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半導(dǎo)體的3D之路-兼論三維單片堆疊

MZjJ_DIGITIMES ? 來(lái)源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-08-17 14:54 ? 次閱讀
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摩爾定律快到盡頭,半導(dǎo)體如果要維持其高科技產(chǎn)業(yè)的特性,必須有手段持續(xù)性的創(chuàng)造新價(jià)值。Pixabay

摩爾定律快到日暮時(shí)分了,套用杜牧也是以日暮為起頭的詩(shī)句(注):「長(zhǎng)晶猶似賣(mài)樓人」,半導(dǎo)體人好似房地產(chǎn)開(kāi)發(fā)商,最重容積層率。平面已蓋無(wú)可蓋,現(xiàn)在要起高樓了。

先是2.5D/3D封裝,這已是行之有年的技術(shù)。然后就一下子躍進(jìn)到真正的3D工藝-3D NAND Flash。幾十層的線(xiàn)路、結(jié)構(gòu),用4、5層的光罩工藝就能成就,成本極低??墒沁@樣的技術(shù),只能用于具有特殊條件的元件。

第一個(gè)是線(xiàn)路內(nèi)的單元(cell)排列要有高度的重復(fù)性,互聯(lián)機(jī)路簡(jiǎn)單,象是存儲(chǔ)器。

第二個(gè)是每個(gè)單元內(nèi)有些結(jié)構(gòu)可以與鄰近單元相連接,譬如像charge trap NAND Flash中儲(chǔ)存電荷的絕緣體。每一單元內(nèi)的絕緣體雖然相連,但是儲(chǔ)存于各單元內(nèi)的電荷困在絕緣體內(nèi)的特定位置,不會(huì)流動(dòng)至另一單元,不至于影響儲(chǔ)存功能。當(dāng)把平面的結(jié)構(gòu)變成垂直方向增長(zhǎng)的時(shí)候,這些可以相連的結(jié)構(gòu)也可以垂直不間斷的沉積,對(duì)于整體工藝的簡(jiǎn)化有相當(dāng)?shù)膸椭?/p>

所以在3D NAND Flash工藝中,各大廠家紛紛從2D的floating gate工藝轉(zhuǎn)為charge trap,因?yàn)閒loating gate工藝中儲(chǔ)存電荷的floating gate物質(zhì)是導(dǎo)體,而各單元間的floating gate若相連,每個(gè)單元儲(chǔ)存的信息會(huì)隨電荷流動(dòng)而喪失。因此每層之間各單元的floating gate必須蝕刻斷開(kāi),這對(duì)于3D工藝增加不少麻煩。

這樣的3D工藝由于關(guān)鍵蝕刻技術(shù)與設(shè)備的突破,前程能見(jiàn)度還不錯(cuò),到2024年有望達(dá)近200層。中短期內(nèi)是能替代摩爾定律、挑起增加半導(dǎo)體新經(jīng)濟(jì)價(jià)值大梁的技術(shù)。

不完全符合上述條件的元件呢-譬如新興存儲(chǔ)器的PCRAM和ReRAM,還有cross bar工藝可用。只是cross bar工藝存儲(chǔ)器雖然也是一層一層的堆疊上去,但是每一層都需要個(gè)別的光罩處理,工藝費(fèi)用下降有限。但是芯片的效能可以提升,存儲(chǔ)器密度也可以持續(xù)增長(zhǎng)。目前cross bar大致是20幾納米的工藝、堆疊2層;到2022年,預(yù)計(jì)工藝可以推進(jìn)至10幾納米、堆疊8層,還有些增長(zhǎng)空間。

如果是其它的組合呢?譬如說(shuō)是CPU加存儲(chǔ)器芯片,顯然上述兩種方式都不適用,現(xiàn)在被認(rèn)為“promising”的三維單片堆疊(3D monolithic stacking)技術(shù)可能是個(gè)解決方案,至少DARPA是這么想的。

三維單片堆疊基本上是多芯片堆疊,先將需要高溫工藝的芯片做好,然后將其它已半制造好的芯片以離子切割(ion cut,基本上是氫離子)方式打薄,粘著于原來(lái)的芯片之上,繼續(xù)后面的低溫工藝。由于芯片內(nèi)各模塊得以在最適宜工藝處理,整體芯片的表現(xiàn)及成本可以與用更先進(jìn)工藝的平面芯片媲美,而老舊的晶圓廠得以延續(xù)其生命周期。

當(dāng)然,三維單片堆疊還有許多挑戰(zhàn)待解決,譬如不同層間模塊的設(shè)計(jì)需要有好的EDA、多層芯片散熱問(wèn)題、層間對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題、多模塊布線(xiàn)問(wèn)題等。

半導(dǎo)體如果要維持其高科技產(chǎn)業(yè)的特性,必須有手段持續(xù)性的創(chuàng)造新價(jià)值。新的設(shè)計(jì)方法、新的元件、新的材料都可能創(chuàng)造新的價(jià)值,但是三維工藝看來(lái)最耐久,因?yàn)橛袡C(jī)會(huì)像摩爾定律般的重復(fù)如法炮制!

注:改自杜牧金谷園一詩(shī)尾句,原詩(shī)為:繁華事散逐香塵,流水無(wú)情草自春。日暮東風(fēng)怨啼鳥(niǎo),落花猶似墮樓人。

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原文標(biāo)題:【名家專(zhuān)欄】半導(dǎo)體的3D之路-兼論三維單片堆疊

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