引言
HKTD80N06是合科泰用先進溝槽工藝研發(fā)的高性能N型功率MOS管,專門為工業(yè)電源、電機驅(qū)動、新能源設(shè)備等對效率和可靠性要求高的功率相關(guān)電子設(shè)備設(shè)計。它的核心優(yōu)勢是把低導(dǎo)通電阻、強電流承載能力和快開關(guān)速度結(jié)合起來,既能滿足中高壓功率轉(zhuǎn)換的需求,又能通過優(yōu)化的散熱和結(jié)構(gòu)設(shè)計,適配緊湊的PCB電路板布局和惡劣的工作環(huán)境,為各類功率管理系統(tǒng)提供穩(wěn)定、高效的解決方案。
電氣性能
從電氣性能來看,HKTD80N06的功率表現(xiàn)很突出。它的漏極和源極之間的電壓額定值達60伏特,能適配大部分中低壓功率應(yīng)用場景;持續(xù)通過漏極的電流高達80安培,長期工作時能穩(wěn)定驅(qū)動高負載設(shè)備,而短時間脈沖狀態(tài)下通過漏極的電流可達240安培,能應(yīng)對瞬間的高負載沖擊,避免突發(fā)電流波動導(dǎo)致器件損壞;100瓦特的功率損耗進一步保障了器件在高功率輸出時的穩(wěn)定性,減少因功率過載引發(fā)的性能下降。這些參數(shù)讓HKTD80N06在工業(yè)電機驅(qū)動、大功率開關(guān)電源等場景中很適用,不用額外設(shè)計復(fù)雜的功率分流電路,能簡化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。
導(dǎo)通性能
導(dǎo)通性能是HKTD80N06實現(xiàn)低損耗的關(guān)鍵。在柵極電壓10伏特、漏極電流20安培的測試條件下,它導(dǎo)通時漏極和源極之間的電阻最大只有8毫歐,這么低的電阻能大幅減少電流通過時的功率損耗,直接提升整個系統(tǒng)的能效。以工業(yè)電源應(yīng)用為例,HKTD80N06可使導(dǎo)通損耗降低,長期使用能明顯減少設(shè)備發(fā)熱。同時,讓管子開始導(dǎo)通的柵極電壓范圍在2.0伏特到4.0伏特之間,能兼容大部分通用驅(qū)動芯片的輸出電壓,不用額外設(shè)計柵極升壓電路;15西門子的正向跨導(dǎo)確保了柵極電壓變化時,漏極電流的響應(yīng)靈敏度高,能精準控制漏極電流,避免電流波動導(dǎo)致負載運行不穩(wěn)定。
開關(guān)性能優(yōu)化
開關(guān)性能的優(yōu)化讓HKTD80N06適合高頻功率轉(zhuǎn)換場景。在電源電壓25伏特、漏極電流20安培、柵極電阻1.8歐姆的測試條件下,它打開時的延遲時間僅13納秒,關(guān)掉時的延遲時間為35納秒,電流從低到高的時間和從高到低的時間分別低至7.8納秒和15納秒,快開關(guān)速度能減少管子在開關(guān)切換過程中的過渡損耗,尤其適合500千赫茲以上的高頻開關(guān)電源設(shè)計。此外,驅(qū)動?xùn)艠O需要的總電荷為30納庫侖,柵極到漏極的電荷為15納庫侖,這進一步降低了柵極驅(qū)動電路的設(shè)計難度。較少的柵極電荷意味著需要的驅(qū)動電流更低,能選用更小的驅(qū)動芯片,同時減少驅(qū)動回路的功率損耗。
散熱及環(huán)境適應(yīng)
散熱性能和環(huán)境適應(yīng)能力是應(yīng)對惡劣工作條件的重要保障。它的芯片核心溫度范圍覆蓋-55攝氏度到+150攝氏度,不管是低溫嚴寒的戶外設(shè)備場景,還是高溫密閉的工業(yè)控制柜環(huán)境,都能保持穩(wěn)定性能。同時,TO-252外殼兼顧了散熱效率和安裝便利性,能適配高密度的PCB電路板布局,尤其適合對空間要求嚴格的設(shè)備設(shè)計。
總結(jié)
HKTD80N06在設(shè)計上,加入了多項針對性優(yōu)化,采用高密度的內(nèi)部單元設(shè)計和先進溝槽工藝,通過減少柵極電荷和寄生電容優(yōu)化柵極設(shè)計,它具備完全表征的應(yīng)對電壓尖峰的能力,單脈沖雪崩能量達180毫焦,能適配工業(yè)控制、新能源汽車輔助電源等對可靠性要求極高的場景。作為合科泰功率器件系列的重要產(chǎn)品,HKTD80N06不僅在技術(shù)參數(shù)上滿足多樣化的應(yīng)用需求,還通過“性能-成本-易用性”的平衡設(shè)計,為客戶提供高性價比的解決方案。
公司介紹
合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術(shù)及專精特新企業(yè)。專注提供高性價比的元器件供應(yīng)與定制服務(wù),滿足企業(yè)研發(fā)需求。
產(chǎn)品供應(yīng)品類:覆蓋半導(dǎo)體封裝材料、電阻/電容/電感等被動元件;以及MOSFET、TVS、肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復(fù)、橋堆、二極管、三極管及功率器件,電源管理IC及其他,一站式配齊研發(fā)與生產(chǎn)所需。
兩大智能生產(chǎn)制造中心:華南和西南制造中心(惠州7.5萬㎡+南充3.5萬㎡)配備共3000多臺先進設(shè)備及檢測儀器;2024年新增3家半導(dǎo)體材料子公司,從源頭把控產(chǎn)能與交付效率。
提供封裝測試OEM代工:支持樣品定制與小批量試產(chǎn),配合100多項專利技術(shù)與ISO9001、IATF16949認證體系,讓“品質(zhì)優(yōu)先”貫穿從研發(fā)到交付的每一環(huán)。
合科泰在始終以“客戶至上、創(chuàng)新驅(qū)動”為核心,為企業(yè)提供穩(wěn)定可靠的元件。
-
電路板
+關(guān)注
關(guān)注
140文章
5216瀏覽量
105886 -
NMOS管
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
124瀏覽量
6232 -
合科泰
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
160瀏覽量
1029
原文標題:合科泰高性能NMOS管HKTD80N06:技術(shù)規(guī)格與應(yīng)用價值解析
文章出處:【微信號:合科泰半導(dǎo)體,微信公眾號:合科泰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
合科泰MOS管HKTD15N10在功率放大器的應(yīng)用
合科泰場效應(yīng)管HKTD70N04在吸塵器中的應(yīng)用
合科泰高壓場效應(yīng)管HKTD5N50的核心優(yōu)勢
合科泰N溝道增強型MOSFET HKTS80N06介紹
合科泰N溝道MOSFET HKTS80N06在儲能BMS主開關(guān)中的應(yīng)用
合科泰N溝道MOSFET HKTD80N03在電動工具中的應(yīng)用
MOSFET工藝參數(shù)揭秘:合科泰的技術(shù)突圍之道
MOS管在電動牙刷中的應(yīng)用分析
合科泰TO-252封裝的MOS管介紹
合科泰雙NMOS管AO4852的應(yīng)用場景
合科泰MOS管HKTD20N06產(chǎn)品介紹
合科泰NMOS管HKTD80N06的應(yīng)用分析

合科泰高性能NMOS管HKTD80N06的性能
評論