第十屆上海FD-SOI論壇2025年9月25日在上海浦東香格里拉大酒店舉辦。本次論壇由芯原股份、新傲科技和新傲芯翼主辦，SEMI中國(guó)和SOI國(guó)際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟協(xié)辦。論壇匯聚了全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂尖專家、企業(yè)高管及學(xué)術(shù)代表，圍繞 FD-SOI（全耗盡絕緣體上硅）工藝的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、發(fā)展趨勢(shì)、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)等核心議題展開(kāi)深入探討，為推動(dòng) FD-SOI 技術(shù)在邊緣 AI、智能物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用搭建了高效交流平臺(tái)。電子發(fā)燒友網(wǎng)今年繼續(xù)在現(xiàn)場(chǎng)為大家?guī)?lái)新鮮一手的現(xiàn)場(chǎng)報(bào)道。

論壇主辦到第十屆，打造 FD-SOI 行業(yè)交流核心平臺(tái)

論壇開(kāi)幕致辭環(huán)節(jié)芯原股份創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼總裁戴偉民博士發(fā)表致辭。戴博士在致辭中回顧了 FD-SOI 技術(shù)的發(fā)展歷程和一路以來(lái)的FD-SOI 技術(shù)實(shí)現(xiàn)新突破。

芯原股份作為 FD-SOI 技術(shù)推廣的關(guān)鍵推動(dòng)者，戴總核心觀點(diǎn)聚焦 “長(zhǎng)期深耕、生態(tài)共建”。自 2013 年起，戴總帶領(lǐng)芯原股份連續(xù)主辦上海 FD-SOI 論壇，從首屆僅 50 人參與，逐步發(fā)展為第九屆（2024 年）299 人規(guī)模、匯聚 GlobalFoundries、三星、意法半導(dǎo)體、Soitec 等全球頭部企業(yè)的行業(yè)盛會(huì)，第十屆論壇（本次）進(jìn)一步升級(jí)為 “技術(shù)優(yōu)勢(shì) + 設(shè)計(jì)落地” 雙主題的高端交流平臺(tái)。

論壇不僅是技術(shù)研討的載體，更是產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同的紐帶。戴總通過(guò)主持關(guān)鍵環(huán)節(jié)（如第十屆論壇兩場(chǎng)圓桌討論：“FD-SOI 工藝的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和發(fā)展趨勢(shì)”“FD-SOI 的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)”），推動(dòng)上下游企業(yè)（ substrate、晶圓代工、EDA/IP、芯片設(shè)計(jì)、下游應(yīng)用）達(dá)成技術(shù)共識(shí)與合作意向，加速 FD-SOI 生態(tài)成熟。

戴總在發(fā)言中重點(diǎn)凸顯芯原在 FD-SOI 領(lǐng)域的 “技術(shù)深耕與商業(yè)化成果”，以IP 布局，覆蓋全場(chǎng)景，規(guī)?；涞亍；诟窳_方德（GF）22FDX 工藝，開(kāi)發(fā) 60 + 模擬與數(shù)?；旌?IP（含基礎(chǔ) IP、DAC IP、接口協(xié)議 IP 等），累計(jì)向 45 家客戶授權(quán) FD-SOI IP 核超 300 次，成為行業(yè) IP 供應(yīng)核心力量。射頻（RF）與基帶 IP 全面領(lǐng)先：擁有 BLE、Wi-Fi 6、NB-IoT、GNSS 等完整無(wú)線 IP portfolio，所有 RF IP 均通過(guò)硅驗(yàn)證（silicon proven），且 NB-IoT、BLE 等關(guān)鍵 IP 已實(shí)現(xiàn)客戶商用授權(quán)，支撐物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、可穿戴設(shè)備等場(chǎng)景的無(wú)線連接需求。

FD-SOI的產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)更新：

首創(chuàng) “自適應(yīng)體偏置（Adaptive Body Biasing）技術(shù)” 在 FD-SOI SoC 中的應(yīng)用：基于該技術(shù)的 IoT 單芯片方案，相比 28nm bulk 工藝功耗降低 55%，實(shí)現(xiàn) “2 節(jié) AA 電池供電 2 年” 的長(zhǎng)待機(jī)目標(biāo)，累計(jì)出貨超 1 億顆。

完成 43 個(gè)全球大客戶的 FD-SOI 芯片設(shè)計(jì)項(xiàng)目，其中 33 個(gè)進(jìn)入量產(chǎn)階段，覆蓋 MCU（如業(yè)界首款 32 位 Cortex-M 架構(gòu) 22nm MCU）、IoT 傳感器、邊緣 AI 處理器等核心品類。

