8 月 9 日是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)極具里程碑的日子，這天，禁錮數(shù)十年的高端生產(chǎn)技術(shù)被中芯國(guó)際一紙財(cái)報(bào)公開(kāi)書(shū)文末，“14 納米 FinFET 技術(shù)已導(dǎo)入客戶”短短幾行字給徹底解放，正式宣示中芯 14 納米制程研發(fā)成功，這也是中國(guó)目前最高端的芯片制造工藝技術(shù)的正式落地。

而這一天，是中芯聯(lián)合首席執(zhí)行官梁孟松加入中芯后第 298 天。而中芯口中這位神秘的“客戶”，業(yè)界推測(cè)，中國(guó)第一大 IC 設(shè)計(jì)公司海思半導(dǎo)體的呼聲極高。

臺(tái)積電、三星拼 7 納米肉搏戰(zhàn)，中芯 14 納米將快速追上

對(duì)比臺(tái)積電、三星電子今年進(jìn)入 7 納米技術(shù)肉搏戰(zhàn)，中芯國(guó)際從 28 納米走到 14 納米 FinFET 技術(shù)節(jié)點(diǎn)的進(jìn)展看似是順?biāo)兄?，但這一步也走了許多年，直到 2017 年 10 月 16 日延攬前三星、臺(tái)積電研發(fā)高層梁孟松加入，中國(guó)的高端技術(shù)工藝突破口才曙光乍現(xiàn)。

中芯國(guó)際在 8 月 9 日發(fā)布最新一季度財(cái)務(wù)報(bào)告明確宣布，14 納米 FinFET 技術(shù)獲得重大進(jìn)展，第一代 14 納米 FinFET 技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入生產(chǎn)階段，而在 28 納米工藝節(jié)點(diǎn)上，除了 PolySiON 技術(shù)和 HKC 技術(shù)外，28 納米 HKC + 技術(shù)也完成開(kāi)發(fā)，同時(shí) HKC 技術(shù)持續(xù)上量且良率顯著提升。

雖然中芯國(guó)際沒(méi)有透露這位“客戶”的身份，但根據(jù)行業(yè)內(nèi)人士判斷，第一個(gè)捧場(chǎng)中芯 14 納米 FinFET 技術(shù)的客戶由海思出線的機(jī)率極高，另外，也傳出高通和博通兩大 IC 設(shè)計(jì)公司也是中芯亟欲網(wǎng)羅進(jìn)入“14 納米家族”的兩大目標(biāo)群。

中芯國(guó)際成功研發(fā) 14 納米并進(jìn)入生產(chǎn)后，將成為中國(guó)自主研發(fā)的最高端工藝技術(shù)，追平臺(tái)積電位于南京采用 16 納米 FinFET 技術(shù)生產(chǎn)的 12 寸廠。再者，以全球半導(dǎo)體技術(shù)陣營(yíng)的角度來(lái)看，中芯在 14 納米 FinFET 技術(shù)上的成功，將會(huì)開(kāi)始用力追趕聯(lián)電，給對(duì)方不小壓力，加上聯(lián)電也計(jì)劃到上海 A 股進(jìn)行上市，未來(lái)彼此交鋒的機(jī)率只會(huì)多、不會(huì)少。

2015 年時(shí)，中芯國(guó)際曾與高通、比利時(shí)微電子 imec 合作開(kāi)發(fā) 14 納米技術(shù)工藝，計(jì)劃以跨國(guó)合作的方式來(lái)打造中國(guó)最先進(jìn)的集成電路研發(fā)平臺(tái)，不過(guò)，這樣的合作模式并沒(méi)有成功，直到網(wǎng)羅梁孟松加入中芯后，成為突破中國(guó)半導(dǎo)體制造技術(shù)藩籬的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折。

梁孟松讓成立 18 年的中芯進(jìn)入“轉(zhuǎn)骨期”，業(yè)界認(rèn)為“神乎其技”

8 月 9 日是梁孟松加入中芯國(guó)際的第 298 天，他用了不到一年的時(shí)間，讓停滯將近 4 年的技術(shù)工藝往前大步跨進(jìn)。他究竟是如何辦到的？如何以 298 天的時(shí)間，讓已經(jīng)成立 18 年的中芯國(guó)際進(jìn)入脫胎換骨的“轉(zhuǎn)骨期”，有業(yè)界人士以“神乎其技”來(lái)形容這項(xiàng)得來(lái)不易的成就。

