體、金屬鍍層、光伏電池等領(lǐng)域?！?strong>靜態(tài)測(cè)試重復(fù)性≤1%，動(dòng)態(tài)測(cè)試重復(fù)性≤3%■ 線電阻測(cè)量精度可達(dá)5%或0.1Ω/cm■ 接觸電阻率測(cè)試與線電阻測(cè)試隨意切換■ 定制多種探測(cè)頭進(jìn)行測(cè)量和分析通過(guò)Xfilm埃利TLM接觸電阻測(cè)試儀對(duì)接觸點(diǎn)電阻率進(jìn)行標(biāo)定并結(jié)合解析方法和數(shù)值模擬研究了低電流多觸點(diǎn)接觸電阻計(jì)算問(wèn)題。未來(lái)工作將集中在電熱耦合模型的研究上，以更好地理解熱效應(yīng)對(duì)接觸電阻的影響。

原文出處：《Computation of the Electrical Resistance of a Low Current Multi-Spot Contact》

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