接口與特殊工藝 IP 優(yōu)勢(shì)：針對(duì)汽車電子、工業(yè)控制等高端場(chǎng)景，開(kāi)發(fā)符合 ISO26262 功能安全標(biāo)準(zhǔn)的接口 IP（如 MIPI DPHY/RX、PCIe 3.0、USB3.0），以及 1.25G-16G SERDES PHY 等高速接口 IP，解決 FD-SOI 在高可靠性、高速傳輸場(chǎng)景的應(yīng)用痛點(diǎn)。

FD-SOI 技術(shù)價(jià)值：“低功耗 + 高集成” 適配多領(lǐng)域剛需

戴總通過(guò)對(duì)比 FinFET 技術(shù)，明確 FD-SOI 的差異化定位，核心觀點(diǎn)聚焦 “場(chǎng)景適配性與技術(shù)不可替代性”包括：

1、技術(shù)本質(zhì)優(yōu)勢(shì)：FD-SOI（全耗盡絕緣體上硅）作為 2D 平面晶體管，通過(guò) “超薄體 + 超薄埋氧層 + 全介質(zhì)隔離” 結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的柵極控制能力，相比傳統(tǒng) bulk 晶體管縮放性更強(qiáng)，同時(shí)支持 “正向體偏置（FBB，提升性能）” 與 “反向體偏置（RBB，降低漏電流）” 動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)，兼顧低功耗與高性能需求。

2、與 FinFET 的 “雙軌并行”，戴總提出 “兩條腿走路” 的行業(yè)發(fā)展邏輯，如FinFET 側(cè)重高性能場(chǎng)景（如云計(jì)算服務(wù)器、高端 AI 芯片、前沿消費(fèi)電子）；FD-SOI 則聚焦 “低功耗 + 高可靠性” 場(chǎng)景，包括：物聯(lián)網(wǎng)與可穿戴設(shè)備（長(zhǎng)待機(jī)、小尺寸）；汽車電子（雷達(dá)處理、V2X 通信、功能安全 MCU）；邊緣 AI（輕量化神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速器、Always-on 智能語(yǔ)音識(shí)別）；5G/6G 與衛(wèi)星通信（毫米波芯片、低功耗射頻前端）。

3、先進(jìn)工藝突破：強(qiáng)調(diào) FD-SOI 并非 “低端工藝”，而是持續(xù)向先進(jìn)節(jié)點(diǎn)演進(jìn) ——2024 年 ST 與三星聯(lián)合推出 18nm FD-SOI（嵌入 ePCM 相變存儲(chǔ)器，提升集成度與性能），CEA-Leti 啟動(dòng) 10nm/7nm FD-SOI 試點(diǎn)產(chǎn)線，芯原已同步跟進(jìn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn) IP 預(yù)研，為后續(xù)產(chǎn)業(yè)化儲(chǔ)備技術(shù)。

戴總還在發(fā)言中傳遞 “生態(tài)共建” 的核心訴求，并以數(shù)據(jù)印證 FD-SOI 的市場(chǎng)潛力：

全球化生態(tài)協(xié)同：認(rèn)可歐美與中國(guó)企業(yè)的協(xié)同成果 —— 如歐盟通過(guò) “FAMES 計(jì)劃” 投資 12nm FD-SOI 產(chǎn)線（ST 與 GF 在法國(guó)建廠），CEA-Leti 聯(lián)合 43 家產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)推進(jìn) 10nm/7nm 技術(shù)；中國(guó)企業(yè)方面，上海新傲獲得 Soitec Smart-Cut 襯底技術(shù)授權(quán)，復(fù)旦微、國(guó)科微等采用 22nm FD-SOI 設(shè)計(jì) IoT 芯片，芯原則作為 “橋梁” 連接全球 IP 需求與本土設(shè)計(jì)服務(wù)。

市場(chǎng)規(guī)模高速增長(zhǎng)：引用行業(yè)數(shù)據(jù)強(qiáng)調(diào) FD-SOI 的商業(yè)價(jià)值 —— 市場(chǎng)規(guī)模從 2022 年的 9.3 億美元，預(yù)計(jì) 2027 年增至 40.9 億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）達(dá) 34.5%，增長(zhǎng)動(dòng)力主要來(lái)自 IoT、汽車電子、邊緣 AI 的規(guī)?；瘧?yīng)用，芯原將通過(guò) IP 與設(shè)計(jì)服務(wù)深度參與這一增長(zhǎng)紅利。

