DAC539E4W是10位智能數(shù)模轉換器（DAC），具有四通道可編程比較器輸入和四通道通用輸出。查找表將比較器輸入映射到 GPO。該DAC539E4W還支持可編程延遲，以允許輸入轉換穩(wěn)定。這些設備提供用于存儲配置的 NVM。這種智能 DAC 無需使用 LUT 和 NVM 的處理器（無處理器作）即可運行。

該器件具有自動檢測的SPI和I2C接口以及內部基準電壓源。該智能DAC的功能集與小巧的封裝和低功耗相結合，是故障管理應用的絕佳選擇。
*附件：dac539e4w.pdf

特性

• 四通道比較器輸入
• 10位獨立比較器閾值
  • 1 LSB DNL
  • 收益為 1 ×、1.5 ×、2 ×、3 ×和 4 ×
• 四通道通用輸出 （GPO）
• 基于查找表 （LUT） 的比較器到 GPO 映射
• 自動檢測 SPI 和 I2C 接口
  • 1.62V VIH，VDD = 5.5V
• MODE 引腳，用于在編程和獨立模式之間進行選擇
• 用戶可編程非易失性存儲器 （NVM）
• 參考：內部、外部、VDD
• 工作范圍廣
  • 電源：1.8V 至 5.5V
  • 溫度：–40°C 至 +125°C
• 小包裝：
  • 16 引腳 DSBGA：1.76mm × 1.76mm，標稱值

參數(shù)

方框圖

DAC539E4W 是德州儀器（Texas Instruments）推出的 10 位智能數(shù)模轉換器（DAC），主打多通道比較器、查找表（LUT）驅動的獨立故障管理功能，支持自動檢測 I2C/SPI 接口，適配低功耗、小尺寸需求的工業(yè)與消費電子場景。其核心優(yōu)勢在于無需處理器即可實現(xiàn)故障監(jiān)測與輸出控制，結合高集成度與寬環(huán)境適應性，成為無線電動工具、掃地機器人、空氣凈化器等設備的理想選擇。以下從核心特性、性能參數(shù)、功能模塊、應用設計及使用信息等方面展開總結。

一、核心特性與產(chǎn)品定位

1. 基礎參數(shù)與架構

• 分辨率與通道配置 ：10 位分辨率，4 路獨立閾值 DAC 與 4 路比較器輸入（AIN0-AIN3），4 路通用輸出（GPO0-GPO3），支持比較器輸出到 GPO 的 LUT 映射，實現(xiàn)自定義故障響應邏輯。
• 低功耗與寬電壓 ：工作電壓 1.8V-5.5V，靜態(tài)電流典型值 170μA（睡眠模式低至 28μA），掉電模式功耗僅 190mW；內部集成低壓差穩(wěn)壓器（LDO），CAP 引腳需外接 1.5μF 旁路電容保障穩(wěn)定性。
• 高集成度 ：內置 1.21V 高精度電壓基準（溫度漂移最大 50ppm/°C）、1.2288MHz 內部振蕩器（時鐘可輸出）、非易失性存儲器（NVM），支持配置參數(shù)掉電保存，減少外部元器件數(shù)量。

2. 環(huán)境適應性與可靠性

• 工作溫度 ：-40°C 至 125°C（結溫最高 150°C），滿足工業(yè)級寬溫需求，適配惡劣環(huán)境下的故障監(jiān)測。
• ESD 防護 ：人體放電模型（HBM）±2000V，帶電器件模型（CDM）±500V，符合 JEDEC 抗靜電標準，降低裝配與使用過程中的損壞風險。
• 封裝規(guī)格 ：16 引腳 DSBGA（YBH 封裝），尺寸僅 1.76mm×1.76mm，最大高度 0.4mm，底部無引腳（球柵陣列），適配高密度 PCB 布局，尤其適合空間受限的消費電子設備。

二、關鍵性能指標

1. 閾值 DAC 靜態(tài)性能（典型值，TA=25°C，VDD=5.5V，增益 = 1×）

2. 比較器與動態(tài)性能

• 比較器偏移誤差 ：±6mV（TA=25°C，外部基準），10 年漂移典型值 4mV，保障長期監(jiān)測精度。
• 響應時間 ：10μs（10%-90% 輸出跳變，25pF 負載，推挽模式），快速捕捉故障信號。
• 輸入范圍 ：高阻模式下為 VREF/3，有限阻抗模式下為全量程（0-VREF× 增益），適配不同電壓監(jiān)測場景。

