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中科微電ZK4030DG:N+P MOS管領(lǐng)域的Trench工藝性能典范

中科微電半導(dǎo)體 ? 2025-10-30 10:49 ? 次閱讀
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在MOS管技術(shù)持續(xù)演進(jìn)的當(dāng)下,高效、穩(wěn)定、小型化成為行業(yè)核心追求。中科微電憑借對(duì)功率半導(dǎo)體技術(shù)的深耕,推出了一款性能卓越的N+P型MOS管——ZK4030DG。該產(chǎn)品搭載先進(jìn)的Trench(溝槽)工藝,采用PDFN5x6-8L緊湊封裝,在電壓、電流、損耗控制等核心參數(shù)上表現(xiàn)亮眼,為汽車電子、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等多領(lǐng)域的電路設(shè)計(jì)提供了高效解決方案,成為N+P MOS管國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程中的重要標(biāo)桿。
一、參數(shù)拆解:解碼ZK4030DG的硬核性能
MOS管的參數(shù)直接決定其在電路中的適配性與可靠性,ZK4030DG的參數(shù)設(shè)計(jì)精準(zhǔn)契合多場(chǎng)景需求,從正向與反向電氣特性,到關(guān)鍵損耗指標(biāo),每一項(xiàng)數(shù)據(jù)都彰顯著其卓越的性能實(shí)力。
1.電壓電流:覆蓋多場(chǎng)景的額定能力
ZK4030DG的正向額定電壓為40V、額定電流達(dá)30A,反向額定電壓為**-40V**、反向額定電流為**-10A**,且參數(shù)偏差嚴(yán)格控制在±20%以內(nèi)。這一參數(shù)配置極具靈活性,既能滿足12V/24V低壓直流系統(tǒng)(如智能家居電機(jī)驅(qū)動(dòng)、車載輔助設(shè)備)的需求,也能適配48V工業(yè)控制電源場(chǎng)景,有效避免因電壓電流不匹配導(dǎo)致的器件損壞?!?0%的參數(shù)精度則保障了批量生產(chǎn)時(shí)的一致性,降低了電路調(diào)試難度,尤其適合對(duì)穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備與汽車電子系統(tǒng)。
2.損耗控制:低耗高效的關(guān)鍵指標(biāo)
在能量損耗控制方面,ZK4030DG展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。正向?qū)▔航担╒f)低至1.3V,即便在13.8A、22.2A、15.4A、30.2A等不同電流負(fù)載下,導(dǎo)通損耗仍維持在極低水平。以20A工作電流計(jì)算,相較于導(dǎo)通壓降1.5V的同類產(chǎn)品,ZK4030DG每小時(shí)可減少0.04Wh能耗,長(zhǎng)期運(yùn)行下來節(jié)能效果十分可觀。反向漏電流(Ir)僅為**-1.5μA**,即便在30.2A、37.7A、37.2A、46.2A等大電流沖擊場(chǎng)景下,漏流依舊穩(wěn)定,避免了因漏流過大引發(fā)的器件發(fā)熱、壽命縮短問題,為設(shè)備長(zhǎng)期可靠運(yùn)行筑牢防線。
3.封裝與工藝:小型化與高性能的協(xié)同
ZK4030DG采用PDFN5x6-8L封裝,5mm×6mm的緊湊尺寸較傳統(tǒng)TO-252封裝體積縮減約40%,能大幅節(jié)省PCB板空間,完美適配便攜式充電器、小型電機(jī)控制器等對(duì)“輕量化”“小型化”要求極高的產(chǎn)品。8引腳設(shè)計(jì)則為功能擴(kuò)展預(yù)留了充足空間,支持更靈活的電路拓?fù)湓O(shè)計(jì)。而Trench工藝的應(yīng)用,更是其性能突破的核心:通過在硅片表面刻蝕深度溝槽,不僅顯著降低了導(dǎo)通電阻(Rds(on)),還優(yōu)化了電場(chǎng)分布,使器件抗浪涌能力提升30%以上,同時(shí)開關(guān)速度加快20%,輕松適配高頻開關(guān)電源、快充電路等場(chǎng)景。


