功率MOSFET在電源板上參數(shù)解讀
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SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)
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發(fā)表于 04-23 11:25
MOSFET與IGBT的區(qū)別
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3,就其應(yīng)用,根據(jù)其特點(diǎn):MOSFET應(yīng)用于開關(guān)電源,鎮(zhèn)流器,高頻感應(yīng)加熱,高頻逆變焊機(jī),通信電源等等高頻
發(fā)表于 03-25 13:43
MOSFET開關(guān)損耗計(jì)算
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一文帶你讀懂MOSFET開關(guān)損耗計(jì)算?。。夥e分）
選用 Power MOSFET 設(shè)計(jì)電源時(shí)，大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項(xiàng)參數(shù)做出初步?jīng)Q定。但實(shí)際上，
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本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
發(fā)表于 02-26 14:41
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