10 位 AFE532A3W 和 8 位 AFE432A3W （AFEx32A3W） 是 3 通道、緩沖電壓輸出、電流輸出和 ADC 輸入、智能模擬前端 （AFE）。AFEx32A3W 支持用于激光二極管和微型電機(jī)線性控制的電流源。這些器件支持Hi-Z掉電模式和電壓輸出斷電條件下的Hi-Z輸出。通道1可配置為ADC、電壓輸出DAC或比較器。電壓輸出DAC提供力檢測選項，用作可編程比較器和電流吸收器。多功能 GPIO、功能生成和可編程非易失性存儲器 （NVM） 使這些智能 AFE 能夠?qū)崿F(xiàn)無處理器應(yīng)用和設(shè)計重用。這些器件可自動檢測 SPI 或 I2C 接口，并包含內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源。
*附件：afe432a3w.pdf

AFEx32A3W 功能集與微型封裝和低功耗相結(jié)合，使這些智能 AFE 成為無源光網(wǎng)絡(luò) （PON） 和其他工業(yè)激光應(yīng)用中激光二極管功率控制和電吸收調(diào)制激光器 （EML） 控制的絕佳選擇。

特性

• 電流源DAC：
  • 1LSB DNL
  • 兩個量程：300mA 和 220mA
  • 770mV 動態(tài)余量
• 雙電壓輸出DAC：
  • 1LSB DNL
  • 收益為 1 ×、1.5 ×、2 ×、3 ×和 4 ×
• 通道1上的ADC輸入
• 通道1上的可編程比較器模式
• VDD關(guān)閉時的高阻抗輸出
• 高阻抗和電阻下拉掉電模式
• 50MHz SPI 兼容接口
• 自動檢測 I2C 或 SPI
  • 1.62V VIH，VDD = 5.5V
• 通用輸入/輸出 （GPIO） 可配置為多種功能
• 預(yù)定義波形生成：正弦波、余弦波、三角波、鋸齒波
• 用戶可編程非易失性存儲器 （NVM）
• 內(nèi)部或電源作為參考
• 工作范圍廣：
  • 電源：3V至5.5V
  • 溫度：–40°C 至 +125°C

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

AFE432A3W（8 位）與 AFE532A3W（10 位）是德州儀器推出的三通道智能模擬前端（AFE） ，核心優(yōu)勢在于多功能集成（電壓輸出、電流輸出、ADC 輸入）、低功耗（正常模式電流≤172μA）及小型化封裝（16 引腳 DSBGA，1.76mm×1.76mm），專為光模塊、激光控制、工業(yè)傳感器等場景設(shè)計。通過可編程波形生成、非易失性存儲器（NVM）及自動接口檢測（I2C/SPI），實現(xiàn)無處理器獨立運行，同時支持高壓電流驅(qū)動（最大 300mA）與高精度信號采集，適配復(fù)雜模擬信號處理需求。

二、核心特性

（一）多通道多功能集成

• 通道配置 ：3 個通道分工明確，通道 0 為固定電壓輸出 DAC，通道 1 可配置為電壓輸出 DAC / 比較器 / ADC 輸入，通道 2 為固定電流輸出 DAC（IDAC），支持單設(shè)備完成信號生成、檢測與采集；
• 分辨率與線性度 ：AFE532A3W（10 位）積分非線性（INL）最大 ±1.25LSB，微分非線性（DNL）最大 ±1LSB；AFE432A3W（8 位）INL 最大 ±1LSB，DNL 最大 ±1LSB，確保高精度信號轉(zhuǎn)換；
• 輸出能力 ：電壓輸出范圍 0~VDD（支持 1×/1.5×/2×/3×/4× 增益），電流輸出支持 300mA（IOUT-GAIN=000b）與 220mA（IOUT-GAIN=001b）兩檔，最小輸出電壓裕量 770mV（300mA 輸出時）。

