隨著市場需求的不斷增長，SiC MOSFET在電動汽車中的應用日益廣泛，已經(jīng)成為推動電動汽車電氣化和高效能的重要技術之一。上一篇我們介紹了三菱電機SiC MOSFET模塊的芯片、封裝和短路保護技術，本章節(jié)主要介紹三菱電機車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品，包括模塊及芯片。

1SiC MOSFET模塊

1.1 產(chǎn)品陣容

三菱電機已推出三款SiC模塊產(chǎn)品，半橋T-PM模塊：CTF350DJ3A130，三相全橋模塊HEXA-S：CTF350CJ3C130，三相全橋模塊HEXA-L：CTF700CJ3D130。后續(xù)還會繼續(xù)推出其它規(guī)格的產(chǎn)品，擴充產(chǎn)品陣容，如表1中的灰色帶*部分，滿足客戶的不同需求?？蛻艨梢灾苯淤徺IT-PM，以T-PM為基礎，定制開發(fā)自己的功率模塊。

表1：SiC模塊產(chǎn)品陣容及規(guī)格（其中()*為規(guī)劃中產(chǎn)品）

1.2 輸出電流能力

J3系列SiC模塊以半橋T-PM模塊為核心，通過不同組合構成全橋模塊HEXA-S和HEXA-L，可以實現(xiàn)從50kW到300kW電驅功率的全覆蓋，滿足客戶端的平臺化設計。HEXA-S可以應用在50kW到150kW的主驅逆變器或者增程器，HEXA-L可以覆蓋150kW到300kW的主驅逆變器。典型輸出電流示例可以參考圖1，在800V母線電壓，10kHz開關頻率，65℃水溫，10L/min的流速條件下可以輸出最大540Arms的電流。并且三菱電機SiC模塊的漏源間耐壓（VDS）在全溫度范圍內(nèi)（-40℃到175℃）1300V，可以覆蓋更寬的電池電壓。

圖1：HEXA-L的輸出電流

三菱電機還為用戶提供HEXA-L和HEXA-S的評估套件，包括母線電容、水冷套件和對應的驅動板，可以用作雙脈沖測試和臺架帶載測試，方便客戶對J3系列SiC模塊的快速評價。如有興趣，可以聯(lián)系我們。

2SiC MOSFET裸片

除了SiC功率模塊，三菱電機還提供用于電動汽車（EV）、插電式混合動力汽車（PHEV）和其他電動汽車（xEV）電驅逆變器的SiC MOSFET裸片，晶圓和裸片的示意圖如下圖2所示。

圖2：用于xEV的SiC MOSFET晶圓和裸片

三菱電機用于xEV的SiC MOSFET裸片，采用溝槽柵結構，得益于特有的制造工藝，在溝槽柵結構中生長出高品質的柵極氧化膜，可以抑制長期使用過程中的閾值電壓（VGS,th）漂移和性能劣化。

目前，三菱電機可以提供以下SiC-MOSFET裸片樣品（表2），供客戶測試評估。

表2：SiC裸片產(chǎn)品及規(guī)格

未來，三菱電機將繼續(xù)致力于開發(fā)和提供高品質、低損耗的SiC-MOSFET裸片，助力提升逆變器性能、延長續(xù)航里程和提高xEV的能源效率，為實現(xiàn)脫碳目標做貢獻。

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<關于三菱電機>

三菱電機創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2025年3月31日的財年，集團營收55217億日元（約合美元368億）。作為一家技術主導型企業(yè)，三菱電機擁有多項專利技術，并憑借強大的技術實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設備、通信設備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場，三菱電機從事開發(fā)和生產(chǎn)半導體已有69年。其半導體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領域得到了廣泛的應用。