2025年9月25日，第十屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店圓滿舉辦。本次論壇由芯原股份 (簡稱“芯原”)、新傲科技和新傲芯翼主辦，SEMI中國和SOI國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟協(xié)辦。超過300位來自襯底、晶圓廠、IDM、芯片設計公司和系統(tǒng)廠商等FD-SOI產(chǎn)業(yè)鏈的海內(nèi)外重要嘉賓齊聚一堂，共同探討FD-SOI技術(shù)成果與應用前景。

芯原創(chuàng)始人、董事長兼總裁戴偉民博士首先為論壇開幕致辭。他表示，自2013年首屆論壇舉辦以來，上海FD-SOI論壇已成功舉辦十屆，成為推動FD-SOI技術(shù)生態(tài)構(gòu)建與產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要平臺。

戴博士指出，面對FD-SOI技術(shù)發(fā)展初期的生態(tài)瓶頸，芯原以“IP先行”的策略主動破局，通過率先布局并持續(xù)投入FD-SOI IP開發(fā)，為產(chǎn)業(yè)鏈提供了關鍵的設計基礎。目前，芯原已構(gòu)建涵蓋基礎IP、數(shù)模轉(zhuǎn)換IP、接口協(xié)議IP等在內(nèi)的眾多FD-SOI IP，這其中，在基于22nm FD-SOI工藝所開發(fā)的IP中，有60多個IP已累計向45家客戶授權(quán)超過300次；同時已完成43個FD-SOI芯片設計項目，其中33個項目實現(xiàn)量產(chǎn)，有力推動了FD-SOI技術(shù)從研發(fā)走向規(guī)?；逃?。

展望未來，戴博士強調(diào)，F(xiàn)D-SOI技術(shù)與FinFET構(gòu)成“兩條腿走路”的互補格局。FD-SOI以其低功耗、高集成度等特性，尤其適合邊緣AI、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等應用場景。他呼吁產(chǎn)業(yè)鏈各方繼續(xù)深化合作，共同推動FD-SOI技術(shù)創(chuàng)新與生態(tài)完善，為全球半導體產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展注入新動能。

隨后，IBS首席執(zhí)行官Handel Jones以《邊緣AI與FD-SOI技術(shù)的機遇分析》為題發(fā)表演講，深入剖析了人工智能 (AI)，特別是邊緣AI，為全球半導體產(chǎn)業(yè)帶來的新一輪增長浪潮，并強調(diào)了FD-SOI技術(shù)在這一變革中的戰(zhàn)略價值。

他指出，AI設備正取代手機成為半導體市場新的核心驅(qū)動力，邊緣AI應用將呈現(xiàn)多元化爆發(fā)態(tài)勢，智能手機作為數(shù)據(jù)集成中樞，將與智能眼鏡、自動駕駛、智能機器人等共同推動對低功耗、高性能芯片的巨大需求。針對這一趨勢，Handel Jones強調(diào)FD-SOI在超低功耗與無線連接方面的獨特優(yōu)勢，使其在智能穿戴、圖像處理等應用中較傳統(tǒng)體硅CMOS和FinFET更具競爭力。他呼吁中國產(chǎn)業(yè)界通過國際合作，加快完善從襯底材料、芯片制造到IP設計的完整FD-SOI生態(tài)，并認為發(fā)展12nm FD-SOI有望在眾多應用中對7nm FinFET實現(xiàn)替代。

專題一

FD-SOI工藝的技術(shù)優(yōu)勢和發(fā)展趨勢

論壇上午的專題主要圍繞FD-SOI工藝的技術(shù)優(yōu)勢和發(fā)展趨勢展開。格羅方德超低功耗產(chǎn)品線高級副總裁Ed Kaste，三星晶圓代工副總裁、技術(shù)規(guī)劃部門2主管Taejoong Song，意法半導體執(zhí)行副總裁、中國區(qū)總裁曹志平，Soitec首席執(zhí)行官Pierre Barnabé分別就《推動FD-SOI技術(shù)創(chuàng)新：專為邊緣AI打造》、《三星晶圓代工對FD-SOI的未來愿景》、《意法半導體：以FD-SOI推動創(chuàng)新》，以及《面向未來的創(chuàng)新且可持續(xù)的半導體材料設計》這幾個主題發(fā)表了演講。

隨后，戴偉民博士主持了專題一的圓桌討論環(huán)節(jié)，與演講嘉賓Ed Kaste，曹志平，Handel Jones，Pierre Barnabé，以及三星晶圓代工高級副總裁、中國銷售主管卓銘，共同圍繞FD-SOI技術(shù)從成熟節(jié)點向12nm及更先進節(jié)點演進的必要性與挑戰(zhàn)，不同應用領域 (如邊緣AI、汽車電子、射頻通信) 對工藝微縮的差異化需求，嵌入式非易失性存儲器 (eNVM) 在FD-SOI平臺上的技術(shù)成熟度及其所能催生的“殺手級應用”等議題展開深入探討?，F(xiàn)場觀眾就關鍵議題參與了實時投票，直觀反映了產(chǎn)業(yè)界對FD-SOI未來發(fā)展的共識與差異化思路。

