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中科微電ZK30N140T:Trench工藝加持的低壓大電流MOS管新標(biāo)桿

中科微電半導(dǎo)體 ? 2025-10-31 14:55 ? 次閱讀
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在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,中科微電憑借多年技術(shù)積淀,持續(xù)推出契合市場需求的核心器件。針對(duì)低壓大電流場景中“功率與體積難兼顧、效率與成本難平衡”的行業(yè)痛點(diǎn),中科微電重磅推出N溝道MOS管ZK30N140T。該器件以30V額定電壓、140A額定電流構(gòu)建硬核性能底座,融合成熟的溝槽型(Trench)工藝與TO-252-2L實(shí)用化封裝,成為新能源汽車低壓系統(tǒng)、大功率快充、工業(yè)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域的優(yōu)選功率控制方案,彰顯了中科微電在MOS管研發(fā)領(lǐng)域的深厚實(shí)力。
品牌賦能:中科微電的技術(shù)沉淀與品質(zhì)保障
作為專注于功率半導(dǎo)體研發(fā)與制造的企業(yè),中科微電始終以“技術(shù)創(chuàng)新”為核心驅(qū)動(dòng)力,在MOS管設(shè)計(jì)、工藝優(yōu)化、可靠性提升等方面積累了豐富經(jīng)驗(yàn)。ZK30N140T的推出,是中科微電對(duì)低壓大電流市場需求的精準(zhǔn)洞察與技術(shù)回應(yīng)。該器件從芯片設(shè)計(jì)到封裝測試,全程遵循嚴(yán)苛的質(zhì)量控制標(biāo)準(zhǔn),通過了高低溫循環(huán)、振動(dòng)沖擊、濕熱老化等多項(xiàng)工業(yè)級(jí)可靠性測試,確保在復(fù)雜工況下穩(wěn)定運(yùn)行,為終端產(chǎn)品提供堅(jiān)實(shí)的品質(zhì)保障,也進(jìn)一步鞏固了中科微電在中低壓功率器件領(lǐng)域的市場地位。
參數(shù)解構(gòu):30V/140A精準(zhǔn)匹配低壓大電流核心需求
從“ZK30N140T、N、30V、140A、TO-252-2L、Trench”的核心參數(shù)組合中,可清晰看到中科微電對(duì)應(yīng)用場景的深度適配邏輯。作為N溝道MOS管,其以電子為主要導(dǎo)電載流子,開關(guān)響應(yīng)速度較P溝道器件提升30%以上,天然契合低壓場景的高頻功率轉(zhuǎn)換拓?fù)洌瑸楦咝芰哭D(zhuǎn)換奠定基礎(chǔ)。
30V的額定電壓并非簡單的數(shù)值設(shè)定,而是精準(zhǔn)覆蓋了12V車載電源、24V工業(yè)母線、動(dòng)力電池均衡電路等主流低壓應(yīng)用場景,同時(shí)預(yù)留15%以上的電壓裕量,可有效抵御電路中的瞬態(tài)浪涌沖擊,避免器件因過壓擊穿導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓,這一設(shè)計(jì)充分體現(xiàn)了中科微電對(duì)實(shí)際應(yīng)用風(fēng)險(xiǎn)的預(yù)判與防控。140A的額定電流則實(shí)現(xiàn)了單器件大電流承載的突破——傳統(tǒng)同封裝低壓MOS管電流多局限于100A以內(nèi),而ZK30N140T無需多管并聯(lián)即可滿足8kW級(jí)功率輸出,不僅簡化了PCB布局,更從根源上降低了寄生電感、電阻帶來的電路干擾,使系統(tǒng)紋波降低25%,穩(wěn)定性顯著提升。
TO-252-2L封裝與Trench工藝的協(xié)同,是ZK30N140T性能落地的關(guān)鍵。中科微電通過優(yōu)化封裝與芯片的匹配度,讓140A大電流在6.5mm×10.2mm的小巧封裝內(nèi)穩(wěn)定釋放,實(shí)現(xiàn)了“大功率、小體積”的設(shè)計(jì)目標(biāo),完美適配終端產(chǎn)品集成化需求。


