蘋(píng)果iPhone X中的意法半導(dǎo)體ToF接近傳感器和泛光照明器，其專利保護(hù)的主要技術(shù)特征有哪些呢？

蘋(píng)果iPhone X：一身傳感新科技蘋(píng)果iPhone X發(fā)售于2017年11月，標(biāo)志著iPhone產(chǎn)品線誕生十周年。新一代產(chǎn)品伴隨多項(xiàng)新科技的出現(xiàn)，使iPhone X變得如此獨(dú)一無(wú)二。我們能看到的主要新功能包括：“劉?！逼聊辉O(shè)計(jì)、OLED顯示屏、先進(jìn)的深度攝像頭以及實(shí)現(xiàn)3D人臉識(shí)別的光學(xué)陣列傳感器。據(jù)麥姆斯咨詢介紹，除了這些新功能外，iPhone X還擁有數(shù)量驚人的各種傳感器，尤其是那些集成在iPhone X“劉?！敝械暮诵慕M件。

在這塊傳感區(qū)域中包括了：紅外攝像頭、泛光照明器、接近傳感器和環(huán)境光傳感器，以及前置攝像頭、點(diǎn)陣投影器、揚(yáng)聲器和MEMS麥克風(fēng)。為了實(shí)現(xiàn)如此復(fù)雜的解決方案，Apple成功構(gòu)建并管理了由多家領(lǐng)先廠商組成的強(qiáng)大供應(yīng)鏈網(wǎng)絡(luò)。iPhone X中的飛行時(shí)間（ToF）接近傳感器和泛光照明器就是這個(gè)強(qiáng)大供應(yīng)鏈的合作成果。事實(shí)上，制造這兩款組件需要三家公司的通力合作：意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）、飛利浦（Philips）以及Lumentum。對(duì)于一款如此復(fù)雜的組件，了解每位廠商專利保護(hù)的技術(shù)特征、IP位置和專利策略至關(guān)重要。

iPhone X中的意法半導(dǎo)體接近傳感器主要封裝特征根據(jù)Yole此前發(fā)布的《3D成像和傳感-2018版》報(bào)告，消費(fèi)類應(yīng)用、汽車電子、工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用等其它高端市場(chǎng)將推動(dòng)3D成像和傳感市場(chǎng)高速增長(zhǎng)，2016~2023年消費(fèi)類3D成像和傳感市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率高達(dá)82%。iPhone X中的相關(guān)傳感器是第一批集成在手機(jī)中的3D成像和傳感器件，目前已經(jīng)吸引了多家安卓廠商跟進(jìn)。

在本報(bào)告中，Yole旗下子公司Knowmade和System Plus Consulting攜手，為深入了解iPhone X接近傳感器和泛光照明器制造所涉及的廠商的角色、專利動(dòng)態(tài)和專利策略提供了重要信息。System Plus Consulting對(duì)包含在同一個(gè)封裝中的這兩個(gè)組件，都進(jìn)行了完整拆解和逆向分析，揭示了它們的主要技術(shù)特征?；谶@些拆解分析，Knowmade檢索并確定了與這些技術(shù)最接近的專利，并介紹了其中受專利保護(hù)的主要專有特征。

本報(bào)告的研究方法

為了揭示iPhone X接近傳感器和泛光照明器的主要技術(shù)特征，Knowmade深入分析了意法半導(dǎo)體、Lumentum和飛利浦的專利組合，分別對(duì)它們的專利進(jìn)行了：- 相關(guān)專利篩選；- 全球?qū)＠治?，以了解各廠商的專利策略和專利地位；- 深入分析了和iPhone X產(chǎn)品相關(guān)的專利。

意法半導(dǎo)體的專利組合本報(bào)告主要內(nèi)容識(shí)別涉及iPhone X接近傳感器和泛光照明器制造的專利權(quán)人。挖掘這些專利權(quán)人的專利策略和地位。從意法半導(dǎo)體的專利組合，到Lumentum專注于垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）的專利，共檢索出了500多件與iPhone X飛行時(shí)間傳感器和VCSEL相關(guān)的發(fā)明專利。通過(guò)對(duì)廠商在其專利競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境中的定位，以及專利公布數(shù)量和各個(gè)國(guó)家的專利布局，幫助我們了解各廠商的專利地位。

分析專利權(quán)人與產(chǎn)品密切相關(guān)的專利

本報(bào)告提供了意法半導(dǎo)體、Lumentum和飛利浦專利技術(shù)特征的深入解析。尤其是與iPhone X接近傳感器和泛光照明器相關(guān)的專利，每一件都進(jìn)行了詳細(xì)解讀，并突出了這些專利的主要技術(shù)特征，及其對(duì)制造工藝、器件性能和成本的影響。