onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡。這些數(shù)字晶體管包含一個晶體管和一個單片偏置網(wǎng)絡，單片偏置網(wǎng)絡由兩個電阻器組成，一個是串聯(lián)基極電阻器，另一個是基極-發(fā)射極電阻器。MUN5136數(shù)字晶體管具有簡化電路設計、減少電路板空間和元件數(shù)量的特點。這些數(shù)字晶體管的工作結溫和存儲溫度范圍為-55°C至150°C。

數(shù)據(jù)手冊；*附件：onsemi MUN5136數(shù)字晶體管數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 簡化電路設計
• 減小電路板空間
• 減少組件數(shù)量
• -55°C至150°C工作結點和存儲溫度范圍
• S和NSV前綴用于汽車和其他需要獨特場地和控制變更要求的應用領域
• 符合AEC-Q101標準并具有PPAP功能
• 無鉛、無鹵/無BFR，符合RoHS指令

尺寸圖

引腳配置

MUN5136數(shù)字晶體管技術解析與應用指南

一、器件概述

MUN5136系列是onsemi推出的偏置電阻晶體管（BRT）產(chǎn)品，屬于PNP型數(shù)字晶體管。該系列器件通過單片集成技術將晶體管與偏置電阻網(wǎng)絡結合，內部包含串聯(lián)基極電阻（R1=100kΩ）和基極-發(fā)射極電阻（R2=100kΩ），可替代傳統(tǒng)的分立晶體管加外部偏置電阻方案。

?核心優(yōu)勢?：

• 簡化電路設計
• 節(jié)省板級空間
• 減少元件數(shù)量
• 符合汽車級應用要求（AEC-Q101認證）

二、關鍵電氣參數(shù)

極限參數(shù)（TA = 25°C）

電氣特性（TA = 25°C）

?關斷特性?：

• 集電極-基極截止電流（VCB = 50V）：≤100nA
• 集電極-發(fā)射極截止電流（VCE = 50V）：≤500nA
• 發(fā)射極-基極截止電流（VEB = 6.0V）：≤0.05mA

?導通特性?：

• 直流電流增益（IC=5mA, VCE=10V）：80-150
• 集電極-發(fā)射極飽和電壓（IC=10mA, IB=0.3mA）：≤0.25V
• 輸入電壓（關斷）（VCE=5.0V, IC=100mA）：≤1.2V
• 輸入電壓（導通）（VCE=0.3V, IC=1.0mA）：≥0.5V

三、熱特性分析

不同封裝的熱特性參數(shù)：

? SC-70/SOT-323封裝（MUN5136） ?：

• 總器件功耗@25°C：202-310mW
• 熱阻（結到環(huán)境）：403-618°C/W
• 結溫范圍：-55℃至+150℃

?功率降額曲線?顯示，在環(huán)境溫度升高時，最大允許功耗呈線性下降，150℃時SC-70封裝功耗降至約50mW。

四、封裝選項與引腳配置

MUN5136提供多種封裝選擇，其中? SC-70/SOT-323（CASE 419） ?為主要封裝：

• 引腳1：基極（輸入）
• 引腳2：發(fā)射極（接地）
• 引腳3：集電極（輸出）

其他可用封裝包括SC-59、SOT-23、SC-75和SOT-723，滿足不同應用場景的空間和散熱需求。

五、典型性能特征

根據(jù)數(shù)據(jù)手冊圖表分析：

1. ?飽和電壓特性?：在IC/IB = 10條件下，集電極電流在0-40mA范圍內，VCE(sat)從0.1V增加至10V
2. ?直流電流增益?：隨溫度變化明顯，-55℃時增益最高，150℃時增益衰減
3. ?輸入輸出特性?：輸入電壓與輸出電流呈非線性關系，典型工作區(qū)間為3-10V輸入電壓

六、應用場景建議

工業(yè)控制領域

• 利用50V的高擊穿電壓特性，適合工業(yè)電源控制
• 寬溫度范圍（-55℃至+150℃）保證惡劣環(huán)境下的可靠性

消費電子產(chǎn)品

• 低功耗設計適合電池供電設備
• 小封裝尺寸節(jié)省空間，特別適合便攜設備

汽車電子

• AEC-Q101認證確保汽車級質量要求
• 適合車窗控制、座椅調節(jié)等電機驅動應用

七、設計注意事項

?PCB布局建議?：

• 電源引腳附近放置10μF鉭電容和0.1μF陶瓷電容組合
• 高速信號線長度控制在5cm以內
• 高溫應用需考慮適當?shù)纳岽胧?/li>

?可靠性設計?：

• 工作參數(shù)不應超過最大額定值
• 在高溫環(huán)境下需根據(jù)降額曲線調整工作電流
• 建議在最大工作溫度下留有一定設計余量