Trench工藝內(nèi)核:中科微電的性能升級(jí)密碼
ZK30N140T的性能飛躍,核心源于中科微電對(duì)溝槽型(Trench)工藝的成熟應(yīng)用與優(yōu)化升級(jí)。相較于傳統(tǒng)平面型MOS管,Trench工藝通過在半導(dǎo)體襯底刻蝕微米級(jí)溝槽,重構(gòu)了導(dǎo)電溝道形態(tài),實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)通損耗、電流密度與可靠性的三重突破,這也是中科微電在功率器件領(lǐng)域的核心技術(shù)優(yōu)勢之一。
1. 超低導(dǎo)通電阻,破解大電流發(fā)熱難題
低壓大電流場景中,導(dǎo)通損耗是器件發(fā)熱的主要來源,也是限制系統(tǒng)效率的關(guān)鍵。中科微電通過Trench工藝優(yōu)化溝道摻雜濃度與柵極結(jié)構(gòu),將ZK30N140T的導(dǎo)通電阻(Rds(on))控制在1.3mΩ的超低水平。按140A工作電流計(jì)算,其導(dǎo)通損耗僅為25.48W,較傳統(tǒng)平面型MOS管降低50%以上。實(shí)測數(shù)據(jù)顯示,在30V/140A的典型工況下,配合TO-252-2L封裝的散熱優(yōu)勢,器件結(jié)溫可穩(wěn)定控制在125℃以下,無需額外加裝大型散熱片即可滿足長期滿負(fù)荷運(yùn)行需求,這一性能指標(biāo)在同類型產(chǎn)品中處于領(lǐng)先水平。
2. 高電流密度,提升功率集成效率
Trench工藝的溝槽結(jié)構(gòu)使導(dǎo)電溝道呈立體分布,有效擴(kuò)大了電流流通面積。中科微電通過精準(zhǔn)的工藝控制,使ZK30N140T的電流密度突破4.8A/mm2,較傳統(tǒng)平面型器件提升60%。這一特性讓TO-252-2L封裝可承載140A大電流,功率密度達(dá)到9.2W/mm2,為快充、車載低壓系統(tǒng)等對(duì)體積敏感的場景提供了集成化可能。以150W快充為例,采用ZK30N140T后,功率模塊體積可縮小35%,助力終端產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)“大功率、小體積”的設(shè)計(jì)升級(jí)。
3. 穩(wěn)定開關(guān)特性,適配高頻拓?fù)?/strong>
中科微電通過Trench工藝優(yōu)化柵極與溝道的耦合結(jié)構(gòu),將ZK30N140T的柵極電荷(Qg)降低至55nC以下,寄生電容(Ciss)減少30%。在100kHz-200kHz的高頻工作場景中,其開關(guān)損耗較傳統(tǒng)器件降低40%,可完美適配同步整流、Buck-Boost等低壓高頻拓?fù)洹T?50W快充的同步整流環(huán)節(jié),采用ZK30N140T可使電源轉(zhuǎn)換效率提升至98%,較采用傳統(tǒng)器件的方案提升1.2個(gè)百分點(diǎn),充分體現(xiàn)了中科微電在器件性能優(yōu)化上的技術(shù)實(shí)力。
TO-252-2L封裝:實(shí)用化與規(guī)?;膬?yōu)選方案
ZK30N140T采用的TO-252-2L封裝(又稱DPAK-2L),是中科微電結(jié)合市場應(yīng)用需求做出的精準(zhǔn)選擇。該封裝作為低壓大電流場景中應(yīng)用最廣泛的貼片封裝之一,兼顧了散熱性能、安裝便捷性與成本控制,完美契合工業(yè)量產(chǎn)需求。
散熱方面,TO-252-2L封裝采用金屬底座與引腳一體化設(shè)計(jì),底部裸露焊盤可直接與PCB散熱銅皮貼合,熱阻低至1.2℃/W,較傳統(tǒng)SOP封裝降低45%,140A大電流下的散熱效率足以支撐多數(shù)低壓場景需求。安裝便捷性上,貼片式封裝可兼容自動(dòng)化貼片生產(chǎn)工藝,焊接效率較插件封裝提升4倍以上,大幅降低大規(guī)模量產(chǎn)成本;2引腳設(shè)計(jì)簡化了PCB布局,減少了焊接故障風(fēng)險(xiǎn),降低了終端企業(yè)的生產(chǎn)難度。
成本控制上,TO-252-2L封裝的量產(chǎn)成熟度高,采購與加工成本較特殊封裝降低30%以上。同時(shí),其標(biāo)準(zhǔn)化尺寸可直接替換傳統(tǒng)低壓MOS管,無需重新設(shè)計(jì)PCB,為企業(yè)縮短研發(fā)周期、降低升級(jí)成本提供了便利,這也是中科微電踐行“以客戶為中心”理念的具體體現(xiàn)。


