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三菱電機(jī)創(chuàng)新產(chǎn)品搶占市場(chǎng)新高地

xPRC_icunion ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-07-10 15:39 ? 次閱讀
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隨著功率半導(dǎo)體的不斷發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步,功率器件下游產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)步擴(kuò)張,未來在政策資金支持以及國內(nèi)新能源汽車的蓬勃發(fā)展下,國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來黃金發(fā)展期。

6月26日,PCIM亞洲2018展會(huì)在上海世博展覽館隆重舉行。作為全球500強(qiáng)企業(yè),同時(shí)也是現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件的開拓者,大中國區(qū)三菱電機(jī)半導(dǎo)體攜多款功率器件產(chǎn)品及相關(guān)解決方案亮相,同時(shí)發(fā)布了更高集成度、更小體積、更能降低生產(chǎn)成本,并擁有全面保護(hù)功能的表面貼裝型IPM,以及助力新能源發(fā)電應(yīng)用新封裝大功率IGBT模塊兩款最新產(chǎn)品。

(圖一:2018三菱電機(jī)半導(dǎo)體媒體發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng))

三菱電機(jī)半導(dǎo)體首席技術(shù)官Dr. Gourab Majumdar、大中國區(qū)三菱電機(jī)半導(dǎo)體總經(jīng)理楠真一、三菱電機(jī)捷敏功率半導(dǎo)體(合肥)有限公司技術(shù)服務(wù)中心總監(jiān)商明、大中國區(qū)三菱電機(jī)半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)宋高升、大中國區(qū)三菱電機(jī)半導(dǎo)體市場(chǎng)總監(jiān)錢宇峰、大中國區(qū)三菱電機(jī)半導(dǎo)體公關(guān)宣傳主管閔麗豪悉數(shù)出席此次新品發(fā)布會(huì)。

(圖二(從右到左):大中國區(qū)三菱電機(jī)半導(dǎo)體總經(jīng)理楠真一、三菱電機(jī)半導(dǎo)體首席技術(shù)官Dr. Gourab Majumdar、大中國區(qū)三菱電機(jī)半導(dǎo)體市場(chǎng)總監(jiān)錢宇峰參加發(fā)布會(huì)媒體問答環(huán)節(jié))

為了進(jìn)一步鞏固三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體在變頻家電市場(chǎng)的領(lǐng)先地位,三菱電機(jī)將依托位于合肥的功率半導(dǎo)體工廠和聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,為中國客戶提供更好、更快的支持;而在鐵道牽引、電動(dòng)汽車和工業(yè)新能源應(yīng)用領(lǐng)域,三菱電機(jī)將持續(xù)性地聯(lián)合國內(nèi)知名大學(xué)和專業(yè)設(shè)計(jì)公司,開發(fā)本地化的基于新型功率半導(dǎo)體的整體解決方案。

五大領(lǐng)域齊發(fā)力

在三菱電機(jī)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題的展館,三菱電機(jī)功率器件在變頻家電、工業(yè)、新能源、軌道牽引、電動(dòng)汽車五大應(yīng)用領(lǐng)域不斷創(chuàng)新,新品迭出。

(圖三:三菱電機(jī)赴PCIM亞洲2018展會(huì)參展展臺(tái))

在變頻家電領(lǐng)域,面向變頻冰箱和風(fēng)機(jī)驅(qū)動(dòng)的SLIMDIP-S以及面向變頻空調(diào)和洗衣機(jī)的SLIMDIP-L智能功率模塊、表面貼裝型IPM有助于推動(dòng)變頻家電實(shí)現(xiàn)小型化。

在工業(yè)應(yīng)用方面,三菱電機(jī)第七代IGBT和第七代IPM模塊,首次采用SLC封裝技術(shù),使得模塊的應(yīng)用壽命大幅延長(zhǎng)。在新能源發(fā)電特別是風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域,今年推出基于LV100封裝的新型IGBT模塊,有利于提升風(fēng)電變流器的功率密度和性能價(jià)格比。

在軌道牽引應(yīng)用領(lǐng)域,X系列HVIGBT安全工作區(qū)域度大、電流密度增加、抗?jié)穸若敯粜栽鰪?qiáng),有助于進(jìn)一步提高牽引變流器現(xiàn)場(chǎng)運(yùn)行的可靠性。而在電動(dòng)汽車領(lǐng)域,J1系列Pin-fin模塊具有封裝小、內(nèi)部雜散電感低的特性。

