來源：由半導(dǎo)體行業(yè)觀察編譯自semiengineering

研究人員專注于限制數(shù)據(jù)移動以減少邊緣設(shè)備的功耗和延遲。在大眾媒體中，“人工智能”通常意味著在昂貴且耗電的數(shù)據(jù)中心運行的大型語言模型。然而，對于許多應(yīng)用程序來說，在本地硬件上運行的小型模型更為合適。自動駕駛汽車需要實時響應(yīng)，避免數(shù)據(jù)傳輸延遲。醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用通常依賴于無法與第三方共享的敏感數(shù)據(jù)。盡管邊緣人工智能應(yīng)用速度更快、更安全，但它們的計算資源卻非常有限。它們無法擁有 TB 級的內(nèi)存空間或幾乎無限的計算能力。對于數(shù)據(jù)中心來說，這些限制可能有些抽象，但卻對邊緣人工智能施加了嚴(yán)格的限制。在2025年IEEE國際內(nèi)存研討會的一篇受邀論文及其后續(xù)預(yù)印本中，蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院計算機科學(xué)教授Onur Mutlu及其同事指出，在典型的移動工作負(fù)載中，數(shù)據(jù)在內(nèi)存中的移動占總能耗的62%，這一比例令人震驚。內(nèi)存是硬件資源的最大消耗者，而且遙遙領(lǐng)先，但內(nèi)存延遲往往是執(zhí)行時間的最大貢獻者。多年來，器件規(guī)模的擴大一直是降低功耗的關(guān)鍵，但現(xiàn)在卻使問題更加嚴(yán)重。Mutlu 表示，規(guī)模龐大的 DRAM 穩(wěn)定性較差，需要更頻繁的刷新周期。大型內(nèi)存陣列的訪問難度也更大，因為帶寬的增長速度不如內(nèi)存條本身的增長速度快。內(nèi)存和近內(nèi)存計算提供了可能的解決方案。即使是商用的現(xiàn)成 DRAM，只要軟件基礎(chǔ)設(shè)施支持，也可以執(zhí)行原始的數(shù)據(jù)復(fù)制、初始化和按位邏輯運算。