人才與技術(shù)普及：支持歐盟 “FAMES 學(xué)院（EFDS）” 計(jì)劃（2025 年啟動(dòng)，未來(lái) 4 年開(kāi)展 FD-SOI 設(shè)計(jì)培訓(xùn)），認(rèn)為人才培養(yǎng)是生態(tài)長(zhǎng)期發(fā)展的關(guān)鍵，芯原也將通過(guò)項(xiàng)目合作、技術(shù)分享，助力中國(guó)工程師掌握 FD-SOI 體偏置設(shè)計(jì)、RF / 模擬電路設(shè)計(jì)等核心技能。

未來(lái)展望：聚焦先進(jìn)節(jié)點(diǎn)與場(chǎng)景深化

戴總對(duì) FD-SOI 的長(zhǎng)期發(fā)展提出明確方向，核心觀點(diǎn)聚焦 “技術(shù)迭代 + 場(chǎng)景落地”：

1、先進(jìn)工藝攻堅(jiān)：持續(xù)跟進(jìn) 18nm、10nm 乃至 7nm FD-SOI 技術(shù)，重點(diǎn)突破 “嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（ePCM）”“太赫茲電路” 等關(guān)鍵技術(shù)（如芯原已聯(lián)合清華大學(xué)探索 22nm FD-SOI 毫米波 / 太赫茲電路設(shè)計(jì)），滿足 5G 毫米波雷達(dá)、衛(wèi)星通信等高端場(chǎng)景需求。

2、場(chǎng)景深度滲透：推動(dòng) FD-SOI 在汽車電子（如 ADAS SoC、車規(guī)級(jí)雷達(dá)）、邊緣 AI（如低功耗神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速器）、醫(yī)療電子（便攜式傳感器）等領(lǐng)域的商業(yè)化落地，通過(guò) “IP + 設(shè)計(jì)服務(wù)” 一體化方案，降低客戶采用門檻。

3、中國(guó)生態(tài)強(qiáng)化：依托上海 FD-SOI 論壇平臺(tái)，進(jìn)一步聯(lián)動(dòng)本土襯底企業(yè)（如上海新傲）、晶圓代工廠、設(shè)計(jì)公司，構(gòu)建從技術(shù)研發(fā)到量產(chǎn)應(yīng)用的完整本土產(chǎn)業(yè)鏈，提升中國(guó)在 FD-SOI 領(lǐng)域的全球話語(yǔ)權(quán)。

隨后，IBS 首席執(zhí)行官 Handel Jones 帶來(lái)題為《邊緣 AI 與 FD-SOI 技術(shù)的機(jī)遇分析》的主題演講。

2025年9月25日，國(guó)際商業(yè)戰(zhàn)略公司（IBS）正式發(fā)布《邊緣AI機(jī)遇與FD SOI機(jī)遇分析》報(bào)告。作為深耕半導(dǎo)體行業(yè)超35年、聚焦全球電子產(chǎn)業(yè)生態(tài)的專業(yè)機(jī)構(gòu)，IBS在報(bào)告中結(jié)合技術(shù)趨勢(shì)、市場(chǎng)數(shù)據(jù)與企業(yè)動(dòng)態(tài)，全面剖析了邊緣AI驅(qū)動(dòng)下半導(dǎo)體行業(yè)的增長(zhǎng)機(jī)遇，以及FD SOI技術(shù)在其中的戰(zhàn)略價(jià)值，為行業(yè)參與者提供了覆蓋至2035年的前瞻性參考。IBS 首席執(zhí)行官 Handel Jones在論壇上現(xiàn)場(chǎng)作題為《邊緣 AI 與 FD-SOI 技術(shù)的機(jī)遇分析》的主題演講。

邊緣AI與云端AI雙輪驅(qū)動(dòng)，半導(dǎo)體市場(chǎng)迎長(zhǎng)期增長(zhǎng)

Handel Jones指出，數(shù)字時(shí)代下邊緣AI與高性能計(jì)算（HPC）AI應(yīng)用并行發(fā)展，正成為半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)的核心引擎。從應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)看，邊緣AI的布局已深入多元終端與垂直領(lǐng)域：智能手機(jī)將成為邊緣數(shù)據(jù)整合樞紐，智能手表、健身追蹤器等穿戴設(shè)備則構(gòu)成關(guān)鍵數(shù)據(jù)生成端；智能眼鏡、AR與VR設(shè)備預(yù)計(jì)在2027-2028年進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段，2028-2029年全球銷量有望達(dá)到1.5億臺(tái)，中國(guó)市場(chǎng)將憑借強(qiáng)勁增長(zhǎng)與創(chuàng)新活力成為重要增長(zhǎng)極。

