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STMicroelectronics STGAP2SiCD電流隔離4A雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)在每個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)通道、低電壓控制和接口電路之間提供電流隔離。STGAP2SiCD柵極驅(qū)動(dòng)器具有4A電流能力和軌到軌輸出，因此適合用于中等功率和大功率應(yīng)用，例如電源轉(zhuǎn)換和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器逆變器。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：STMicroelectronics STGAP2SiCD電流隔離雙柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

STM STGAP2SiCD 4A雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器具有獨(dú)立的輸出引腳，可使用專用柵極電阻器優(yōu)化導(dǎo)通和關(guān)斷。米勒CLAMP功能可避免半橋拓?fù)渲锌焖贀Q向時(shí)的柵極尖峰。

STGAP2SiCD將保護(hù)功能與專用SD和BRAKE引腳集成在一起。該器件設(shè)有UVLO和熱關(guān)斷功能，可高效設(shè)計(jì)高可靠性系統(tǒng)。

在半橋拓?fù)渲校?lián)鎖功能可防止輸出同時(shí)為高電平，避免在邏輯輸入命令錯(cuò)誤時(shí)發(fā)生擊穿條件。專用配置引腳可以禁用聯(lián)鎖功能，從而允許兩個(gè)通道獨(dú)立并行運(yùn)行。輸入至輸出傳播延遲結(jié)果小于75ns，可提供較高的PWM控制精度。可提供待機(jī)模式，降低空閑功耗。

特性

高達(dá)1200V高壓軌
驅(qū)動(dòng)器電流能力：4A拉電流/灌電流（25°C時(shí)）
dV/dt瞬態(tài)抑制：±100V/ns
整體輸入-輸出傳播延遲：75ns
獨(dú)立的拉電流和灌電流選項(xiàng)，可簡化柵極驅(qū)動(dòng)配置
4A米勒鉗位
UVLO功能
可配置聯(lián)鎖功能
專用SD和BRAKE引腳
柵極驅(qū)動(dòng)電壓高達(dá)26V
3.3V、5V TTL/CMOS輸入，帶遲滯
高溫關(guān)斷保護(hù)
待機(jī)功能
6kV電隔離
寬體SO-36W

框圖

STGAP2SiCD隔離式雙柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

?一、產(chǎn)品概述與技術(shù)亮點(diǎn)?

STGAP2SiCD是意法半導(dǎo)體推出的電流隔離型雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為SiC MOSFET設(shè)計(jì)，兼具高性能與可靠性。其核心技術(shù)特性包括：

?4A峰值驅(qū)動(dòng)能力?（25℃下灌電流/拉電流）
?75ns超低傳輸延遲?（提升PWM控制精度）
?6kV電氣隔離強(qiáng)度?（符合VDE 0884-11標(biāo)準(zhǔn)）
?**±100V/ns共模瞬態(tài)抗擾度**?（CMTI）
?獨(dú)立Miller CLAMP功能?（抑制半橋拓?fù)溟_關(guān)串?dāng)_）

?二、關(guān)鍵參數(shù)深度解析?

2.1 極限工作條件（絕對(duì)最大額定值）

參數(shù)	符號(hào)	范圍	單位
邏輯電源電壓	VDD	-0.3~6.5	V
柵極驅(qū)動(dòng)正電壓	VH_x	-0.3~28	V
工作結(jié)溫范圍	TJ	-40~150	°C
靜電防護(hù)等級(jí)（HBM）	ESD	2	kV

2.2 電氣特性核心指標(biāo)

?傳輸延遲?：tDon/tDoff ≤75ns（typ.50ns）
?開關(guān)頻率?：最高支持1MHz
?UVLO閾值?：VHon=15.5V（typ.），VHoff=14.8V（typ.）
?導(dǎo)通電阻?：RGON/RGOFF ≤1.25Ω（typ.）
?Miller鉗位電壓?：VCLAMPth=2V（typ.）

?三、創(chuàng)新功能機(jī)制剖析?

3.1 互鎖保護(hù)（Interlocking）

?功能邏輯?：當(dāng)iLOCK接VDD時(shí)，禁止雙通道同時(shí)輸出高電平，有效防止半橋直通故障
?靈活配置?：iLOCK接地時(shí)可禁用互鎖，支持雙通道并聯(lián)運(yùn)行

3.2 智能關(guān)斷管理

?安全狀態(tài)?（Safe State）觸發(fā)條件：
- VH_x < VHoff（欠壓保護(hù)）
- TJ > TSD（過熱保護(hù)，典型值150℃）
- SD引腳置低（主動(dòng)關(guān)斷）

3.3 低功耗待機(jī)模式

?進(jìn)入條件?：SD=低電平且(INA,INB,BRAKE)=高電平持續(xù)>280μs
?喚醒時(shí)序?：退出待機(jī)后需等待tawake=140μs（typ.）恢復(fù)驅(qū)動(dòng)輸出

四、技術(shù)優(yōu)勢總結(jié)?

?精度控制?：納秒級(jí)延遲匹配（MT≤20ns）確保多通道同步性
?系統(tǒng)保護(hù)?：集成UVLO、TSD、互鎖三重防護(hù)機(jī)制
?能效提升?：待機(jī)模式下靜態(tài)電流降至μA級(jí)（IQHSBY_x≤80μA）
?兼容性?：支持3.3V/5V邏輯輸入，適配主流MCU

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