場景落地:多領(lǐng)域綻放中科微電技術(shù)價(jià)值
憑借中科微電的品質(zhì)背書、Trench工藝的性能優(yōu)勢及TO-252-2L封裝的實(shí)用特性,ZK30N140T已在多個(gè)低壓大電流領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)深度應(yīng)用,成為推動(dòng)終端產(chǎn)品升級(jí)的核心器件。
1. 新能源汽車低壓系統(tǒng):穩(wěn)定供電的核心保障
在新能源汽車的低壓輔助電源(DC-DC轉(zhuǎn)換器)中,ZK30N140T承擔(dān)著將高壓電池轉(zhuǎn)換為12V低壓的關(guān)鍵任務(wù),為車載燈光、中控、傳感器等負(fù)載供電。140A大電流能力可滿足整車低壓負(fù)載的總功率需求,30V耐壓適配低壓系統(tǒng)電壓范圍;Trench工藝的低損耗特性使轉(zhuǎn)換器效率提升至97.5%,間接延長電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程;TO-252-2L封裝的貼片特性助力電源模塊實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì),適配汽車座艙狹小空間。其寬溫工作范圍(-55℃至175℃)可抵御極端環(huán)境,保障車載系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行,目前已獲得多家車企的認(rèn)可與采用。
2. 消費(fèi)電子快充:大功率與便攜的完美平衡
在150W-200W大功率快充充電器中,ZK30N140T作為同步整流管與功率開關(guān),140A大電流能力滿足“短時(shí)大電流”輸出需求,30V耐壓適配低壓側(cè)電路;TO-252-2L封裝的小型化特性使充電器體積縮小至傳統(tǒng)100W快充水平,實(shí)現(xiàn)“大功率、小體積”的便攜設(shè)計(jì);其98%的轉(zhuǎn)換效率可降低充電器發(fā)熱,避免高溫導(dǎo)致的性能降額與安全隱患,成為多家頭部品牌150W+快充產(chǎn)品的核心選型,彰顯了中科微電器件在消費(fèi)電子領(lǐng)域的競爭力。
3. 工業(yè)低壓驅(qū)動(dòng):高效節(jié)能的控制核心
在24V工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)器與AGV電機(jī)控制器中,ZK30N140T作為驅(qū)動(dòng)橋臂功率開關(guān),140A電流可驅(qū)動(dòng)4kW級(jí)低壓電機(jī),30V耐壓適配工業(yè)母線;Trench工藝的高頻特性提升電機(jī)控制精度,定位誤差縮小至0.01mm,滿足精密加工需求;低導(dǎo)通損耗使驅(qū)動(dòng)器效率提升至96.2%,為工廠節(jié)省12%的用電成本;TO-252-2L封裝的貼片特性助力驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)緊湊設(shè)計(jì),適配自動(dòng)化生產(chǎn)線的狹小安裝空間,已廣泛應(yīng)用于紡織機(jī)械、物流AGV等工業(yè)場景。
結(jié)語:中科微電引領(lǐng)低壓大電流器件新方向
中科微電ZK30N140T的推出,不僅是一款高性能MOS管的問世,更是企業(yè)對(duì)低壓大電流市場需求的精準(zhǔn)回應(yīng)。它以Trench工藝打破了“小封裝與大電流不可兼得”的技術(shù)瓶頸,以TO-252-2L封裝契合了終端產(chǎn)品“規(guī)?;?、低成本”的發(fā)展需求,以30V/140A的精準(zhǔn)參數(shù)適配了主流低壓應(yīng)用,再加上中科微電的品牌背書與品質(zhì)保障,無疑成為低壓大電流MOS管市場的新標(biāo)桿。
在新能源汽車普及、消費(fèi)電子快充升級(jí)、工業(yè)自動(dòng)化提速的大背景下,中科微電將持續(xù)以技術(shù)創(chuàng)新為核心,推出更多契合市場需求的功率器件,為各類終端產(chǎn)品的創(chuàng)新升級(jí)提供核心支撐,引領(lǐng)中低壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展方向。

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    在中低壓功率電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,MOS電流承載能力、封裝尺寸與能效表現(xiàn),是決定產(chǎn)品競爭力的核心要素。ZK40N100G作為一款高性能
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    <b class='flag-5'>ZK40N</b>100G:PDFN封裝賦能的中<b class='flag-5'>低壓</b>大<b class='flag-5'>電流</b><b class='flag-5'>MOS</b>管<b class='flag-5'>標(biāo)桿</b>

    ZK40P80T:P溝道MOS中的高功率性能擔(dān)當(dāng)

    中科深耕功率器件領(lǐng)域,針對(duì)P溝道器件的應(yīng)用痛點(diǎn),推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS
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    <b class='flag-5'>ZK40P80T</b>:P溝道<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>中的高功率性能擔(dān)當(dāng)

    中科ZK40P80G:小封裝大能量的P溝道MOS新選擇

    中科推出的ZK40P80G P溝道MOS,突破性地將-80A大
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    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK</b>40P80G:小封裝大能量的P溝道<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>新選擇

    中科ZK40N100G:Trench工藝+緊湊封裝,中低壓電流場景新標(biāo)桿

    在功率半導(dǎo)體器件向“高效化、小型化、高可靠性”轉(zhuǎn)型的趨勢下,中科推出的N溝道MOS
    的頭像 發(fā)表于 11-17 11:19 ?528次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK40N</b>100G:<b class='flag-5'>Trench</b><b class='flag-5'>工藝</b>+緊湊封裝,中<b class='flag-5'>低壓</b>大<b class='flag-5'>電流</b>場景新<b class='flag-5'>標(biāo)桿</b>