STMicroelectronics VIPerGaN100離線高壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)用于中等功率準(zhǔn)諧振ZVS（開關(guān)接通時零電壓開關(guān)）反激式轉(zhuǎn)換器。它可提供寬范圍的輸出功率，可高達(dá)75W，在歐盟可高達(dá)100W，還可以在前端加PFC。該器件集成一整套功能讓芯片極其靈活且易于使用，能幫助設(shè)計(jì)出高效的離線電源。ZVS準(zhǔn)諧振運(yùn)行具有動態(tài)消隱時間特性和谷值同步功能，始終在漏極諧振谷底開啟電源開關(guān)。在任何輸入線路和負(fù)載條件下，它都可以最大化整體效率并降低開關(guān)損耗。具有低靜態(tài)電流的高級電源管理可實(shí)現(xiàn)低待機(jī)功耗。前饋補(bǔ)償盡量減少了最大輸出峰值功率隨輸入電壓范圍的變化。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：STMicroelectronics VIPerGaN100離線高壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊.pdf

STMicroelectronics VIPerGaN100還具有保護(hù)特性，可顯著提高最終產(chǎn)品的安全性和可靠性。其中包括輸出過壓保護(hù)、過熱保護(hù) (OTP)、過載保護(hù) (OLP)、上電/掉電保護(hù)。這些將輸入電壓電平設(shè)置為轉(zhuǎn)換器上電和斷電。輸入過壓保護(hù) (iOVP) 可在輸入線路異常增加的情況下保護(hù)系統(tǒng)。所有保護(hù)功能都在自啟動模式下。

特性

• 準(zhǔn)諧振 (QR) 反激式控制器
• 650V E-mode功率GaN晶體管
• 嵌入式感應(yīng)FET
• 動態(tài)消隱時間和可調(diào)節(jié)谷值同步延遲功能，可最大限度地提高任何輸入線路和負(fù)載條件下的效率
• 先進(jìn)的電源管理，具有自適應(yīng)突發(fā)模式，待機(jī)功耗低于30mW
• 谷值鎖定，確保恒定谷值跳躍
• 輸出OVP保護(hù)
• 輸入電壓前饋補(bǔ)償，用于獨(dú)立于主電源的OPP穩(wěn)壓
• 上電和掉電保護(hù)
• 輸入OVP保護(hù)
• 嵌入式熱關(guān)斷
• 頻率抖動器，可抑制EMI輻射

典型應(yīng)用

VIPERGAN100離線高壓轉(zhuǎn)換器技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

?一、核心架構(gòu)與技術(shù)創(chuàng)新?

VIPERGAN100是STMicroelectronics推出的集成了650V E-mode GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激式控制器，通過多項(xiàng)專利技術(shù)實(shí)現(xiàn)高頻高效轉(zhuǎn)換：

?1. 零電壓開關(guān)技術(shù)?

• 采用ZVS準(zhǔn)諧振拓?fù)?，在開關(guān)管導(dǎo)通時實(shí)現(xiàn)零電壓切換
• 動態(tài)消隱時間與谷底同步功能結(jié)合，確保開關(guān)始終在漏極諧振谷底導(dǎo)通
• 谷底鎖定技術(shù)避免負(fù)載波動時的"谷底跳躍"現(xiàn)象

?2. 多模式智能調(diào)控?

• ?QR模式?（重載）：工作于DCM/CCM邊界，頻率隨負(fù)載自適應(yīng)
• ?谷底跳過模式?（中載）：通過跳過1/2/3個諧振周期限制最高頻率
• ?頻率折返模式?（輕載）：在VFB電壓下降時線性降低頻率
• ?突發(fā)模式?（極輕載）：開關(guān)頻率可降至數(shù)百赫茲，待機(jī)功耗<30mW

?二、關(guān)鍵引腳配置與功能實(shí)現(xiàn)?

? 核心控制引腳組： ?

