在照明細分的領域，在舞臺追光、切割等燈具的恒流驅動設計，為了實現(xiàn)更好的調光效果，主流技術分為輸出均值采樣與輸入端峰值采樣為主；輸出均值采樣優(yōu)點在輸出的線性度會更好，但響應時間由于電感的存在，會滯后90°相位，在高速響應時無法實現(xiàn)電流的瞬態(tài)變化，典型代表TI的TPS92641 及一眾異步調光IC；峰值采樣方式由于采樣在電感前端，電流瞬態(tài)響應時間可以處理更快，不存在滯后問題，輸出電流特性會追隨LED固有的光源特性的曲線一致，代表型IC 如TI的LM3409，VAS1253等產(chǎn)品。

LED電流特性曲線

常規(guī)追光燈COB 模組SS8109是一款更接近LM3409特性，輸入電壓高達65V，并舍去了PMOS這種高成本的器件，使用了雙N-MOS架構的同步整流設計，在效率上更優(yōu)于LM3409，內置并聯(lián)驅動器，為了實現(xiàn)更高的調光效果，對調光系統(tǒng)進行了優(yōu)化，以便實現(xiàn)更低的調光灰度及更高的響應時間，SDRV端口的響應時間提升，有效提高對并聯(lián)MOSFET的驅動特性，以實現(xiàn)更高的調光灰度；頻率可按需求調整設置，以便滿足對不同線路及溫度的設計需求。

SS8109的內部架構及外圍應用
對于調光深度不足，對并聯(lián)驅動能力的響應時間不足，及并聯(lián)MOS選擇差異，有著千絲萬縷的影響，SS8109在設計上做了深度優(yōu)化，下圖是小寄生參數(shù)的低亮度波形。

PWM Duty在低灰度調光狀態(tài)下的振鈴

有些工程師設計電源的時候，總是惦記著散熱從MOSFET的Rdson方向解決，并專心致志的研究MOSFET，而恰恰忽略了寄生電容的損耗，由于電源頻率較高的條件下，MOSFET的寄生便會如影隨形交纏不清，下圖是在選用了小寄生參數(shù)的并聯(lián)MOSFET得到的溫度參數(shù)，并聯(lián)MOS溫度升高在并聯(lián)泄放瞬間，瞬間導通時間越長，上升沿越慢，損耗相對就大。

并聯(lián)SDRV占空比開關損耗決定了MOS的工作溫度。

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客戶設計案例

有些設計由于COB模組的雙極性引線，導致線間產(chǎn)生的寄生電容及電感，會出現(xiàn)或多或少的線間干擾導致調光灰度異常，共陰極設計有效改善此應用帶來的困惑。

某客戶的SS8109設計線路

PWM端口PDIM可以提供正常10Hz-150KHz刷新頻率（可以更高，然而響應時間隨著刷新頻率增加而增加）的調光信號，可以實現(xiàn)0.03%-100%的輸出亮度調控，解析度0.01%以上，

SS8109可提供輸出5A左右的驅動電流，最高可實現(xiàn)200W輸出功率設計，滿足目前大部分激光產(chǎn)品的應用場景設計

當然，SS8109不僅僅只是為了舞臺燈光應用，IC自帶UVEN軟開機功能，對直接上電工作的設計可有效防止開機瞬間的電容充電特性通過的大電流損傷電源；一組模擬調光可方便對輸入端峰值電流進行調整，配合PWM調光端口進行數(shù)?；旌险{光設計。

SS8109特性

拓撲結構：同步整流

電壓范圍： 6.5-65V

典型恒定電流：5A

電流采樣方式：輸入高邊峰值采樣

驅動負載： 共陰極

頻率控制： 可設置

保護：輸入過流，輸出過流，開路保護，過溫保護

調光：數(shù)/模雙通道調光模式

封裝：QFN20 5*5mm

應用：舞臺燈光，工業(yè)照明，船舶照明，航空照明等等