【2025年10月24日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）通過增加頂部散熱（TSC）的TOLT封裝及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC?400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續(xù)）和455V（瞬態(tài)）的TOLL封裝新產(chǎn)品。新的CoolSiC? MOSFET具有更優(yōu)的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度。其專為滿足高功率與計算密集型應(yīng)用需求而設(shè)計，涵蓋了AI服務(wù)器電源、光伏逆變器、不間斷電源、D類音頻放大器、電機(jī)驅(qū)動、固態(tài)斷路器等領(lǐng)域。這款新產(chǎn)品可為這些關(guān)鍵系統(tǒng)提供所需的可靠性與性能。

與傳統(tǒng)的250V和300V電壓等級的硅（Si）技術(shù)相比，CoolSiC? G2 400V和440V MOSFET在120°C工作溫度下的導(dǎo)通損耗可降低多達(dá)50%，這歸功于其導(dǎo)通電阻R(DS(on)隨結(jié)溫（Tj）變化的平穩(wěn)表現(xiàn)。此外，其開關(guān)性能指標(biāo)顯著提升，反向恢復(fù)電荷相比傳統(tǒng)技術(shù)減少了至少五倍。在系統(tǒng)層面，CoolSiC? G2 400V和440V MOSFET在用于三電平飛跨電容CCM圖騰柱PFC ，相較于交錯式兩電平CCM圖騰柱PFC電路，峰值電源效率提升最高可達(dá)0.4%，相當(dāng)于峰值效率下系統(tǒng)損耗減少約15%。

供貨情況

CoolSiC? MOSFET 400V和440V G2產(chǎn)品組合現(xiàn)已上市。

關(guān)于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動低碳化和數(shù)字化進(jìn)程。該公司在全球擁有約58,060名員工（截至2024年9月底），在2024財年（截至9月30日）的營收約為150億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市（股票代碼：IFX），在美國的OTCQX國際場外交易市場上市（股票代碼：IFNNY）。

英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進(jìn)入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來，英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長，在中國擁有約3,000多名員工，已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋生產(chǎn)、銷售、市場、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈，并在銷售、技術(shù)應(yīng)用支持、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。

審核編輯 黃宇