仁懋電子(MOT)推出的 MOT30100D 是一款面向大電流整流場景的肖特基勢壘二極管,憑借 30A 連續(xù)電流承載能力、100V 反向耐壓及低正向壓降特性,廣泛適用于開關電源、整流器、電池充電器等領域。以下從品牌定位、器件特性、電氣參數(shù)等維度展開詳細說明。
一、品牌背景:仁懋電子(MOT)與肖特基整流器件布局
仁懋電子(MOT)聚焦功率半導體全品類研發(fā),在大電流肖特基二極管領域具備技術積累,產(chǎn)品以 “低損耗、高魯棒性” 為核心優(yōu)勢,服務于電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)控制、消費電子等場景。MBR 系列(此處 MOT30100D 屬于同類型肖特基產(chǎn)品線)是其大電流整流器件的代表,針對 30A/100V 整流需求優(yōu)化了正向壓降與熱穩(wěn)定性,在高頻整流、大電流續(xù)流等場景中表現(xiàn)突出。
二、MOT30100D 基本信息
MOT30100D 是肖特基勢壘整流二極管,核心定位 “30A 級高效整流器件”,適配 100V 系統(tǒng)的大電流整流需求(如開關電源輸出整流、逆變器續(xù)流等)。其核心特性包括:
- 電壓適配:峰值反向耐壓(VRRM)達 100V,兼容中壓大電流整流場景;
- 電流能力:連續(xù)正向電流(IF (AV))30A,峰值正向電流(IFM)可達 150A(脈沖寬度≤10ms,占空比≤2%),滿足負載持續(xù)與瞬時電流需求;
- 導通損耗:正向壓降(VF)典型值0.82V@15A(室溫下),顯著降低整流過程中的導通損耗;
- 封裝形式:采用 TO-252 貼片封裝,每卷 2500 片,適配高密度電路板的大電流整流設計;同時提供 TO-251 直插封裝(對應型號 MOT30100C,70 片 / 管),滿足傳統(tǒng)插裝需求。
三、核心特性
MOT30100D 圍繞 “大電流高效整流” 需求打造,具備以下技術優(yōu)勢:
- 低正向壓降:優(yōu)化肖特基勢壘結構,正向?qū)〒p耗大幅降低,提升電源轉(zhuǎn)換效率;
- 無反向恢復時間:肖特基二極管天然無反向恢復時間(trr≈0),適合高頻整流場景(如 100kHz 以上開關電源);
- 高電流密度:30A 連續(xù)電流能力在 TO-252 封裝下實現(xiàn)高集成度,節(jié)省電路板空間;
- 可靠性設計:具備浪涌電流耐受能力,內(nèi)置應力保護 Guard Ring,適應工業(yè)級嚴苛工況;
- 環(huán)保合規(guī)性:無鉛設計,符合 RoHS 標準,適配綠色電子制造要求。
四、關鍵電氣參數(shù)(TA=25℃,除非特殊說明)
1. 最大額定值
- 峰值反向耐壓(VRRM):100V,超過此值易導致器件反向擊穿;
- 連續(xù)正向電流(IF (AV)):30A(TA=25℃),隨環(huán)境溫度升高需降額使用;
- 峰值正向電流(IFM):150A(脈沖寬度≤10ms,占空比≤2%),支持負載瞬時大電流需求;
- 功耗(PD):由正向壓降與電流乘積決定,典型工況下(IF=30A,VF=0.82V)功耗約 24.6W,需搭配散熱措施;
- 結溫范圍(TJ):-55~+175℃,存儲溫度范圍與結溫區(qū)間一致。
2. 電氣特性
- 正向壓降(VF):典型值0.82V@15A,測試條件 TA=25℃,反映導通損耗水平;
- 反向漏電流(IR):典型值60μA@100V(TA=25℃),6mA@100V(TA=125℃),體現(xiàn)器件反向截止性能。
五、封裝與型號釋義
型號 MOT30100D 中,“MOT” 為品牌標識(仁懋電子),“30” 代表30A 連續(xù)正向電流,“100” 代表100V 峰值反向耐壓,“D” 為版本標識(TO-252 貼片封裝,2500 片 / 卷);
- 對應直插型號 MOT30100C 后綴 “C”,采用 TO-251 封裝,70 片 / 管,適配傳統(tǒng)插裝式電路設計。
六、典型應用場景
MOT30100D 憑借 30A 電流與 100V 耐壓特性,典型應用包括:
- 開關電源輸出整流:在 AC-DC、DC-DC 轉(zhuǎn)換器的輸出端作為整流管,低損耗特性提升電源效率;
- 逆變器續(xù)流回路:為逆變器中的感性負載(如電機、電感)提供續(xù)流路徑,無反向恢復特性避免高頻干擾;
- 電池充電器:在大電流電池充電電路中作為整流或防反接二極管,保障充電效率與安全性;
- 大電流直流整流:如工業(yè)設備、電動工具的直流供電回路中,用于交流電整流或電流控制。
七、信息來源
仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(注:上述參數(shù)基于手冊標注整理,實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。)
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