而就在同一天，上海市市委書(shū)記李強(qiáng)也進(jìn)行半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況的調(diào)研，實(shí)地視察半導(dǎo)體制造商中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)旗下的 12 寸晶圓廠上海華力微，以及半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備商供應(yīng)商中微半導(dǎo)體，還有中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)旗下生產(chǎn)智能卡和安全芯片的華大半導(dǎo)體。

圖 | 上海市市委書(shū)記李強(qiáng)調(diào)研中芯國(guó)際，梁孟松（左）和中芯董事長(zhǎng)周子學(xué)陪同介紹

中芯國(guó)際身為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)制造的領(lǐng)頭羊，經(jīng)歷上一任首席執(zhí)行官邱慈云協(xié)助公司將營(yíng)運(yùn)結(jié)構(gòu)大改造后，現(xiàn)在的聯(lián)合首席執(zhí)行官梁孟松和趙海軍，一人負(fù)責(zé)高端技術(shù)研發(fā)，另一人負(fù)責(zé)生產(chǎn)制造的管理，協(xié)力讓中芯國(guó)際突破高端技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)瓶頸。

梁孟松和趙海軍雙雙表示，中芯正處于過(guò)渡時(shí)期，在推進(jìn)技術(shù)，建立平臺(tái)和構(gòu)筑合作關(guān)系上已經(jīng)看到令人鼓舞的初步進(jìn)展，同時(shí)，中芯今年會(huì)朝著高個(gè)位數(shù)的營(yíng)收成長(zhǎng)邁進(jìn)。

如今，梁孟松領(lǐng)軍的研發(fā)團(tuán)隊(duì)已經(jīng)成功將 14 納米 FinFET 導(dǎo)入客戶端應(yīng)用，下一階段目標(biāo)是將該技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，希望 2019 年進(jìn)入量產(chǎn)并且擴(kuò)大客戶群。

中芯國(guó)際在14納米 FinFET奠定基石后，公司指出下一步是推進(jìn)第二代的 FinFET 工藝技術(shù)，以追求更好的 PPAC（power-performance-area-cost）。

業(yè)界期待，梁孟松加入后的中芯國(guó)際在高端技術(shù)上會(huì)快速推進(jìn)，14 納米 FinFET 只是第一步，極可能在2019年就會(huì)緊接著推出第二代的 FinFET 技術(shù)，且因?yàn)榕_(tái)積電、三星都已進(jìn)入 7 納米工藝，為此，第二代 FinFET 可能會(huì)定調(diào)為一個(gè)全新的制程技術(shù)，例如“8 納米”或是“9 納米”工藝節(jié)點(diǎn)，跳過(guò)傳統(tǒng)業(yè)界“10 納米”的命名，也作為和7 納米工藝之間的區(qū)隔。

FinFET 技術(shù)延續(xù)摩爾定律，可一路做到 7 納米工藝

這次讓國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝技術(shù)曙光乍現(xiàn)的 14 納米 FinFET 為什么很重要？這也是中國(guó)第一個(gè)自主研發(fā)的 FinFET 技術(shù)。

細(xì)數(shù)全球量產(chǎn) FinFET 架構(gòu)技術(shù)的半導(dǎo)體大廠包括英特爾、臺(tái)積電、三星、 GlobalFoundries、聯(lián)電等，上一代傳統(tǒng)的 2D 電晶體架構(gòu)發(fā)展至 28 納米工藝節(jié)點(diǎn)后，因其物理限制導(dǎo)致很難再將該技術(shù)往下微縮，現(xiàn)在所謂的 22 納米工藝也都是 28 納米工藝的延續(xù)，因此，28 納米也常被稱(chēng)為是依循傳統(tǒng)摩爾定律的最后一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)。

全新的 FinFET 技術(shù)是 3D 鰭式電晶體架構(gòu)，是目前半導(dǎo)體的主流技術(shù)，也憑借該技術(shù)架構(gòu)延續(xù)摩爾定律的壽命。

