10 位 AFE53004W 和 12 位 AFE63004W （AFEx3004W） 是一系列 4 通道、超低功耗智能模擬前端 （AFE） 器件。這些器件具有一個(gè)具有四個(gè)獨(dú)立通道的共享 10 位模數(shù)轉(zhuǎn)換器 （ADC）。每個(gè)通道可獨(dú)立配置為緩沖電壓輸出數(shù)模轉(zhuǎn)換器 （DAC）、可編程電流輸出 DAC 或共享 ADC 的輸入。這些器件支持高阻斷掉電模式和斷電條件下的高阻輸出。模擬輸出提供力檢測選項(xiàng)，用作可編程比較器和電流吸收器。多功能 GPIO、函數(shù)生成和 NVM 使這些智能 AFE 能夠?qū)崿F(xiàn)無處理器應(yīng)用和設(shè)計(jì)重用。這些器件可自動(dòng)檢測I2C、PMBus和SPI，并包含內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源。

智能 AFE 的靈活性和功能集與微型封裝和超低工作功耗相結(jié)合，使這些器件成為小型電池供電系統(tǒng)的絕佳選擇。
*附件：afe53004w.pdf

特性

• 具有靈活配置的可編程電壓或電流輸出：
  • 電壓輸出：
    • 1LSB DNL
    • 收益為 1 ×、1.5 ×、2 ×、3 ×和 4 ×
  • 電流輸出：
    • 1LSB INL 和 DNL（8 位）
    • 單極性和雙極性輸出范圍選項(xiàng)，范圍為 25μA 至 250μA
• 10位ADC輸入
  • 2LSB INL、1LSB DNL
• 適用于所有通道的可編程比較器模式
• VDD關(guān)閉時(shí)的高阻抗輸出
• 高阻抗或電阻下拉掉電模式
• 50MHz SPI 兼容接口
• 自動(dòng)檢測I2C、SPI或PMBus接口
  • 1.62V VIH，VDD = 5.5V
• 通用輸入/輸出 （GPIO） 可配置為多種功能
• 預(yù)定義波形生成：正弦波、三角波、鋸齒波
• 用戶可編程非易失性存儲(chǔ)器 （NVM）
• 內(nèi)部、外部或電源作為參考
• 工作范圍廣：
  • 電源：1.8V 至 5.5V
  • 溫度范圍：–40°C 至 +125°C
• 微型封裝：16引腳DSBGA（1.76mm×1.76mm）

參數(shù)

方框圖

AFE53004W 與 AFE63004W 是德州儀器推出的 4 通道智能模擬前端（AFE），核心差異為分辨率（AFE53004W 為 10 位，AFE63004W 為 12 位），均支持電壓 / 電流輸出、10 位 ADC 采樣及可編程比較器功能，集成非易失性存儲(chǔ)器（NVM）與自動(dòng)接口檢測，適用于小型化、低功耗高精度信號(hào)調(diào)理場景。