混合解決方案結(jié)合了RRAM和鐵電體

然而，DRAM刷新功率的問題仍然存在。在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中，訓(xùn)練和推理任務(wù)都會重復(fù)使用存儲的權(quán)重矩陣。然而，兩者的要求卻截然不同。正如 CEA-Leti 的 Michele Martemucci 及其同事所解釋的那樣，訓(xùn)練任務(wù)涉及對權(quán)重矩陣進行多次小幅更新，使其逐漸收斂到穩(wěn)定值。這些任務(wù)需要具有高寫入耐久性和存儲精確值能力的內(nèi)存。相比之下，推理任務(wù)使用穩(wěn)定不變的權(quán)重矩陣，但可能會將其多次應(yīng)用于輸入數(shù)據(jù)。推理任務(wù)受益于具有高讀取耐久性的非易失性存儲器。在這兩種情況下，近內(nèi)存計算都需要與標(biāo)準(zhǔn) CMOS 邏輯工藝兼容的設(shè)備。RRAM 是一種簡單的器件，依靠氧化層中形成的導(dǎo)電細(xì)絲來實現(xiàn)極高的讀取耐久性。通過精心設(shè)計的編程方案，它們可以存儲模擬值，從而減小存儲器陣列的大小。Martemucci 表示，RRAM 技術(shù)已經(jīng)足夠成熟，可以在邊緣推理場景中進行商業(yè)部署。遺憾的是，RRAM 的寫入耐久性相對較低。隨著時間的推移，編程脈沖會模糊存儲值之間的電阻差異。設(shè)計人員通常使用傳統(tǒng)硬件訓(xùn)練模型，然后將預(yù)先計算的權(quán)重加載到 RRAM 陣列中。然而，在許多應(yīng)用中，邊緣設(shè)備需要具備“學(xué)習(xí)”能力。它要么需要根據(jù)用戶的特定需求進行訓(xùn)練，要么需要修改模型以反映實際流程的變化。與此同時，鐵電電容器支持非?？焖俚拈_關(guān)和極高的寫入耐久性。它們可以輕松承受訓(xùn)練任務(wù)中遇到的頻繁寫入操作。然而，雖然存儲的值是非易失性的，但讀取操作卻具有破壞性。Martemucci 表示，這些設(shè)備不適合長期存儲權(quán)重矩陣，也不適合需要頻繁讀取操作的推理任務(wù)。將鐵電晶體管集成到CMOS工藝中非常復(fù)雜，需要高溫工藝和額外的掩模層。鐵電電容器和隧道結(jié)則簡單得多，這使得多個研究小組能夠?qū)RAM和鐵電結(jié)構(gòu)結(jié)合起來。例如，在今年的VLSI技術(shù)研討會上，SK海力士的研究人員展示了一種兼具電阻和鐵電開關(guān)功能的混合鐵電隧道結(jié)（FTJ）。在傳統(tǒng)的FTJ中，頂部和底部電極之間的隧道勢壘取決于鐵電極性。SK海力士的器件將鐵電鉿鋯氧化物（HZO）層夾在兩個電極之間，鉭層用作氧空位儲存器。鉭層附近的導(dǎo)電細(xì)絲在器件頂部提供歐姆導(dǎo)電，從而降低了鐵電隧道勢壘的有效厚度。這些器件實現(xiàn)了精確的模擬乘法累加運算，效率高達(dá)每瓦224.4萬億次運算（TOPS/W）。在另一種混合方法中，Martemucci 團隊將摻雜硅的 HfO2電容器與鈦氧清除層結(jié)合到標(biāo)準(zhǔn) CMOS BEOL 工藝中。這些器件最初表現(xiàn)為鐵電電容器，其中一些器件接收一次性“喚醒”脈沖以穩(wěn)定鐵電響應(yīng)。同時，電容器陣列的另一部分經(jīng)過一次性“成型”工藝，形成由氧空位構(gòu)成的導(dǎo)電細(xì)絲。鈦層充當(dāng)氧空位儲存器，防止細(xì)絲溶解。由此產(chǎn)生的憶阻器器件可以在高阻和低阻狀態(tài)之間切換。圖 1：金屬-鐵電-金屬疊層既可以用作 FeCAP，也可以用作憶阻器鐵電電容器充當(dāng)二進制元件，存儲用于訓(xùn)練計算的高精度權(quán)重。憶阻器存儲的模擬權(quán)重精度足以應(yīng)對推理任務(wù)。在訓(xùn)練過程中，憶阻器陣列每完成100個輸入步驟后更新一次，而鐵電陣列則持續(xù)更新。訓(xùn)練此結(jié)構(gòu)進行標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字識別任務(wù)所需的寫入操作總數(shù)比憶阻器耐久性小17倍，比鐵電電容器耐久性小75倍，而能耗比持續(xù)更新憶阻器陣列所需能耗低38倍。

人工智能不僅僅是神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)內(nèi)存計算不僅可以提高傳統(tǒng)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計算的能效，還能促進其他建模方法的發(fā)展。例如，許多計算難度高的問題可以建模為伊辛玻璃，即一組連接的節(jié)點共同演化到最低能量狀態(tài)。[ ? 4] 現(xiàn)實世界中，這類問題可能涉及數(shù)千甚至數(shù)百萬個連接。解決伊辛玻璃問題是量子計算最引人入勝的潛在應(yīng)用之一。更傳統(tǒng)的方法是，在去年的IEEE電子設(shè)備會議上，德克薩斯大學(xué)研究員Tanvir Haider Pantha和他的同事們提出構(gòu)建一個三維結(jié)構(gòu)，將FeFET融入CMOS邏輯工藝的BEOL（后道工藝）。每個節(jié)點由四個交叉耦合的FeFET組成，可以存儲一個有符號的模擬值，該值映射到待解決問題的伊辛耦合矩陣。每個節(jié)點的輸出是其相鄰節(jié)點的輸入，從而在整個網(wǎng)絡(luò)中建立振蕩，最終達(dá)到穩(wěn)定的最小能量配置。圖 2：四個交叉耦合雙柵 FeFET 構(gòu)成相變納米振蕩器。提出的伊辛玻璃模型每個節(jié)點使用其中一種結(jié)構(gòu)

內(nèi)存計算需要新框架傳統(tǒng)的 CPU 和 GPU 是通用設(shè)備。只需更改軟件即可應(yīng)用于許多不同的問題。近內(nèi)存和內(nèi)存加速器目前與其預(yù)期任務(wù)密不可分。伊辛玻璃求解器、點云網(wǎng)絡(luò)和圖像識別網(wǎng)絡(luò)將以不同的方式處理數(shù)據(jù)，需要不同的硬件設(shè)計。據(jù) Mutlu 稱，內(nèi)存計算的下一步將需要能夠重新映射內(nèi)存訪問以滿足特定問題要求的軟件框架。反過來，這些框架將需要能夠獨立于外部內(nèi)存控制器進行自我管理的內(nèi)存硬件。

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