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?VIPERGAN65:面向高效電源設計的集成GaN高壓轉換器技術解析

科技觀察員 ? 2025-10-29 09:11 ? 次閱讀
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STMicroelectronics VIPERGAN65高壓轉換器是一款先進的準諧振離線高壓轉換器,設有E-mode GaN HEMT。VIPERGAN65設計用于中等功率準諧振ZVS(開關導通時零電壓開關)反激式轉換器,在寬范圍內提供高達65W輸出功率。VIPERGAN65集成一整套特性,可提供極其靈活、簡單易用的芯片,幫助設計高效離線電源。

數據手冊:*附件:STMicroelectronics VIPERGAN65高壓轉換器數據手冊.pdf

STM VIPERGAN65高壓轉換器可ZVS準諧振操作,具有動態(tài)消隱時間選項和谷值同步功能,可始終在漏極諧振的谷值開啟電源開關。該操作可降低開關損耗,并最大限度地提高任何輸入線路和負載條件下的整體效率。該器件的高級電源管理功能具有低靜態(tài)電流,實現低待機功耗。前饋補償可降低整個輸入電壓范圍內的最大輸出峰值功率變化。

此外,VIPERGAN65演示了對上述功能的保護特性,這些保護特性可大大提高最終產品的安全性和可靠性,包括:輸出過壓保護、過熱保護 (OTP)、過載保護 (OLP)、上電/掉電保護(將輸入電壓電平設置為轉換器上電和斷電),以及輸入過壓保護 (iOVP)——在輸入線路電壓異常增加的情況下保護系統。所有保護功能都在自啟動模式下。

特性

  • 準諧振 (QR) 反激式控制器
  • 650V E-mode功率GaN晶體管
  • 嵌入式感應FET
  • 動態(tài)消隱時間和可調節(jié)谷值同步延遲功能,可最大限度地提高任何輸入線路和負載條件下的效率
  • 谷值鎖定,確保恒定谷值跳躍
  • 先進的電源管理,具有自適應突發(fā)模式,待機功耗低于30mW
  • 輸出OVP保護
  • 輸入電壓前饋補償,用于獨立于主電源的OPP穩(wěn)壓
  • 上電和掉電保護
  • 輸入OVP保護
  • 嵌入式熱關斷
  • 頻率抖動器,可抑制EMI輻射

典型應用

1.png

VIPERGAN65:面向高效電源設計的集成GaN高壓轉換器技術解析?

VIPERGAN65是意法半導體(STMicroelectronics)推出的先進準諧振離線高壓轉換器,集成了650V E-mode GaN HEMT晶體管和控制器,為中等功率電源設計提供了高性能解決方案。本文將從核心特性、工作原理、關鍵功能模塊和典型應用展開技術分析。


?一、核心特性與產品定位?

  1. ?功率拓撲?:專為65W準諧振零電壓開關(ZVS)反激轉換器優(yōu)化,寬電壓范圍內支持最高85W輸出(185-265VAC條件下)
  2. ?能效優(yōu)勢?:
    • 動態(tài)消隱時間與谷底同步功能,確保開關管始終在漏極諧振谷底開啟,顯著降低開關損耗
    • 自適應突發(fā)模式實現低于30mW待機功耗
    • 頻率抖動技術增強EMI抑制能力

?二、關鍵技術創(chuàng)新?

?1. 多模式混合控制架構?

芯片支持四種工作模式自動切換(數據手冊圖10):

  • ? QR模式(重載) ?:在DCM/CCM邊界工作,開關頻率隨負載自動調節(jié)
  • ? 谷底跳過模式(中/重載) ?:通過鎖定特定谷底編號,避免低頻振蕩導致的音頻噪聲
  • ? 頻率折返模式(輕載) ?:通過FB電壓線性降低最大頻率,維持ZVS同時避免音頻噪聲
  • ? 突發(fā)模式(空載/極輕載) ?:通過間歇開關將等效頻率降至數百赫茲

?2. GaN驅動與熱管理?

  • 集成6V精密穩(wěn)壓器為GaN提供最優(yōu)驅動電壓
  • 熱阻參數:結到裸露焊盤(RTH-JEP)為1.5°C/W
  • 過熱保護閾值140°C(典型值),觸發(fā)后休眠2秒

?3. 智能保護機制?

保護類型觸發(fā)條件響應機制
輸出過壓(OVP)ZCD采樣電壓>2.5V4周期數字濾波后鎖定,重啟時間1秒

?三、引腳功能深度解析?

? 關鍵引腳配置(對應數據手冊表1): ?

  • ? HV引腳(啟動管理) ?:連接10-30MΩ電阻至主總線,確保高壓啟動發(fā)生器偏置
  • ? TB引腳(動態(tài)時序控制) ?:
    • ?開態(tài)?:通過RTB電阻監(jiān)測輔助繞組電壓,生成輸入電壓相關信號
    • ?關態(tài)?:與RDELAY構成分壓器,精確調節(jié)谷底同步延時

?保護引腳協同設計?:

  • BR(Brown-in/out)與iOVP(輸入過壓)支持四種配置組合(表7),可根據應用需求靈活選擇

四、PCB布局關鍵建議?

  1. ?信號與功率分離?:將信號走線與功率走線分層布置
  2. ?濾波電容布局?:
    • VDD-GND間需就近放置100nF陶瓷電容
    • DRV引腳需配置1μF低ESR/ESL陶瓷電容

?五、應用場景拓展?

  • ?高能效電源適配器?:支持USB-PD等快充協議
  • ?家電輔助電源?:滿足低待機功耗要求
  • ?工業(yè)與照明電源?:利用GaN高頻特性減小磁性元件尺寸
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