（二）低功耗與寬工作范圍

• 功耗優(yōu)化 ：正常模式下 VDD 電流典型 172μA（三通道使能），掉電模式（內(nèi)部基準(zhǔn)關(guān)閉）電流≤28μA，適配電池供電場景；
• 供電與溫度 ：單電源供電 35.5V（PVDD 與 VDD 短接），工作溫度 - 40125°C，結(jié)溫最高 150°C，滿足工業(yè)級環(huán)境要求；
• 關(guān)斷特性 ：VDD 關(guān)閉時輸出自動進(jìn)入高阻態(tài)（Hi-Z），泄漏電流≤500nA（VOUT≤5.5V），避免系統(tǒng)斷電時信號干擾。

（三）智能功能與可靠性

1. 波形生成與控制
   • 支持正弦、余弦、三角波、鋸齒波預(yù)定義波形，頻率可通過步長（132LSB）與周期（4μs5.12ms / 步）編程調(diào)整；
   • 數(shù)字?jǐn)[率控制：線性 / 對數(shù)擺率可選，線性擺率最小 4μs / 步，對數(shù)擺率按 3.125% 比例遞增 / 遞減，適配激光功率漸變等場景。
2. 故障防護(hù)與存儲
   • 集成 NVM（擦寫壽命 20000 次 @-40~85°C），支持寄存器配置參數(shù)永久存儲，上電自動加載，避免重復(fù)配置；
   • 故障檢測：NVM 循環(huán)冗余校驗（CRC）、過溫保護(hù)（無自動熱關(guān)斷，需外部監(jiān)控結(jié)溫）、比較器窗口告警，F(xiàn)AULT 引腳可配置告警觸發(fā)源；
   • 防護(hù)功能：PROTECT 引腳觸發(fā)時，輸出可按預(yù)設(shè)邏輯（高阻 / 預(yù)設(shè)代碼 / 擺率切換）切換，避免系統(tǒng)故障時器件損壞。
3. 靈活接口與控制
   • 自動接口檢測：上電后自動識別 I2C（支持標(biāo)準(zhǔn)模式 100kbps / 快速模式 400kbps / 快速 + 模式 1Mbps）或 SPI（最高 50MHz），無需硬件配置；
   • GPIO 多功能：可配置為 LDAC（加載 DAC 數(shù)據(jù)）、RESET（器件復(fù)位）、STATUS（狀態(tài)輸出）等 8 種功能，支持無通信接口時手動控制。

（四）高精度信號處理

• ADC 采集 ：通道 1 可配置為 10 位 ADC，輸入范圍 0~VDD/3，采樣率最高 2008SPS（4 次平均），INL 最大 ±2LSB，適配傳感器信號采集；
• 比較器模式 ：通道 1 支持可編程滯回（通過 MARGIN-HIGH/LOW 寄存器設(shè)置）、窗口比較器與鎖存比較器，響應(yīng)時間典型 10μs（推挽輸出，25pF 負(fù)載）；
• 噪聲性能 ：電壓輸出噪聲（0.1~10Hz）典型 50μVpp（VDD=5.5V），電流輸出噪聲密度（1kHz）典型 159nA/√Hz，確保低噪聲信號驅(qū)動。

