據***經濟日報最新消息，聯電（2303）與下一代ST-MRAM（自旋轉移力矩磁阻RAM）領導者美商Avalanche共同宣布，合作技術開發(fā)MRAM及相關28納米產品；聯電即日起透過授權，提供客戶具有成本效益的28納米嵌入式非揮發(fā)性MRAM技術。

此兩家公司成為合作伙伴，共同開發(fā)和生產取代嵌入式存儲器的磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）。同時聯電將透過Avalanche的授權提供技術給其他公司。

聯電根據此合作協議，于28納米CMOS制程上提供嵌入式非揮發(fā)性MRAM區(qū)塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM存儲器模組整合至應用產品，并鎖定在物聯網、穿戴裝置、消費型產品，以及工業(yè)、車用電子市場的微控制器（MCU）和系統單晶片（SoC）上。

兩家公司也正考慮將合作范疇擴展至28納米以下的制程技術，利用Avalanche在CMOS技術的相容及可擴充特性，運用到各個先進制程。使這些統一存儲器（非揮發(fā)性及靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM）能順利地移轉調配到下一世代的高整合性的微控制器（MCU）和系統單晶片（SoC）上。如此一來，系統設計者就可以在同樣的架構及連帶的軟體系統上直接修改而不需重新設計。

聯電先進技術處副總經理洪圭鈞表示，聯電不斷推出持續(xù)精進的制程技術，以提升客戶的競爭優(yōu)勢。隨著嵌入式非揮發(fā)性存儲器NVM解決方案在目前的晶片設計界日趨普及，已經為高成長的行業(yè)，如：新興消費和車用電子應用的客戶，建立了強大且堅實的嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案組合。聯電和Avalanche合作開發(fā)28納米MRAM，期待能將此合作進程推升至聯電客戶的量產階段。