二、技術(shù)深析:Trench工藝如何賦能ZK4030DG?
Trench工藝作為當(dāng)前MOS管領(lǐng)域的先進(jìn)技術(shù),其核心優(yōu)勢(shì)在于“以更小體積實(shí)現(xiàn)更高性能”。ZK4030DG通過對(duì)Trench工藝的深度優(yōu)化,有效解決了傳統(tǒng)平面工藝“導(dǎo)通損耗高、抗沖擊能力弱、開關(guān)速度慢”的痛點(diǎn),實(shí)現(xiàn)了性能與可靠性的雙重飛躍。
1.降低導(dǎo)通損耗,提升能效
傳統(tǒng)平面工藝MOS管的導(dǎo)通電阻主要來源于硅片表面的摻雜層,電流路徑較長(zhǎng),導(dǎo)致導(dǎo)通損耗偏高。而Trench工藝通過溝槽結(jié)構(gòu)將電流“垂直引導(dǎo)”,大幅縮短電流路徑,使導(dǎo)通電阻降低40%-50%。對(duì)ZK4030DG而言,更低的導(dǎo)通電阻意味著在相同電流下,器件發(fā)熱顯著減少。以30A額定電流計(jì)算,其導(dǎo)通功耗僅為39W(1.3V×30A),較平面工藝器件(約45W)降低13%,不僅減少了散熱系統(tǒng)的設(shè)計(jì)成本,還延長(zhǎng)了器件使用壽命。
2.優(yōu)化電場(chǎng)分布,增強(qiáng)抗沖擊能力
MOS管在實(shí)際應(yīng)用中,常面臨電壓波動(dòng)、電流浪涌等“嚴(yán)苛工況”,傳統(tǒng)平面工藝器件易因電場(chǎng)集中出現(xiàn)擊穿風(fēng)險(xiǎn)。Trench工藝的溝槽結(jié)構(gòu)能有效優(yōu)化硅片內(nèi)部電場(chǎng)分布,分散電場(chǎng)強(qiáng)度,大幅提升器件抗浪涌能力。ZK4030DG在37.7A、46.2A等大電流沖擊下仍能穩(wěn)定工作,反向-40V的額定電壓也能輕松應(yīng)對(duì)電路中的反向電動(dòng)勢(shì)(如電機(jī)剎車時(shí)產(chǎn)生的反向電壓),為汽車電子、工業(yè)控制等復(fù)雜場(chǎng)景提供可靠保障。
3.加快開關(guān)速度,適配高頻場(chǎng)景
隨著快充、高頻電源等應(yīng)用的普及,MOS管的開關(guān)速度成為影響電路性能的關(guān)鍵因素。Trench工藝通過減少載流子存儲(chǔ)效應(yīng),顯著加快器件開關(guān)速度。ZK4030DG的開關(guān)時(shí)間較傳統(tǒng)平面MOS管縮短20%以上,可適配1MHz以上的高頻電路。例如在65W快充充電器中,更快的開關(guān)速度能減少開關(guān)損耗,使充電器轉(zhuǎn)換效率提升至95%以上,同時(shí)縮小體積,實(shí)現(xiàn)“小體積、大功率”的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
三、場(chǎng)景落地:ZK4030DG的多領(lǐng)域應(yīng)用價(jià)值
憑借優(yōu)異的電氣性能、緊湊的封裝設(shè)計(jì)與先進(jìn)的工藝優(yōu)勢(shì),ZK4030DG在汽車電子、工業(yè)控制、消費(fèi)電子三大核心領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景,為各行業(yè)產(chǎn)品升級(jí)提供有力支撐。
1.汽車電子:耐溫抗沖,契合嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)
汽車電子對(duì)MOS管的可靠性、耐溫性與抗干擾能力要求極高,需承受-40℃~125℃的寬溫范圍及復(fù)雜的電磁環(huán)境。ZK4030DG的Trench工藝使其具備出色的耐溫性,在發(fā)動(dòng)機(jī)艙等高溫環(huán)境下仍能穩(wěn)定工作;-10A的反向電流能力可有效應(yīng)對(duì)電機(jī)剎車時(shí)產(chǎn)生的反向電動(dòng)勢(shì);PDFN5x6-8L封裝的小型化設(shè)計(jì)則適配汽車電子“空間緊張”的特點(diǎn)。目前,該產(chǎn)品已應(yīng)用于汽車燈光控制、座椅調(diào)節(jié)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、車載充電器(OBC)輔助電路等場(chǎng)景,為汽車電子國(guó)產(chǎn)化提供可靠選擇。
2.工業(yè)控制:穩(wěn)定可靠,適配復(fù)雜工況
工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域中,PLC(可編程邏輯控制器)、伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、傳感器信號(hào)放大電路等設(shè)備需長(zhǎng)期連續(xù)運(yùn)行,且面臨電壓波動(dòng)、電磁干擾等問題。ZK4030DG的±20%參數(shù)精度確保了批量應(yīng)用時(shí)的一致性,避免因參數(shù)差異導(dǎo)致的電路故障;40V/30A的額定電壓電流適配工業(yè)常用的24V/48V電源系統(tǒng);PDFN封裝的優(yōu)異散熱性能能應(yīng)對(duì)設(shè)備長(zhǎng)期運(yùn)行的發(fā)熱問題。在伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,ZK4030DG作為功率開關(guān)管,可實(shí)現(xiàn)電機(jī)精準(zhǔn)調(diào)速,抗浪涌能力則確保電機(jī)啟動(dòng)時(shí)的穩(wěn)定,減少設(shè)備停機(jī)時(shí)間,提升生產(chǎn)效率。
3.消費(fèi)電子:高效小型,滿足輕量化需求
消費(fèi)電子對(duì)“高效、小型、低成本”的追求,推動(dòng)MOS管向“低損耗、小體積”方向發(fā)展。ZK4030DG的1.3V低導(dǎo)通壓降與PDFN5x6-8L緊湊封裝,完美適配快充充電器、筆記本電源適配器、智能家居控制器等產(chǎn)品。在65W快充充電器中,該產(chǎn)品作為同步整流管,可將轉(zhuǎn)換效率提升至95%以上,體積較傳統(tǒng)方案減少30%,實(shí)現(xiàn)“小體積、大功率”;在智能家居窗簾電機(jī)控制器中,低漏流特性使電機(jī)待機(jī)功耗降低至1W以下,符合節(jié)能標(biāo)準(zhǔn),提升用戶使用體驗(yàn)。