三、器件信息與電氣規(guī)格

（一）型號差異與封裝

（二）熱學(xué)特性（16 引腳 DSBGA）

（三）核心電氣參數(shù)（TA=-40~125°C，VDD=3.3V）

四、功能模塊詳解

（一）模擬輸出模塊

1. 電壓輸出 DAC（通道 0/1）
   • 參考源選擇 ：支持內(nèi)部 1.21V 基準(zhǔn)（溫度系數(shù) 73ppm/°C，初始精度 ±0.36%）或 VDD 作為參考，內(nèi)部基準(zhǔn)需通過 COMMON-CONFIG 寄存器（0x1F）啟用，VREFIO 引腳需并聯(lián) 150nF 濾波電容；
   • 增益配置 ：通道 0 通過 DAC-0-GAIN-CONFIG 寄存器（0x0F）選擇增益，通道 1 通過 DAC-1-GAIN-CMP-CONFIG 寄存器（0x15）選擇，增益 = 1× 時參考為 VDD，增益≥1.5× 時強(qiáng)制使用內(nèi)部基準(zhǔn)；
   • 輸出特性 ：輸出阻抗典型 500kΩ（增益 = 1×），容性負(fù)載最大 1μF（CCOMP 引腳并聯(lián) 470pF 補(bǔ)償電容），短路電流典型 60mA（VDD=5.5V），具備短路保護(hù)。
2. 電流輸出 DAC（通道 2）
   • 輸出公式 ：IOUT**=2NDA C _DATA ? ×GAIN**× 0.5241 （N 為分辨率，GAIN 為 IOUT-GAIN 設(shè)置），例如 AFE532A3W 輸出 200mA 需配置 DAC_DATA=586d（0x24A）；
   • 負(fù)載適配 ：支持二極管負(fù)載（激光二極管）與電感負(fù)載（電機(jī)），輸出電流穩(wěn)定度 ±0.5LSB/V（VDD 變化 3.5~4.5V 時），適合高精度電流驅(qū)動場景；
   • 功耗控制 ：輸出電壓裕量直接影響功耗，裕量 = PVDD-IOUT×R_LOAD，建議最小裕量 770mV 以避免結(jié)溫過高（無自動熱關(guān)斷，需外部監(jiān)控）。

（二）ADC 與比較器模塊

1. ADC 輸入（通道 1）
   • 配置流程 ：需先將通道 1 配置為比較器（CMP-1-EN=1），F(xiàn)B1 引腳接 VDD 上拉，VOUT1/AIN1 為模擬輸入，通過 ADC-CONFIG-TRIG 寄存器（0x1D）啟用 ADC 并設(shè)置采樣平均次數(shù)（4/8/16/32 次）；
   • 采集特性 ：輸入范圍 0~VDD/3（內(nèi)部基準(zhǔn)增益 = 1× 時），數(shù)據(jù)率最高 2008SPS（4 次平均），偏移誤差最大 ±5mV，增益誤差最大 ±1% FSR，適配低幅度傳感器信號采集；
   • 數(shù)據(jù)讀取 ：觸發(fā) ADC 轉(zhuǎn)換后，通過 ADC-DATA 寄存器（0x1E）讀取結(jié)果，ADC-DRDY bit 置 1 表示數(shù)據(jù)有效。
2. 比較器模式（通道 1）
   • 工作模式 ：支持無滯回（CMP-1-MODE=00b）、滯回（01b，通過 MARGIN-HIGH/LOW 設(shè)置閾值）、窗口比較（10b，檢測輸入是否在閾值范圍內(nèi)），輸出可配置為推挽 / 開漏（CMP-1-OD-EN）；
   • 響應(yīng)速度 ：典型 10μs（輸入階躍 ±2LSB，推挽輸出，25pF 負(fù)載），適合快速過壓 / 欠壓檢測；
   • 鎖存功能 ：當(dāng) MARGIN-HIGH = 滿量程或 MARGIN-LOW = 零量程時，比較器輸出鎖存，需通過 RESET-CMP-FLAG-1 bit 復(fù)位，避免誤觸發(fā)。