一、核心功能與特性

1. 多模式信號(hào)轉(zhuǎn)換能力
   • 電壓輸出 ：每通道獨(dú)立配置，支持 1×/1.5×/2×/3×/4× 增益（內(nèi)部參考 1.21V），輸出范圍 0-VDD，DNL±1LSB，INL 最大 ±5LSB（AFE63004W），支持閉環(huán)反饋（需短接 OUTx 與 FBx 引腳），輸出擺率 0.3V/μs， settling 時(shí)間 20-25μs。
   • 電流輸出 ：8 位分辨率，支持單極性（0-250μA）與雙極性（±250μA）范圍，INL/DNL 均 ±1LSB，輸出阻抗 60MΩ，輸出噪聲密度 1nA/√Hz（1kHz），適用于低電流驅(qū)動(dòng)場景。
   • ADC 采樣 ：共享 10 位 SAR ADC，支持 4 通道復(fù)用輸入，采樣率 1406-2008SPS（4 樣本平均），INL±2LSB，DNL±1LSB，輸入范圍 0-VDD（需配置參考與增益），可用于信號(hào)反饋或監(jiān)測。
   • 比較器模式 ：每通道可配置為無滯回 / 滯回 / 窗口比較器，F(xiàn)Bx 引腳為輸入，支持推挽 / 開漏輸出，響應(yīng)時(shí)間 10μs，可用于過壓 / 欠壓檢測。
2. 靈活的接口與控制
   • 自動(dòng)接口檢測 ：上電后自動(dòng)識(shí)別 I2C（支持標(biāo)準(zhǔn) / 快速 / 快速 + 模式，速率 100kHz-1MHz）或 SPI（最高 50MHz 寫入，1.25-2.5MHz 讀?。?，I2C 支持 4 個(gè)地址配置（通過 A0 引腳），SPI 支持菊花鏈模式。
   • GPIO 多功能配置 ：可映射為 SDO（SPI 讀）、LDAC（同步更新）、復(fù)位、故障 dump 等，支持邊沿 / 電平觸發(fā)，實(shí)現(xiàn)無處理器場景下的輸出控制與狀態(tài)監(jiān)測。
   • 波形生成 ：內(nèi)置正弦波、三角波、鋸齒波生成功能，正弦波含 24 個(gè)預(yù)設(shè)點(diǎn) / 周期，頻率由 SLEW-RATE 控制；三角波 / 鋸齒波可通過 DAC-X-MARGIN-HIGH/LOW 設(shè)定幅值范圍。
3. 存儲(chǔ)與保護(hù)功能
   • NVM 存儲(chǔ) ：支持用戶寄存器配置（如輸出模式、增益、電源 - down 狀態(tài)）存儲(chǔ)，掉電后保持，擦寫壽命 2 萬次（-40°C-85°C），數(shù)據(jù) retention 50 年，內(nèi)置 CRC 校驗(yàn)（16 位 CRC-16-CCITT）檢測數(shù)據(jù)完整性。
   • 電源與故障保護(hù) ：電源 - down 模式下輸出高阻（漏電流≤500nA），支持 10kΩ/100kΩ 下拉配置；PROTECT 功能觸發(fā)時(shí)可 slew 至安全電壓或高阻，故障 dump 模式可保存寄存器狀態(tài)至 NVM 用于診斷。

二、關(guān)鍵參數(shù)與環(huán)境要求

三、應(yīng)用場景

適用于需要高精度信號(hào)調(diào)理與控制的小型化設(shè)備，包括光學(xué)模塊（如激光驅(qū)動(dòng)）、筆記本電腦電源管理、工業(yè)傳感器信號(hào)放大、醫(yī)療設(shè)備低電流驅(qū)動(dòng)、可編程電源反饋控制等。典型應(yīng)用如 “可編程電流源”，通過外部 MOSFET 擴(kuò)展輸出電流至 200mA，利用 AFE 的 force-sense 功能補(bǔ)償 MOSFET 溫漂。

四、使用要點(diǎn)

1. 寄存器與 NVM 配置
   • 寄存器分 3 個(gè) bank，默認(rèn)鎖定，需通過特定序列解鎖（I2C/SPI 寫入解鎖碼）；關(guān)鍵配置包括輸出模式（VOUT-PDN-X/IOUT-PDN-X）、參考選擇（EN-INT-REF）、比較器參數(shù)（DAC-X-MARGIN-HIGH/LOW）。
   • NVM 編程：通過 COMMON-TRIGGER 寄存器的 NVM-PROG 位觸發(fā)，可存儲(chǔ)用戶配置，上電后自動(dòng)加載；需注意編程時(shí)禁止讀寫操作，等待 200ms 完成寫入。
2. 布局與電源設(shè)計(jì)
   • 模擬與數(shù)字地分開，避免數(shù)字線交叉模擬信號(hào)路徑；VDD、CAP、VREF 引腳的去耦電容需靠近器件放置，減少寄生電感。
   • 電壓輸出模式需短接 OUTx 與 FBx 引腳實(shí)現(xiàn)閉環(huán)；電流輸出模式需懸空 FBx 引腳以降低漏電流；ADC 模式下通道 3 需配置為比較器，F(xiàn)B3 引腳接 VDD 上拉。
3. 時(shí)序要求
   • I2C 快速 + 模式：SCL 最高 1MHz，數(shù)據(jù)建立時(shí)間 50ns，保持時(shí)間 0ns；SPI 寫入：SCLK 高 / 低時(shí)間≥9ns，SDI 建立 / 保持時(shí)間≥8ns；GPIO 觸發(fā)信號(hào)高 / 低電平需≥2μs。