在垂直領(lǐng)域，L3級(jí)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）于2025年在中國(guó)實(shí)現(xiàn)實(shí)用化，融合處理器與軟件支持成為關(guān)鍵技術(shù)支撐，而L5級(jí)ADAS預(yù)計(jì)將在2030年啟動(dòng)初步遷移，LIDAR等高頻傳感器的需求將持續(xù)攀升；智能機(jī)器人領(lǐng)域，中國(guó)市場(chǎng)的支出規(guī)模已達(dá)到其他國(guó)家總和的20倍，技術(shù)研發(fā)聚焦特定任務(wù)效率提升而非類人復(fù)制；數(shù)字健康則被預(yù)測(cè)為2030-2040年最大市場(chǎng) segment，圖像傳感器、MEMS設(shè)備的升級(jí)將推動(dòng)行業(yè)發(fā)展，甚至有望將人類壽命延長(zhǎng)20年以上。

云端AI方面，數(shù)據(jù)中心的普及程度未來(lái)將媲美個(gè)人計(jì)算機(jī)，大型數(shù)據(jù)中心與個(gè)人數(shù)據(jù)中心將形成互補(bǔ)格局，數(shù)字孿生與AI代理將依托這一架構(gòu)運(yùn)行，且數(shù)字孿生在多類數(shù)據(jù)處理任務(wù)中的IQ將超越人類。報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，2025年美國(guó)數(shù)據(jù)中心企業(yè)資本支出（CAPEX）預(yù)計(jì)達(dá)3990億美元，較2024年的2563億美元大幅增長(zhǎng)；臺(tái)積電2025年近30%的營(yíng)收增長(zhǎng)也將源于HPC領(lǐng)域的需求拉動(dòng)，凸顯云端AI對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)勁帶動(dòng)作用。

值得關(guān)注的是，AI在推動(dòng)產(chǎn)業(yè)效率提升的同時(shí)，也將引發(fā)勞動(dòng)力結(jié)構(gòu)變革。Handel Jones在報(bào)告中提到，隨著邊緣AI的廣泛應(yīng)用，社會(huì)將經(jīng)歷深刻轉(zhuǎn)型，部分人力崗位面臨淘汰，教育體系需同步革新以適應(yīng)技術(shù)趨勢(shì)，而中國(guó)在相關(guān)教育創(chuàng)新領(lǐng)域已展現(xiàn)積極進(jìn)展。

在區(qū)域市場(chǎng)分析中，Handel Jones的報(bào)告重點(diǎn)關(guān)注中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展態(tài)勢(shì)。數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)需求規(guī)模將持續(xù)擴(kuò)大，2035年預(yù)計(jì)達(dá)到7200億美元，其中本土電子制造企業(yè)的半導(dǎo)體消費(fèi)占比將從2020年的55.2%升至2035年的85.5%，市場(chǎng)重心向本土客戶傾斜，對(duì)全球供應(yīng)鏈格局產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

從本土企業(yè)供應(yīng)能力來(lái)看，中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)在多類產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破：顯示驅(qū)動(dòng)芯片的本土市場(chǎng)供應(yīng)占比從2020年的4%升至2035年的79%，全球競(jìng)爭(zhēng)力（10分制）從行業(yè)初期提升至8.2；SiC MOSFET、MCU等產(chǎn)品的2035年本土供應(yīng)占比也將分別達(dá)到82%、73%，全球競(jìng)爭(zhēng)力同步提升至8.1和7.8。

針對(duì)FD SOI（全耗盡絕緣體上硅）技術(shù)，報(bào)告進(jìn)行了專項(xiàng)分析，認(rèn)為其憑借超低功耗與高效無(wú)線連接的核心優(yōu)勢(shì)，將成為邊緣AI場(chǎng)景的關(guān)鍵半導(dǎo)體技術(shù)。從市場(chǎng)規(guī)模來(lái)看，2030年FD SOI總市場(chǎng)規(guī)模（TAM）預(yù)計(jì)達(dá)127.6萬(wàn)片晶圓/月（KWPM），其中MCU、圖像信號(hào)處理器（ISPs）是核心增長(zhǎng)領(lǐng)域.MCU的2030年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)26.44萬(wàn)片晶圓/月，較2020年增長(zhǎng)1164.5%；ISPs的2030年規(guī)模將達(dá)64.84萬(wàn)片晶圓/月，較2020年增長(zhǎng)219.1%。