英特爾從 22 納米開(kāi)始發(fā)展 FinFET 技術(shù)工藝，三星在 14 納米工藝世代、臺(tái)積電在 16 納米工藝開(kāi)始導(dǎo)入 FinFET 架構(gòu)，聯(lián)電在 14 納米導(dǎo)入，GlobalFoundries 的 14 納米 FinFET 技術(shù)則是與三星做技術(shù)授權(quán)，放眼全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，無(wú)論是 10 納米或是 7 納米工藝，也都是采用 FinFET 技術(shù)架構(gòu)。

中芯國(guó)際的技術(shù)突破，無(wú)疑是為國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入全新動(dòng)能，這不只是心理層面上的激勵(lì)作用，更具有大步向前的實(shí)質(zhì)性意義，凸顯國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一次關(guān)鍵性跨步躍進(jìn)。

延伸閱讀：

中芯國(guó)際Q2總收入8.907億美元

日前，中芯國(guó)際帶來(lái)了2018年第二季度財(cái)報(bào)，并且表示自主的“14nm”工藝已取得重大進(jìn)展，而“28nm”工藝也在穩(wěn)定前進(jìn)。

通過(guò)第二季度財(cái)報(bào)來(lái)看，中芯國(guó)際第二季度總收入8.907億美元，同比增長(zhǎng)18.6％，環(huán)比增長(zhǎng)7.2％；毛利潤(rùn)2.178億美元，同比增長(zhǎng)12.2％，環(huán)比下降1.1％；毛利率24.5％，同比下降1.3個(gè)百分點(diǎn)，環(huán)比下降2.0個(gè)百分點(diǎn)。

中芯國(guó)際的產(chǎn)能利用率為94.1％，比去年同期提高了8.4個(gè)百分點(diǎn)，比前一季度也提高了5.8個(gè)百分點(diǎn)。當(dāng)季出后晶圓125.8萬(wàn)塊，同比增長(zhǎng)24％，環(huán)比增長(zhǎng)16％。

另外據(jù)中芯國(guó)際聯(lián)席CEO趙海軍博士和梁孟松博士透露，中芯國(guó)際已經(jīng)在14nm FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)上獲得重大進(jìn)展，第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。

在28nm工藝方面，現(xiàn)在28nm的HKC版本產(chǎn)量正在持續(xù)上升，良率已達(dá)業(yè)界水準(zhǔn)，并且新一代HKC+技術(shù)開(kāi)發(fā)也已完成，加上“PolySiON”，形成了先進(jìn)的平臺(tái)。

目前28nm工藝在中芯國(guó)際總收入的占比可達(dá)到8.6％，相比去年同期提升2.0個(gè)百分點(diǎn)，相比第一季度提高了6.4個(gè)百分點(diǎn)。

中芯國(guó)際預(yù)期：

季度收入下降4%至6%。不含授權(quán)收入影響，季度收入持平至增加2%。

毛利率介于19%至21%的范圍內(nèi)。

中芯國(guó)際聯(lián)席首席執(zhí)行官，趙海軍和梁孟松評(píng)論說(shuō)，中芯處于蓄勢(shì)過(guò)渡時(shí)期。在推進(jìn)技術(shù)，建立平臺(tái)和構(gòu)筑合作關(guān)系上我們看見(jiàn)令人鼓舞的初步進(jìn)展。同時(shí)，我們向今年高個(gè)位數(shù)的收入成長(zhǎng)目標(biāo)邁進(jìn)。隨著需求和產(chǎn)能利用率在二季度回升，不包含技術(shù)授權(quán)收入的中國(guó)區(qū)收入環(huán)比和同比成長(zhǎng)了14%和38%。作為中國(guó)首選晶圓代工伙伴，我們相信必將受惠于中國(guó)晶片市場(chǎng)的成長(zhǎng)機(jī)遇。

中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（“中芯國(guó)際”，紐交所代號(hào)：SMI，港交所股份代號(hào)：981），是一家集成電路晶圓代工企業(yè)，提供0.35微米到28納米不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。中芯國(guó)際總部位于上海，擁有全球化的制造和服務(wù)基地。 在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm晶圓廠；在北京建有一座300mm晶圓廠和一座控股的300mm先進(jìn)制程晶圓廠；在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠；在江陰有一座控股的300mm凸塊加工合資廠；在意大利有一座控股的200mm晶圓廠。中芯國(guó)際還在美國(guó)、歐洲、日本和***地區(qū)設(shè)立行銷(xiāo)辦事處、提供客戶服務(wù)，同時(shí)在香港設(shè)立了代表處。