2018年,三菱電機(jī)將在以上五大領(lǐng)域,強(qiáng)化新產(chǎn)品的推廣和應(yīng)用力度。在變頻家電領(lǐng)域,三菱電機(jī)將在分體式變頻空調(diào)和變頻洗衣機(jī)中擴(kuò)大和強(qiáng)化SLIMDIP-L的應(yīng)用,在空調(diào)風(fēng)扇和變頻冰箱中逐步擴(kuò)大SLIMDIP-S的應(yīng)用,在更小功率的變頻家電應(yīng)用中逐步推廣使用表面封裝型IPM。在中低壓變頻器、光伏逆變器、電動(dòng)大巴、儲(chǔ)能逆變器、SVG、風(fēng)力發(fā)電等應(yīng)用中,三菱電機(jī)將強(qiáng)化第7代IGBT模塊的市場(chǎng)拓展;而在電動(dòng)乘用轎車領(lǐng)域,三菱電機(jī)將為客戶提供電動(dòng)汽車專用模塊和整體解決方案;在軌道牽引領(lǐng)域,將最新的X系列HVIGBT的推廣到高鐵、動(dòng)車、地鐵等應(yīng)用領(lǐng)域。

(圖四:大中國區(qū)三菱電機(jī)半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)宋高升為PCIM展會(huì)專業(yè)觀眾講解三菱電機(jī)最新技術(shù))

創(chuàng)新技術(shù)引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展

六十年以來,三菱電機(jī)之所以能夠一直保持行業(yè)領(lǐng)先地位在于持續(xù)性和創(chuàng)新性的研究與開發(fā)。

作為功率元器件的核心,IGBT芯片的重要性不言而喻。在功率半導(dǎo)體最新技術(shù)發(fā)展方面,三菱電機(jī)IGBT芯片技術(shù)一直在進(jìn)步,第三代IGBT是平板型的構(gòu)造,第四代IGBT是溝槽性的構(gòu)造,第五代成為CSTBTTM,第六代是超薄化CSTBTTM,第七代IGBT構(gòu)造更加微細(xì)化和超薄化的CSTBTTM。

從IGBT芯片的性能指數(shù)(FOM)上來看,第六代已比第一代提高了16倍,第七代比第一代提高了26倍。從封裝技術(shù)來看,在小容量消費(fèi)類DIPIPMTM產(chǎn)品中,三菱電機(jī)采用了壓注模的封裝方法。在中容量工業(yè)產(chǎn)品、電動(dòng)汽車專用產(chǎn)品中,采用了盒式封裝。而在大容量、特別是用在高鐵上的產(chǎn)品中,采用了高性能的碳化硅鋁底板,然后再用盒式封裝完成。

在量產(chǎn)供應(yīng)的同時(shí),三菱電機(jī)也在為下一個(gè)需求爆發(fā)點(diǎn)蓄勢(shì)發(fā)力,大概在2022年左右,三菱電機(jī)將會(huì)考慮12英寸功率元器件產(chǎn)線的投資。在Dr.Gourab Majumdar看來,2020-2022年,IGBT芯片市場(chǎng)將會(huì)有大幅的增長(zhǎng)。

SiC作為下一代功率半導(dǎo)體的核心技術(shù)方向,與傳統(tǒng)Si-IGBT模塊相比,SiC功率模塊最主要優(yōu)勢(shì)是開關(guān)損耗大幅減小。對(duì)于特定逆變器應(yīng)用,這種優(yōu)勢(shì)可以減小逆變器尺寸,提高逆變器效率及增加開關(guān)頻率。目前,基于SiC功率器件逆變?cè)O(shè)備的應(yīng)用領(lǐng)域正在不斷擴(kuò)大。但受制于成本因素,目前SiC功率器件市場(chǎng)滲透率很低,隨著技術(shù)進(jìn)步,碳化硅成本將快速下降,未來將是功率半導(dǎo)體市場(chǎng)主流產(chǎn)品。

(圖五:三菱電機(jī)半導(dǎo)體首席技術(shù)官Dr. Gourab Majumdar)

“碳化硅功率模塊由于有耐高溫、低功耗和高可靠性的特點(diǎn),可以拓展更多應(yīng)用領(lǐng)域。對(duì)于以后開拓新市場(chǎng)來說,碳化硅是最好的選擇?!盌r.Gourab Majumdar說。

三菱電機(jī)從2013年開始推出第一代碳化硅功率模塊,事實(shí)上,早在1994年,三菱電機(jī)就開始了針對(duì)SiC技術(shù)的開發(fā);2015年開始,SiC功率器件開始進(jìn)入眾多全新應(yīng)用領(lǐng)域,同年,三菱電機(jī)開發(fā)了第一款全SiC功率模塊,配備在機(jī)車牽引系統(tǒng)在日本新干線安裝使用。三菱電機(jī)SiC功率模塊產(chǎn)品線已涵蓋額定電流15A~1200A及額定電壓600V~3300V,目前均可提供樣品。

由于碳化硅需求量急速增長(zhǎng),2017年,三菱電機(jī)投資建造6英寸晶圓生產(chǎn)線,配合新技術(shù)來縮少芯片尺寸,目前該產(chǎn)線正按計(jì)劃推進(jìn)中,預(yù)計(jì)2019年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