三、核心功能模塊

1. 閾值 DAC 與比較器

• 閾值配置 ：每路 DAC 支持獨立增益（1×、1.5×、2×、3×、4×）與參考選擇（VDD、內部 1.21V、外部 MODE 引腳），通過 DAC-x-DATA 寄存器設置閾值電壓，計算公式如下：
  • 以 VDD 為參考：VTHLD?**=210DA C _DATA ? ×VDD**?
  • 以內部基準為參考：
• 比較器模式 ：支持無滯回、可編程滯回（通過 DAC-x-MARGIN-HIGH/LOW 配置）、鎖存模式，輸出可配置為推挽 / 開漏（CMP-x-OD-EN）、是否反相（CMP-x-INV-EN），滿足不同負載與邏輯電平需求。

2. 查找表（LUT）與故障管理

• LUT 映射 ：16 組 LUT 配置（LUT-0-DATA 至 LUT-15-DATA），將 4 路比較器輸出（2?=16 種組合）映射為 4 路 GPO 輸出，支持自定義故障響應（如告警、停機、切換模式），配置參數(shù)可存儲于 NVM，掉電不丟失。
• 可編程延遲 ：通過 LOOP-WAIT 寄存器設置比較器輸出到 GPO 的延遲（范圍 0.078μs-41ms），公式為DELAYTI ME = 25.6 ×1062LOOP** REFRESH**+1?，避免輸入信號跳變導致的誤觸發(fā)。

3. 數(shù)字接口與 NVM

• 自動接口檢測 ：4 路 GPO 引腳復用為通信接口，上電后自動識別 I2C 或 SPI 協(xié)議，無需硬件配置：
  • I2C 模式：支持標準模式（100kHz）、快速模式（400kHz）、快速模式 +（1MHz），A0 引腳可配置 4 種地址（AGND/VDD/SDA/SCL）。
  • SPI 模式：3 線（默認）/4 線（SDO 使能），最高時鐘 50MHz（寫操作）、2.5MHz（讀操作），支持菊花鏈級聯(lián)多器件。
• NVM 與配置安全 ：NVM 支持 20000 次擦寫（85°C）、50 年數(shù)據(jù) retention，配置寫入時自動生成 16 位 CRC（CRC-16-CCITT）校驗，檢測數(shù)據(jù)損壞；寄存器鎖定功能（DEV-LOCK）防止誤寫，需通過解鎖碼（0101b）解除鎖定。

四、電源與功耗

1. 電源需求

2. 功耗分布

• 正常模式 ：總功耗約 0.56mW（VDD=3.3V，4 路 DAC 使能），開啟比較器與 LUT 后增至 1.53mW。
• 睡眠模式 ：內部基準關閉，外部基準 5.5V 時功耗 28μA，適合設備待機時的低功耗監(jiān)測。

五、應用設計要點

1. 電源與基準設計

• 供電架構 ：VDD 推薦使用線性穩(wěn)壓器（如 TPS7A02）或低噪聲 DC/DC（如 TPS62803），避免開關噪聲耦合至模擬信號；CAP 引腳需靠近器件放置 1.5μF X7R 陶瓷電容，保障 LDO 輸出穩(wěn)定。
• 基準選擇 ：優(yōu)先使用內部 1.21V 基準（需設置 EN-INT-REF=1），若需更高精度可外接 1.8V-VDD 范圍的外部基準（MODE 引腳），注意外部基準需在 VDD 穩(wěn)定后上電，避免損壞器件。

2. PCB 布局

• 信號分區(qū) ：將模擬信號（AIN0-AIN3、OUT0-OUT3）與數(shù)字信號（GPO、通信引腳）分開布線，模擬地（AGND）與數(shù)字地單點連接，減少串擾；VDD 引腳旁放置 0.1μF 去耦電容，CAP 引腳電容需直接連接 AGND。
• 封裝焊接 ：DSBGA 封裝需采用激光鋼網(wǎng)（厚度 0.075mm），焊盤直徑 0.2mm，焊接后需檢查焊點完整性，避免虛焊導致的基準漂移或通信故障。

3. 初始化與配置

• 模式切換 ：通過 MODE 引腳選擇工作模式：
  • 編程模式（MODE 拉低）：配置 NVM 參數(shù)、LUT 映射、比較器閾值，支持 I2C/SPI 接口自動檢測。
  • 獨立模式（MODE 拉高）：無需處理器，根據(jù) NVM 配置自動運行，比較器監(jiān)測 AIN 輸入，LUT 驅動 GPO 輸出故障響應。
• 關鍵寄存器配置 ：
  • 比較器使能：設置 DAC-x-VOUT-CMP-CONFIG 寄存器的 CMP-x-EN=1，配置輸出模式（推挽 / 開漏）與輸入阻抗（高阻 / 有限阻抗）。
  • LUT 配置：通過 SRAM 寫入 LUT-x-DATA 寄存器（共 16 組），定義比較器輸入組合對應的 GPO 輸出狀態(tài)（如 0b0011 表示兩路故障告警）。
  • NVM 保存：配置完成后，設置 COMMON-TRIGGER 寄存器的 NVM-PROG=1，將參數(shù)寫入 NVM，掉電后自動加載。