技術(shù)層面，22nm FD SOI已成為格芯（GlobalFoundries）用于MCU、雷達(dá)等產(chǎn)品的核心技術(shù)，意法半導(dǎo)體正擴(kuò)大FD SOI產(chǎn)能并開(kāi)發(fā)18nm技術(shù)；12nm FD SOI技術(shù)未來(lái)或可替代部分7nm FinFET應(yīng)用，Soitec與CEA-Leti已啟動(dòng)10nm FD SOI技術(shù)的評(píng)估工作，為行業(yè)技術(shù)升級(jí)提供方向。

對(duì)于中國(guó)在FD SOI領(lǐng)域的布局，Handel Jones指出，本土企業(yè)已具備一定基礎(chǔ),例如300mm SOI襯底的本土生產(chǎn)能力逐步成熟，良率具備競(jìng)爭(zhēng)力；芯原股份（VeriSilicon）已實(shí)現(xiàn)28nm、22nm FD SOI技術(shù)的設(shè)計(jì)落地，擁有豐富的IP portfolio，可拓展至智能手表、AR/VR設(shè)備、MCU等邊緣AI產(chǎn)品。不過(guò)，中國(guó)仍需加強(qiáng)與國(guó)際技術(shù)伙伴（如Soitec）的合作，構(gòu)建“襯底-晶圓-設(shè)計(jì)-應(yīng)用”的完整生態(tài)，以結(jié)構(gòu)化方式提升FD SOI技術(shù)的自主化水平與產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

在論壇上午的專題一演講分享環(huán)節(jié)，多位行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)代表和專家聚焦 FD-SOI 工藝的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與發(fā)展趨勢(shì)，分享了最新的技術(shù)成果與戰(zhàn)略規(guī)劃。

格羅方德超低功耗產(chǎn)品線高級(jí)副總裁 Ed Kaste 發(fā)表《推動(dòng) FD-SOI 技術(shù)創(chuàng)新：專為邊緣 AI 打造》的演講。Ed Kaste 表示，格羅方德是 FD-SOI 技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，隨著 AI 在多個(gè)產(chǎn)品領(lǐng)域的加速普及，市場(chǎng)對(duì)更低功耗、更強(qiáng)連接性及功能集成度的需求日益增長(zhǎng)，而格羅方德的 22FDX + 平臺(tái)能充分發(fā)揮 FD-SOI 技術(shù)優(yōu)勢(shì)，為 AI 應(yīng)用提供一流的低功耗性能，同時(shí)詳細(xì)介紹了格羅方德 FD-SOI 技術(shù)的規(guī)?；瘍?yōu)勢(shì)、功能特性及路線圖投資。

三星晶圓代工副總裁、技術(shù)規(guī)劃部門 2 主管 Taejoong Song 帶來(lái)《三星晶圓代工對(duì) FD-SOI 的未來(lái)愿景》演講。

Taejoong Song 指出，隨著 AI、自動(dòng)駕駛和超互聯(lián)社會(huì)的興起，半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)低功耗和高性能的需求不斷增加，傳統(tǒng)體硅 CMOS 面臨局限，而 FD-SOI 憑借動(dòng)態(tài)體偏置技術(shù)、低漏電特性及出色的 RF 性能，實(shí)現(xiàn)了超低功耗與高性能的獨(dú)特平衡。三星已將 28FDS 工藝打造為成熟且量產(chǎn)驗(yàn)證的 FD-SOI 技術(shù)，目前正推進(jìn) 18FDS 工藝，未來(lái)還將加強(qiáng)合作伙伴關(guān)系并支持生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)，推動(dòng) FD-SOI 市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大。

意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁、中國(guó)區(qū)總裁曹志平作了主題為《意法半導(dǎo)體：以 FD-SOI 推動(dòng)創(chuàng)新》的演講。

圓桌環(huán)節(jié)現(xiàn)場(chǎng)投票結(jié)果 1：FD-SOI+eNVM會(huì)在哪些殺手應(yīng)用中創(chuàng)造獨(dú)特的價(jià)值（限選三）?，F(xiàn)場(chǎng)投票前三：汽車安全控制、物聯(lián)網(wǎng)安全、邊緣AI。

圓桌現(xiàn)場(chǎng)投票結(jié)果2：在28和22納米 FD-SOI之后，我們需要12納米還是10納米及以下先進(jìn)工藝？（單選）。投票結(jié)果是這兩種都需要。

（完）