• ?TB引腳?：動態(tài)消隱時間調(diào)整與谷底同步
  • 動態(tài)消隱時間公式：TBLANK_dyn = TBLANK + KBLANK × ITB
  • 同步延遲設(shè)置：RDELAY = RTB / (NAUX/NSEC × VOUT/VTB - 1)
• ?ZCD引腳?：變壓器退磁檢測
  • 正沿>110mV觸發(fā)準(zhǔn)備狀態(tài)
  • 負(fù)沿<60mV觸發(fā)GaN導(dǎo)通

? 保護(hù)功能引腳： ?

• ?BR引腳?：輸入電壓跌落保護(hù)
  • 接入阻抗：10-30MΩ優(yōu)化功耗
  • 啟停閾值：VBR-IN=0.5V，VBR-OUT=0.4V
• ?iOVP引腳?：輸入過壓保護(hù)
  • 保護(hù)延遲：TiOVP=250μs

?三、電氣特性與功率設(shè)計(jì)?

? GaN功率器件性能： ?

• 漏源擊穿電壓：650V（瞬態(tài)850V/1μs）
• 導(dǎo)通電阻：RDS(ON)=100mΩ@25℃
• 輸出功率能力：
  • 寬范圍輸入（85-265VAC）：75W
  • 歐洲范圍輸入（185-265VAC）：100W
• 工作頻率范圍：最高240kHz限制

? 熱管理設(shè)計(jì)參數(shù)： ?

• 結(jié)到環(huán)境熱阻：RTH-JA=32℃/W
• 熱關(guān)斷閾值：TSD=140℃
• 重啟時間：TSD-REST=2s

?四、先進(jìn)保護(hù)機(jī)制詳解?

?1. 智能過載保護(hù)系統(tǒng)?

• OLP計(jì)數(shù)器機(jī)制：故障持續(xù)超過TOVL=50ms觸發(fā)保護(hù)
• 內(nèi)部軟啟動時間：TSS=8ms

?2. 多重保護(hù)協(xié)調(diào)工作?

• 輸入OVP、輸出OVP、過溫保護(hù)三合一
• 自動重啟模式避免鎖定狀態(tài)
• 數(shù)字濾波技術(shù)增強(qiáng)抗噪能力

?五、PCB布局關(guān)鍵要點(diǎn)?

? 高頻噪聲抑制策略： ?

• VDD與GND間需就近布置100nF陶瓷電容
• DRV引腳需連接1μF低ESR/ESL電容

? 功率環(huán)路最小化設(shè)計(jì)： ?

• 輸入電容-變壓器-開關(guān)管環(huán)路面積優(yōu)化
• 輔助繞組采樣路徑與主功率路徑隔離

?六、典型應(yīng)用電路配置?

? 全功能配置方案： ?

• TB引腳同時實(shí)現(xiàn)動態(tài)消隱和谷底同步
• 配置參數(shù)需滿足：RDELAY > 750Ω確保功能檢測

? 簡化配置方案： ?

• TB引腳接地可禁用動態(tài)功能
• 設(shè)計(jì)靈活度支持多種組合：
  • 僅動態(tài)消隱
  • 僅谷底同步
  • 全功能禁用

? EMI優(yōu)化技術(shù)： ?

• 頻率抖動調(diào)制：10kHz@50%占空比
• 峰值電流調(diào)制深度：5%

?七、設(shè)計(jì)驗(yàn)證與測試建議?

? 關(guān)鍵參數(shù)驗(yàn)證清單： ?

• 啟動電壓：VSTART=34.5-41V（RHV=10-20MΩ）
• 谷底同步精度：TD-ON范圍197ns-1.1μs
• OVP響應(yīng)時間：需連續(xù)4個振蕩周期確認(rèn)

? 性能優(yōu)化路徑： ?

• 通過ROPP電阻優(yōu)化線電壓前饋補(bǔ)償
• 利用KBLANK增益精細(xì)調(diào)整動態(tài)消隱時間

?八、應(yīng)用場景與選擇指導(dǎo)?

? 適配功率范圍： ?

• 高效電源適配器（45-75W）
• 快速電池充電器
• 工業(yè)/家電輔助電源