STMicroelectronics EVSTGAP2GS演示板設計用于評估STGAP2GS隔離式單通道柵極驅動器。STGAP2GS具有2A拉電流/3A灌電流能力和軌到軌輸出。憑借這些特性,該器件非常適用于中等和大功率逆變器應用。該器件通過使用專用柵極電阻器分別優(yōu)化導通和關斷。
數據手冊:*附件:STMicroelectronics EVSTGAP2GS演示板數據手冊.pdf
特性
- 設備
- 電路板
元件布置俯視圖

STGAP2GS隔離門極驅動評估板技術解析與應用指南
一、產品概述
EVSTGAP2GS是意法半導體推出的半橋評估板,專為評估STGAP2GS隔離單門極驅動器而設計。該板采用SGT120R65AL增強型GaN晶體管,具有650V耐壓、75mΩ典型導通電阻和15A電流能力。評估板最高支持650V高壓總線,集成了隔離DC-DC轉換器,提供完整的驅動解決方案。
二、核心特性分析
1. 門極驅動性能
- ?驅動能力?:2A源電流/3A灌電流(25°C,VH=6V條件下)
- ?傳播延遲?:輸入-輸出僅45ns
- ?柵極驅動電壓?:最高15V,支持負壓驅動
- ?獨立優(yōu)化?:通過專用柵極電阻可獨立優(yōu)化開通和關斷過程
2. 保護功能
- ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:針對增強型GaN晶體管優(yōu)化
- ?溫度保護?:集成熱關斷保護
- ?硬件互鎖?:雙輸入引腳支持極性控制和硬件互鎖保護,防止控制器故障時的交叉導通
3. 電源配置
- ?邏輯供電?:可由板載3.3V或外部5V(VAUX)提供
- ?驅動電壓選擇?:通過跳線輕松配置+6/0V或+6/-3V驅動模式
- ?隔離供電?:板載隔離DC-DC轉換器,最大隔離耐壓5.2kV
三、電路設計要點
1. 驅動電路架構
評估板采用完整的半橋配置:
- 高壓側和低壓側各使用一片STGAP2GS驅動器
- 驅動SGT120R65AL e-Mode GaN晶體管
- 支持負柵極驅動,優(yōu)化e-Mode GaN晶體管工作
2. 輸入信號處理
- ?輸入兼容性?:支持3.3V、5V TTL/CMOS輸入,帶遲滯
- ?極性控制?:支持信號極性選擇
- ?死區(qū)時間生成?:通過74LVC1G86和74LVC1G17芯片實現
3. 電源管理設計
四、關鍵元件選型
主要功率器件
- ?GaN晶體管?:SGT120R65AL(650V,75mΩ,15A)
- ?門極驅動芯片?:STGAP2GS(SO-8W封裝)
- ?DC-DC轉換器?:Murata MGJ2D051509SC
保護元件配置
- ?柵極電阻?:47Ω串聯電阻配合1Ω柵極電阻
- ?齊納保護?:6.8V和2.7V齊納二極管用于過壓保護
五、布局與散熱考慮
PCB設計特點
- 四層板結構,優(yōu)化信號完整性
- 高壓部分保持足夠爬電距離
- 測試點布局便于性能評估
熱管理策略
六、應用配置指南
1. 驅動電壓設置
- ?5V模式?:閉合R28,斷開R31
- ?3.3V模式?:斷開R28,閉合R31,R30設為240Ω
- ?外部供電?:R28、R31、R30全部斷開
2. 信號路徑選擇
- ?默認配置?:來自PWM死區(qū)時間發(fā)生器
- ?備選配置?:來自連接器J1
七、性能評估要點
該評估板允許在以下方面進行全面評估:
- ?驅動性能?:在不同開關頻率下的驅動特性
- ?效率分析?:GaN晶體管的開關損耗評估
- ?保護功能?:UVLO和熱關斷的觸發(fā)測試
- ?系統穩(wěn)定性?:在各種負載條件下的工作表現
八、典型應用場景
工業(yè)應用領域
- 功率轉換系統
- 電機驅動逆變器
- 中高功率逆變器應用
-
單通道
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