以下為專題一圓桌討論的現(xiàn)場投票結(jié)果

問題：將FD-SOI技術(shù)推進至12nm甚至10nm以下節(jié)點，是否存在強有力的技術(shù)與經(jīng)濟依據(jù)？哪些特定應用 (領域邊緣AI、汽車電子、射頻技術(shù)) 需要這樣的工藝微縮？

投票：在28nm、22nm FD-SOI之后，是否有必要推出12nm或10nm以下FD-SOI？(單選)

67%以上的現(xiàn)場嘉賓認為在28nm、22nm FD-SOI之后，有必要推出12nm和10nm以下FD-SOI

問題：FD-SOI平臺上嵌入式非易失性存儲器 (MRAM、RRAM、PCM) 的技術(shù)成熟度如何？能體現(xiàn)FD-SOI + eNVM獨特價值的殺手級應用有哪些？

投票：能體現(xiàn)FD-SOI + eNVM獨特價值的殺手級應用有哪些？(選三項)

排名前三的選項為：汽車安全控制器、安全物聯(lián)網(wǎng)設備、邊緣AI

專題二

FD-SOI的設計實現(xiàn)

下午的專題聚焦FD-SOI的設計實現(xiàn)。MIPS首席執(zhí)行官Sameer Wasson，清華大學電子工程系教授陳文華，芯原執(zhí)行副總裁、定制芯片平臺事業(yè)部總經(jīng)理汪志偉，CEA-Leti硅組件部門副主管Martin Gallezot，Soitec執(zhí)行副總裁René Jonker，Soitec高級業(yè)務發(fā)展經(jīng)理James Zhang，Dolphin Semiconductor亞洲區(qū)銷售總監(jiān)Ying Zhao分別就《從聊天機器人到機器人》、《基于22nm FD-SOI CMOS的毫米波與太赫茲電路設計》、《基于FD-SOI的IP和芯片設計平臺》、《邁向10nm以下FD-SOI技術(shù)》、《FD-SOI：高效能邊緣AI與智能物聯(lián)網(wǎng)的革命性技術(shù)》，以及《面向可聽設備與可穿戴設備的新一代基于GF 22FDX+工藝的IP核》這幾個主題進行了分享。

在下午的圓桌討論中，主持人戴偉民博士與演講嘉賓James Zhang、汪志偉、陳文華和Ying Zhao從產(chǎn)學研多維視角展開了深度對話，重點探討了靜態(tài)體偏置 (SBB)、自適應體偏置 (ABB) 和動態(tài)體偏置 (DBB) 的技術(shù)特點、適用范圍和發(fā)展趨勢，以及發(fā)展DBB技術(shù)目前所面臨的關鍵挑戰(zhàn)與核心驅(qū)動因素。其他話題還包括基于FD-SOI工藝實現(xiàn)毫米波/太赫茲射頻電路的具體設計突破，以及FD-SOI技術(shù)在可穿戴設備中的設計實現(xiàn)和突破等議題?，F(xiàn)場觀眾就上述圓桌話題進行了實時投票，分享了他們對這些話題的看法，為討論提供了專業(yè)的應用端反饋和市場洞察。

以下為專題二圓桌討論的現(xiàn)場投票結(jié)果

問題：FD-SOI中的動態(tài)體偏置 (DBB)：推動其更廣泛應用的主要場景與挑戰(zhàn)是什么？

投票：FD-SOI SoC中動態(tài)體偏置最重要的優(yōu)勢是什么？(選三項)

排名前三的選項為：動態(tài)性能功耗調(diào)優(yōu)、降低漏電、工藝偏差補償

投票：目前動態(tài)體偏置技術(shù)主要受到哪些應用的驅(qū)動？(選三項)

排名前三的選項為：超低功耗物聯(lián)網(wǎng)設備、可穿戴與可聽設備、常開感知系統(tǒng)

問題：FD-SOI在射頻領域已展現(xiàn)出優(yōu)秀的線性度和低寄生效應。在毫米波和太赫茲電路設計中 (例如功率放大器、相移器、頻率發(fā)生器)，使用FD-SOI實現(xiàn)的具體設計突破有哪些？

投票：FD-SOI在毫米波和太赫茲電路設計中最關鍵的優(yōu)勢是哪些？(選兩項)

排名前三的選項為：低寄生效應、卓越射頻線性度、高集成度

問題：有哪些設計創(chuàng)新 (例如專用IP、體偏置、優(yōu)化的射頻技術(shù)) 使得FD-SOI在可穿戴設備和助聽設備領域占據(jù)優(yōu)勢地位？

投票：FD-SOI在可穿戴/可聽設備中最有價值的特性是什么？(選三項)

排名前三的選項為：超低漏電、更長的電池續(xù)航時間、常開感知支持

會議結(jié)束后，主辦方之一芯原特別安排了黃浦江郵輪晚宴，與會嘉賓在璀璨夜景與輕松交流中共敘產(chǎn)業(yè)未來，為本次活動畫上了圓滿的句號。