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看看長江存儲新型架構(gòu)為3D NAND帶來哪些性能?

芯資本 ? 來源:未知 ? 作者:工程師郭婷 ? 2018-07-31 14:17 ? 次閱讀
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作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者,紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司(長江存儲)今年將首次參加閃存峰會(Flash Memory Summit),并發(fā)表備受期待的主題演講,闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。

長江存儲是中國首家進軍高端NAND閃存行業(yè)的公司,此次揭曉的XtackingTM新型架構(gòu)技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的高性能,更高的存儲密度,以及更短的上市周期。

長江存儲CEO楊士寧博士將于圣克拉拉會議中心(加利福尼亞州,美國)發(fā)表《創(chuàng)新架構(gòu),釋放3D NAND閃存潛能》的主題演講。屆時,楊士寧博士將會介紹此項技術(shù)是如何將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當?shù)乃疁剩瑫r使存儲密度達到行業(yè)領(lǐng)先水平,實現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時代躍進。

XtackingTM技術(shù)將為NAND閃存帶來前所未有的超高傳輸速率,從而將NAND閃存應(yīng)用產(chǎn)品,如UFS、消費級及企業(yè)級SSD的性能提升至全新的高度。在客戶、行業(yè)伙伴以及標準機構(gòu)的合力幫助下,XtackingTM將為高性能的智能手機、個人計算、數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應(yīng)用展開新篇章。

XtackingTM技術(shù)實現(xiàn)了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開發(fā)和制造工藝將大幅縮短新一代3D NAND閃存的上市時間,并使NAND閃存產(chǎn)品定制化成為可能。

關(guān)于長江存儲科技有限責任公司

長江存儲科技有限責任公司(長江存儲)成立于2016年7月,總投資額240億美元。長江存儲是一家集芯片設(shè)計、工藝研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售服務(wù)于一體的存儲器解決方案企業(yè),總部位于湖北武漢。長江存儲為全球客戶提供先進的存儲產(chǎn)品和解決方案,廣泛應(yīng)用于移動通信、計算機、數(shù)據(jù)中心和消費電子等領(lǐng)域。

長江存儲借助全資子公司武漢新芯超過10年的12英寸先進集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造經(jīng)驗基礎(chǔ),采取自主研發(fā)與國際合作雙輪驅(qū)動模式,已于2017年研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片。長江存儲憑借全球分布的研發(fā)中心和超過3000名國際化員工,力爭憑創(chuàng)新實力成為世界一流的3D NAND閃存產(chǎn)品供應(yīng)商。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:楊士寧即將親自講解!長江存儲新型3D NAND架構(gòu)來了

文章出處:【微信號:ICCapital,微信公眾號:芯資本】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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