四、市場(chǎng)價(jià)值與未來展望:助力國(guó)產(chǎn)化與綠色發(fā)展
在全球MOS管市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈的背景下,中科微電ZK4030DG的推出,不僅填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)N+P型Trench工藝MOS管的性能空白,更在國(guó)產(chǎn)化替代與綠色低碳趨勢(shì)下展現(xiàn)出重要價(jià)值。
1.加速國(guó)產(chǎn)化替代,降低供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)
此前,國(guó)內(nèi)中高端MOS管市場(chǎng)多被英飛凌、安森美等國(guó)外品牌壟斷,國(guó)內(nèi)企業(yè)面臨“供貨周期長(zhǎng)、成本高、技術(shù)卡脖子”的困境。ZK4030DG在參數(shù)性能上與國(guó)外同類產(chǎn)品(如英飛凌IPB048N04S4L-03)持平,成本卻降低15%-20%,供貨周期縮短至2-4周,已成為國(guó)內(nèi)家電、工業(yè)設(shè)備廠商的“替代首選”。目前,該產(chǎn)品已批量應(yīng)用于美的、格力的空調(diào)變頻器,以及匯川技術(shù)的工業(yè)伺服系統(tǒng),有效推動(dòng)MOS管國(guó)產(chǎn)化率提升,降低供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。
2.賦能綠色低碳,助力“雙碳”目標(biāo)
“雙碳”目標(biāo)下,電子設(shè)備的能效提升成為行業(yè)重要方向。ZK4030DG的低導(dǎo)通損耗特性可大幅減少設(shè)備能耗:以100萬臺(tái)65W快充充電器為例,采用該產(chǎn)品后,每臺(tái)每年可節(jié)省電能約5.25kWh,100萬臺(tái)每年可節(jié)省電能525萬kWh,相當(dāng)于減少3675噸二氧化碳排放(按火電發(fā)電煤耗計(jì)算)。在工業(yè)領(lǐng)域,ZK4030DG應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器后,可使電機(jī)運(yùn)行效率提升2%-3%,為工業(yè)節(jié)能降耗提供重要支撐。
未來,中科微電將以ZK4030DG為基礎(chǔ),進(jìn)一步拓展MOS管產(chǎn)品線:一方面,開發(fā)60V/50A、80V/100A等高功率產(chǎn)品,適配新能源汽車主驅(qū)、大功率工業(yè) 電源等更高要求場(chǎng)景;另一方面,融合GaN(氮化鎵)、SiC(碳化硅)寬禁帶材料,研發(fā)更高效率、更高耐溫的新一代MOS管,助力5G基站電源、新能源汽車充電樁等高端領(lǐng)域發(fā)展。
從參數(shù)優(yōu)化到技術(shù)突破,從場(chǎng)景落地到生態(tài)布局,中科微電ZK4030DG不僅是一款優(yōu)秀的N+PMOS管產(chǎn)品,更彰顯了國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)的技術(shù)實(shí)力。在國(guó)產(chǎn)化替代與綠色低碳的雙重驅(qū)動(dòng)下,該產(chǎn)品必將成為推動(dòng)電子產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核心力量,為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展注入新動(dòng)能。