電力電子行業(yè)對(duì)功率器件的要求更多地體現(xiàn)在提升效率與減小尺寸功率密度方面,因此新型SiC MOSFET功率模塊將獲得越來越多的應(yīng)用。為了滿足功率器件市場(chǎng)對(duì)噪聲低、效率高、尺寸小和重量輕的要求,三菱電機(jī)一直致力于研究和開發(fā)高技術(shù)產(chǎn)品。正在加緊研發(fā)新一代溝槽柵SiC MOSFET芯片技術(shù), 該技術(shù)將進(jìn)一步改善短路耐量和導(dǎo)通電阻的關(guān)系,并計(jì)劃在2020年實(shí)現(xiàn)新型SiC MOSFET模塊的商業(yè)化。

表面貼裝型IPM和第7代IGBT模塊(LV100封裝)

繼去年展出了用于變頻家電的小封裝的SLIMDIP-S/SLIMDIP-L后,三菱電機(jī)今年展出了更小封裝的表面貼裝型IPM。值得一提的是,IPM絕對(duì)不是簡(jiǎn)單的把驅(qū)動(dòng)和IGBT放到一個(gè)盒子里這么簡(jiǎn)單,怎么能讓它發(fā)揮里面內(nèi)置的功率元器件最好的性能,讓用戶體驗(yàn)更好,才是關(guān)鍵。

據(jù)悉,該新品適用于家用變頻空調(diào)風(fēng)扇、變頻冰箱、變頻洗碗機(jī)等電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。并計(jì)劃于9月1日開始發(fā)售。這款產(chǎn)品將構(gòu)成三相逆變橋的RC-IGBT(反向?qū)↖GBT)、高電壓控制用IC、低電壓控制用IC,以及自舉二極管和自舉電阻等器件集成在一個(gè)封裝中。 該產(chǎn)品采用外型尺寸為15.2mm×27.4mm×3.3mm的表面封裝型,可以通過回流焊接裝置安裝到印刷電路板上去。

表面貼裝型IPM具有三大特性:一、通過表面貼裝,使系統(tǒng)安裝變得更容易;二、該產(chǎn)品通過內(nèi)置控制IC以及最佳的引腳布局,在實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的小型化并使基板布線簡(jiǎn)化方面具有積極意義;三、而通過內(nèi)置保護(hù)功能,可以幫助提高系統(tǒng)的設(shè)計(jì)自由度。

在第7代IGBT模塊后,三菱電機(jī)今年推出了適用于工業(yè)及新能源應(yīng)用的通用大功率模塊——第7代IGBT模塊(LV100封裝)。

該產(chǎn)品在通用變頻器,高壓變頻器,風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域的應(yīng)用市場(chǎng)廣闊,低雜散電感符合未來大功率變流器的封裝設(shè)計(jì);采用第7代功率芯片組 和SLC技術(shù),提高性價(jià)比;此外,該產(chǎn)品降低開關(guān)損耗,有利于提高開關(guān)頻率;并且去除底板焊接層,提高熱循環(huán)壽命。

助力社會(huì)未來發(fā)展

除了精雕細(xì)琢產(chǎn)品之外,三菱電機(jī)更是視助力社會(huì)未來發(fā)展為己任,關(guān)注下一代成長(zhǎng)教育和節(jié)能減排。

目前,三菱電機(jī)已在清華大學(xué)、浙江大學(xué)、華中科技大學(xué)、合肥工業(yè)大學(xué)四所高校設(shè)立了三菱電機(jī)電力電子獎(jiǎng)學(xué)金,并設(shè)立了功率器件應(yīng)用聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。

到2021年,正好是三菱電機(jī)成立100周年,為了慶祝100周年,從前幾年開始,三菱電機(jī)內(nèi)部就制定了對(duì)應(yīng)節(jié)能環(huán)保社會(huì)要求的規(guī)劃,爭(zhēng)取在100周年的時(shí)候?qū)崿F(xiàn)這一目標(biāo)。

事實(shí)上,功率半導(dǎo)體生產(chǎn)產(chǎn)生的有害物質(zhì)是很少的,基于性能優(yōu)異的第7代IGBT芯片,通過改進(jìn)材料和封裝技術(shù),三菱電機(jī)正不斷提高功率半導(dǎo)體器件的節(jié)能效果。

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原文標(biāo)題:五大領(lǐng)域齊發(fā)力 三菱電機(jī)創(chuàng)新產(chǎn)品持續(xù)搶占市場(chǎng)新高地

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    一文了解三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)

    三菱電機(jī)開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET,并將其產(chǎn)品化,率先將其應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)鐵路車輛的變流器中,是一家在市場(chǎng)上擁有良好業(yè)績(jī)記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解
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    一文了解<b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b>高壓SiC芯片技術(shù)