意法半導體 (STMicroelectronics) M24M01E-F 1-Mbit串行I2C總線EEPROM的布局為28K × 8位，電壓范圍為1.6V至5.5V。意法半導體 M24M01E-F還具有1MHz（或更低）的時鐘頻率，可承受-40 °C至+85°C的溫度。M24M01E-F提供三個8位寄存器，器件類型標識符 (DTI) 寄存器永久鎖定在只讀模式下。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：STMicroelectronics M24M01E-F 1Mb串行ILOCK總線EEPROM數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• I^2C^接口
  • 兼容以下I^2C^總線模式
    • 1MHz（快速模式+）
    • 400kHz（快速模式）
    • 100kHz（標準模式）
• 存儲器
  • 1Mbit (128KB) EEPROM
  • 256字節(jié)頁面大小
  • 額外256字節(jié)識別頁面
• 供應管理
  • 寬電壓范圍：1.6V至5.5V
• 溫度
  • 工作溫度范圍：-40°C至+85°C
• 性能
  • 增強型ESD/閉鎖保護
  • 超過4百萬次寫入循環(huán)
  • 數(shù)據(jù)保留超過200年
  • 快速喚醒時間（小于5μs）
• 寫入周期時間快
  • 4ms內(nèi)字節(jié)和頁面寫入（3ms典型值）
• 超低功耗電流消耗
  • 待機模式下為350nA（典型值）
  • 讀取電流：100μA（典型值）
  • 寫入電流：400μA（典型值）
• 高級特性
  • 可配置設備地址寄存器
  • 預編程器件地址（按需）
  • 軟件寫保護寄存器
  • 整個內(nèi)存陣列的硬件寫保護
  • 隨機和順序讀取模式
• 封裝
  • SO8N
  • TSSOP8
  • UFDFPN8 (ECOPACK2)
  • WLCSP5 5焊球

邏輯圖

?M24M01E-F 1Mb I2C EEPROM 關鍵技術解析與應用指南?

?1. 產(chǎn)品概述?

?M24M01E-F? 是意法半導體推出的一款 ?1Mbit? 串行 ?I2C 總線 EEPROM?，采用 ?128K × 8 位? 的組織結(jié)構(gòu)，支持 ?1.6V 至 5.5V? 的寬電壓供電，工作溫度范圍為 ?**-40°C 至 +85°C**?。其核心特點包括：

• ?可配置器件地址?（CDA 寄存器）
• ?軟件寫保護寄存器?（SWP）
• ?預編程器件地址?（可選）
• ?256 字節(jié)獨立識別頁?（可永久鎖定為只讀）
• ?兼容三種 I2C 模式?：標準模式（100kHz）、快速模式（400kHz）、快速模式+（1MHz）。

?2. 關鍵特性詳解?

?2.1 低功耗與高性能?

• ?待機電流?：350 nA（典型值）
• ?讀寫電流?：100 μA（讀）/ 400 μA（寫）
• ?快速寫入周期?：字節(jié)/頁寫入時間 ?**≤4ms**?（典型值 3ms）
• ?數(shù)據(jù)保存期限?：?200 年以上?
• ?寫入耐久性?：超過 ?400 萬次?（每組 4 字節(jié)循環(huán)計數(shù)）。

?2.2 存儲結(jié)構(gòu)?

• ?主存儲陣列?：128 Kbyte（1 Mbit）
• ?頁大小?：256 字節(jié)
• ?識別頁?：獨立 256 字節(jié)空間，支持鎖定保護。

?3. 高級功能寄存器?

? 3.1 器件類型標識寄存器（DTI） ?

• 工廠預編程為 ?10110001b?，永久鎖定為只讀模式。
• 用于在設備選擇碼中定義器件類型地址。

? 3.2 可配置器件地址寄存器（CDA） ?

• 用戶可通過 ?C2、C1 位? 配置 4 種片選地址（00/01/10/11）。
• ? 器件地址鎖定位（DAL） ?：設置為 1 時永久凍結(jié) CDA 寄存器。

? 3.3 軟件寫保護寄存器（SWP） ?

• ? 寫保護激活位（WPA） ?：0=禁用保護，1=啟用保護。
• ? 塊保護位（BP1、BP0） ?：
  • (0,0)：保護存儲器的前 1/4
  • (0,1)：保護前半部分
  • (1,0)：保護前 3/4
• ? 保護模式鎖（WPL） ?：設置為 1 時永久鎖定 SWP 寄存器。

?3.4 識別頁?

• 可獨立讀寫，支持通過鎖定指令永久設為只讀。

?4. 硬件保護機制?

• ? 寫控制引腳（WC） ?：
  • ?高電平?：所有寫入操作禁用
  • ?低電平/懸空?：寫入操作允許。

?5. I2C 通信協(xié)議操作?

?5.1 寫入操作?

• ?字節(jié)寫入?：單字節(jié)寫入后觸發(fā)內(nèi)部寫入周期。
• ?頁寫入?：最多 256 字節(jié)單次寫入（需位于同一頁）。

?5.2 讀取操作?

• ?隨機地址讀?：通過偽寫入加載地址，再啟動讀指令。
• ?順序讀?：連續(xù)讀取自動遞增地址的數(shù)據(jù)。

?6. 電源管理?

• ?上電復位?：VCC 達到內(nèi)部閾值前不響應指令。
• ?掉電保護?：在待機模式下進行掉電操作。

?7. 封裝選項?

• ?SO8N?（150 mil 寬度）
• ?TSSOP8?（169 mil 寬度）
• ?UFDFPN8?（DFN8, 2×3 mm）
• ?WLCSP5?（5 球 wafer 級芯片規(guī)模封裝）。

?8. 典型應用場景?

• ?物聯(lián)網(wǎng)設備?：存儲設備配置參數(shù)（識別頁鎖定保護）。
• ?工業(yè)控制器?：通過 SWP 寄存器保護關鍵參數(shù)。
• ?電池供電設備?：利用超低待機電流延長續(xù)航。