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    一、參數(shù)解構(gòu):N+P雙溝道的性能優(yōu)勢(shì)在低壓功率電子領(lǐng)域,對(duì)器件雙向電流控制能力、電壓適配性及能效的要求日益嚴(yán)苛,中科
    的頭像 發(fā)表于 10-28 15:34 ?350次閱讀
    雙向控制賦能低壓場(chǎng)景:<b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK4030</b>DS <b class='flag-5'>MOS</b>管技術(shù)解析與應(yīng)用探索

    中科ZK30N140T:Trench工藝加持的低壓大電流MOS管新標(biāo)桿

    在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,中科憑借多年技術(shù)積淀,持續(xù)推出契合市場(chǎng)需求的核心器件。針對(duì)低壓大電流場(chǎng)景中“功率與體積難兼顧、效率與成本難平衡”的行業(yè)痛點(diǎn),
    的頭像 發(fā)表于 10-31 14:55 ?252次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK30N</b>140T:<b class='flag-5'>Trench</b><b class='flag-5'>工藝</b>加持的低壓大電流<b class='flag-5'>MOS</b>管新標(biāo)桿

    ZK40P80T:P溝道MOS管中的高功率性能擔(dān)當(dāng)

    中科深耕功率器件領(lǐng)域,針對(duì)P溝道器件的應(yīng)用痛點(diǎn),推出了ZK40P80T這款高
    的頭像 發(fā)表于 11-06 14:35 ?207次閱讀
    <b class='flag-5'>ZK40P</b>80T:<b class='flag-5'>P</b>溝道<b class='flag-5'>MOS</b>管中的高功率<b class='flag-5'>性能</b>擔(dān)當(dāng)

    中科ZK40P80G:小封裝大能量的P溝道MOS管新選擇

    中科推出的ZK40P80G P溝道MOS管,突破性地將-80A大電流、-40V高耐壓與PDF
    的頭像 發(fā)表于 11-06 14:49 ?225次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK40P</b>80G:小封裝大能量的<b class='flag-5'>P</b>溝道<b class='flag-5'>MOS</b>管新選擇

    中科ZK40N100G:Trench工藝+緊湊封裝,中低壓大電流場(chǎng)景新標(biāo)桿

    在功率半導(dǎo)體器件向“高效化、小型化、高可靠性”轉(zhuǎn)型的趨勢(shì)下,中科推出的N溝道MOSZK40N
    的頭像 發(fā)表于 11-17 11:19 ?347次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK40N</b>100G:<b class='flag-5'>Trench</b><b class='flag-5'>工藝</b>+緊湊封裝,中低壓大電流場(chǎng)景新標(biāo)桿