（三）數(shù)字控制與存儲模塊

1. NVM 與配置存儲
   • 存儲內(nèi)容 ：支持寄存器配置（如增益、輸出范圍、GPIO 功能）存儲至 NVM，上電后自動加載，掉電不丟失，擦寫壽命 20000 次（-40~85°C）、1000 次（125°C）；
   • CRC 校驗 ：NVM 數(shù)據(jù)存儲時自動生成 16 位 CRC（CRC-16-CCITT），上電時校驗，NVM-CRC-FAIL-USER bit 置 1 表示用戶數(shù)據(jù)損壞，需重新編程；
   • 故障轉(zhuǎn)儲 ：觸發(fā) FAULT-DUMP 后，自動保存 CMP-STATUS、DAC 數(shù)據(jù)、ADC 數(shù)據(jù)至 NVM，用于故障后溯源，通過 SRAM 寄存器讀取轉(zhuǎn)儲數(shù)據(jù)。
2. 波形生成與擺率控制
   • 預(yù)定義波形 ：支持三角波（頻率 = 1/(2×TIME_STEP× 步長數(shù))）、鋸齒波（頻率 = 1/(TIME_STEP× 步長數(shù))）、正弦波（24 點 / 周期，頻率 = 1/(24×TIME_STEP)），相位可配置 0°/90°/120°/240°；
   • 擺率控制 ：線性擺率步長 132LSB 可選，時間周期 4μs5.12ms / 步；對數(shù)擺率按 3.125% 比例變化，適合激光功率漸變、傳感器校準(zhǔn)等場景；
   • 同步控制 ：多通道可通過 SYNC-CONFIG-x 寄存器配置同步更新，支持 LDAC 引腳或寄存器觸發(fā)，避免通道間相位差。
3. 接口與 GPIO 控制
   • 自動接口檢測 ：上電后根據(jù)首個通信協(xié)議識別 I2C 或 SPI，I2C 支持 4 個地址（A0 引腳接 AGND/VDD/SDA/SCL），SPI 支持 3 線（默認(rèn)）/4 線（SDO 通過 GPIO 啟用），最高 50MHz 時鐘；
   • GPIO 多功能 ：GPIO/SDO 引腳可配置為 8 種輸入功能（如 PROTECT 觸發(fā)、LDAC 控制、RESET）與 6 種輸出功能（如 ADC-DRDY、DAC-BUSY），支持無通信接口時手動控制，例如配置為 PROTECT 輸入，觸發(fā)后輸出切換至預(yù)設(shè)狀態(tài)。

五、典型應(yīng)用場景

（一）激光二極管（LD）驅(qū)動系統(tǒng)

• 應(yīng)用架構(gòu) ：AFE532A3W 通道 2（IDAC）輸出 200mA 電流驅(qū)動激光二極管，通道 0（電壓輸出 DAC）通過反相運放生成 - 3.3~0V 電壓，控制激光調(diào)制器（EAM）；通道 1（ADC）采集光電二極管反饋信號（通過 RSENSE 電阻轉(zhuǎn)換為電壓），實現(xiàn)功率閉環(huán)控制；
• 關(guān)鍵配置 ：啟用內(nèi)部基準(zhǔn)（EN-INT-REF=1），IDAC 配置 IOUT-GAIN=000b（300mA 量程），DAC_DATA=586d（200mA）；電壓輸出 DAC 增益 = 1×（VDD=3.3V），反相運放增益 - 1，實現(xiàn) - 3.3V 輸出；ADC 啟用 4 次平均，采樣率 1406SPS；
• 可靠性設(shè)計 ：GPIO 配置為 PROTECT 輸入，激光過流時觸發(fā)，IDAC 切換至高阻態(tài)；NVM 存儲配置參數(shù)，上電自動加載，避免重復(fù)初始化。

（二）工業(yè)傳感器信號調(diào)理

• 應(yīng)用架構(gòu) ：傳感器（如壓力傳感器）輸出 01V 信號，經(jīng)通道 1（ADC）采集（輸入范圍 01.1V，VDD=3.3V），通道 0 輸出 0~3.3V 校準(zhǔn)電壓，補(bǔ)償傳感器漂移；通道 2 輸出 100mA 電流為傳感器供電，實現(xiàn) “供電 - 采集 - 校準(zhǔn)” 一體化；
• 關(guān)鍵配置 ：ADC 配置 16 次平均，降低噪聲；電壓輸出 DAC 增益 = 3×（內(nèi)部基準(zhǔn) 1.21V，輸出 0~3.63V），通過 MARGIN-HIGH/LOW 設(shè)置校準(zhǔn)閾值；電流輸出 IOUT-GAIN=001b（220mA 量程），DAC_DATA=384d（100mA）；
• 低功耗優(yōu)化 ：空閑時通道 2 進(jìn)入掉電模式（DAC-PDN-2=11b），電流降至 28μA，適配電池供電的便攜式設(shè)備。

六、設(shè)計指南

（一）電源與去耦

• 電源布局 ：VDD 與 PVDD 短接，采用低阻抗 PCB 走線（建議≥0.2mm 寬），靠近引腳放置 10μF 鉭電容 + 0.1μF 陶瓷電容（X7R 材質(zhì)），CAP 引腳（內(nèi)部 LDO）并聯(lián) 1.5μF 陶瓷電容，抑制電源噪聲；
• 接地設(shè)計 ：AGND（模擬地）與 PGND（功率地）單點連接至 VDD 地，DSBGA 封裝熱焊盤需連接 AGND，打 4 個 0.3mm 過孔（間距 1mm），增強(qiáng)散熱與噪聲隔離；
• 電壓裕量 ：電流輸出時確保 PVDD≥IOUT×R_LOAD+770mV，例如驅(qū)動 200mA/10Ω 負(fù)載，PVDD 需≥200mA×10Ω+0.77V=2.77V，推薦使用 3.3V 供電。

（二）PCB 布局要點

1. 信號隔離 ：模擬信號（VOUT、AIN1、FB1）與數(shù)字信號（SCLK、SDI、SYNC）分開布局，間距≥0.5mm，避免數(shù)字噪聲耦合；電流輸出（IOUT）走線寬≥0.5mm（1oz 銅），減少線路壓降；
2. 反饋設(shè)計 ：通道 1（比較器 / ADC）FB1 引腳走線短且直，避免寄生電容影響比較器響應(yīng)速度；電壓輸出 DAC 的 FB1 引腳（通道 1）需短接至 VOUT1/AIN1，形成閉環(huán)，確保輸出精度；
3. 防護(hù)設(shè)計 ：IOUT 引腳并聯(lián) TVS 管（如 SMBJ5.0CA），防護(hù) ESD；ADC 輸入引腳串聯(lián) 1kΩ 電阻，限制輸入電流，避免傳感器故障時損壞器件。

（三）初始化配置流程

1. 上電后等待 5ms（boot-up 時間，CAP 引腳 1.5μF 電容），通過 I2C/SPI 寫入配置：
   • 啟用內(nèi)部基準(zhǔn)：COMMON-CONFIG 寄存器（0x1F）設(shè)置 EN-INT-REF=1；
   • 配置通道 2（IDAC）：DAC-2-GAIN-CONFIG（0x03）設(shè)置 IOUT-GAIN=000b，DAC-2-DATA（0x19）寫入目標(biāo)電流代碼；
   • 配置通道 0（電壓輸出）：DAC-0-GAIN-CONFIG（0x0F）設(shè)置增益 = 1×，DAC-0-DATA（0x1B）寫入目標(biāo)電壓代碼；
   • 配置通道 1（ADC）：DAC-1-GAIN-CMP-CONFIG（0x15）設(shè)置 CMP-1-EN=1、REF-GAIN-1=001b，ADC-CONFIG-TRIG（0x1D）設(shè)置 ADC-EN=1、ADC-AVG=00b（4 次平均）；
2. 保存配置至 NVM：COMMON-TRIGGER 寄存器（0x20）設(shè)置 NVM-PROG=1，等待 200ms（NVM 編程時間）；
3. 驗證配置：讀取 GENERAL-STATUS 寄存器（0x22），確認(rèn) NVM-BUSY=0、DAC-BUSY=0，配置生效。