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臺(tái)電極光a30內(nèi)存評(píng)測(cè) DDR4內(nèi)存入門首選

454398 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-08-28 10:47 ? 次閱讀
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一、前言:臺(tái)電入場(chǎng) 重新定義普條

近期,臺(tái)電將會(huì)發(fā)布一款名為極光A30的DDR4入門內(nèi)存。今天就讓大家來先睹為快吧。

隨著DDR4的全面普及,市面上可供消費(fèi)者選擇的DDR4內(nèi)存產(chǎn)品也越來越多,魚龍混雜,良莠不齊,給裝機(jī)的朋友們帶來了極大的困擾。

↑↑↑馬甲條(上)與普條(下)外觀對(duì)比

一般來說,普條的價(jià)格更低,性價(jià)比更高,更適合普通大眾消費(fèi)者入手。而馬甲條一般是定位中高端超頻內(nèi)存,擁有更美觀的外形馬甲設(shè)計(jì),更穩(wěn)定的金手指,更多的PCB板層數(shù)。

無疑,相對(duì)普條,同規(guī)格的馬甲條擁有更好的散熱性能和更穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸狀態(tài),當(dāng)然,價(jià)格也相對(duì)更高。

而臺(tái)電這次首次發(fā)售的內(nèi)存極光A30,雖然定位在主流入門的普條級(jí)別,但是不僅自帶馬甲,更是直接將DDR4起步的2133MHz頻率拉升到2400MHz頻率。

對(duì)于消費(fèi)者來說,這無疑是個(gè)好消息,那么,極光A30能不能徹底攪渾普條市場(chǎng)這潭水,就讓今天的評(píng)測(cè)來告訴你吧。

二、外觀上手:散熱馬甲加8層PCB 這波不虧

本次臺(tái)電發(fā)售的A30將會(huì)有4GB單條/8GB單條/16GB單條三個(gè)版本,筆者這次拿到了兩條8GB的內(nèi)存,合計(jì)容量為16GB。

臺(tái)電極光A30 雖定位于主流入門產(chǎn)品,外觀造型卻一點(diǎn)也不含糊。

散熱馬甲外觀造型以“御風(fēng)者”為名,表面采用陽極金屬設(shè)計(jì),并輔以凹痕、鏤空等細(xì)節(jié)設(shè)計(jì),普條如今也自帶炫酷馬甲了。

官方稱“御風(fēng)者”能降低內(nèi)存顆粒溫度3-5℃,在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行及高負(fù)載中,擁有更強(qiáng)的穩(wěn)定性。

但是,就散熱馬甲的厚度和工藝精細(xì)的程度,A30和筆者手上的另一條超頻內(nèi)寸相比還是有一定差距,這也非常直觀的展示出臺(tái)電對(duì)于A30的定位。

A30毫不吝嗇地采用了8層PCB,正面馬甲下是導(dǎo)熱膠墊和8顆一字排開的原廠內(nèi)存顆粒。

尺寸大小為136.5*46.5*4*8.5mm,工作電壓為1.2V。

三、性能測(cè)試:普條入門新標(biāo)準(zhǔn) 2400Mhz還能超

先來搭建測(cè)試平臺(tái),為了充分展示內(nèi)存的性能,這里選用來12核24線程的AMD Threadripper 1920X加X399主板作為測(cè)試平臺(tái)。

我們插上內(nèi)存后,在BIOS中將時(shí)序調(diào)整為官方推薦14-14-14-34。

同時(shí),筆者會(huì)在推薦時(shí)序下,分別測(cè)試2133MHz和2400MHz兩個(gè)頻率的表現(xiàn),直觀得給大家展示一下入門直接2400MHz究竟有什么好處。

最后,既然A3O都上了馬甲和8層PCB,不超一下頻試試可惜了。筆者會(huì)單獨(dú)做一個(gè)超頻測(cè)試,來看看A30的表現(xiàn)到底如何。

↑↑↑2133MHz-CPUZ

然后調(diào)整到默認(rèn)頻率2400MHz。

↑↑↑2400MHz-CPUZ

1、MemTest Pro烤機(jī)測(cè)試

我們使用MemTest Pro版進(jìn)行內(nèi)存測(cè)試,默認(rèn)剩余所有內(nèi)存,讓它任性得跑上兩個(gè)半小時(shí),覆蓋率650%,結(jié)果0錯(cuò)誤。

↑↑↑MemTest測(cè)試結(jié)果

2、AIDA64內(nèi)存讀寫測(cè)試

來看2133MHz和2400MHz不同頻率下的表現(xiàn)。

↑↑↑2133MHz-AIDA64測(cè)試

↑↑↑2400MHz-AIDA64測(cè)試

對(duì)比詳情:

↑↑↑AIDA64內(nèi)存讀寫測(cè)試對(duì)比

↑↑↑AIDA64內(nèi)存延遲測(cè)試對(duì)比

可以看到,2133MHz頻率下,其讀寫拷貝速度分別是26041MB/s、26956MB/s、27046MB/s,而在2400MHz頻率下,其讀寫拷貝速度分別為28145MB/s、30308MB/s、29622MB/s。速度提升分別為8%、12%、9.5%。內(nèi)存延從88ns降低至80.5ns,速度提升9%。

3、Sandra內(nèi)存測(cè)試

同樣來對(duì)比2133MHz和2400MHz不同頻率下的表現(xiàn),先看內(nèi)存寬帶測(cè)試。

↑↑↑2133MHz內(nèi)存寬帶測(cè)試

↑↑↑2400MHz內(nèi)存寬帶測(cè)試

再來看內(nèi)存延遲測(cè)試。

↑↑↑2133MHz內(nèi)存延遲測(cè)試

↑↑↑2400MHz內(nèi)存延遲測(cè)試

對(duì)比詳情:

可以看到,在2400MHz的頻率下,它的內(nèi)存延遲從95.4ns提高到87ns,響應(yīng)時(shí)間提升了8.8%,內(nèi)存寬帶從22.82GB/s提高到25.48GB/s,也向上提升了11%。

4、WinRAR基準(zhǔn)測(cè)試

↑↑↑2133MHz基準(zhǔn)測(cè)試

↑↑↑2400MHz基準(zhǔn)測(cè)試

對(duì)比詳情:

在WinRAR壓縮測(cè)試中,在2133頻率狀態(tài)的內(nèi)存解壓速度為8771KB/s,在2400頻率狀態(tài)的內(nèi)存解壓速度為10823KB/s,速度提升23%。

5、超頻測(cè)試

為了保證超頻的穩(wěn)定,筆者將平臺(tái)換成Intel,依舊是默認(rèn)時(shí)序下,我們將頻率超到2600MHz,平臺(tái)正常啟動(dòng),先給大家看一下CPUZ給出的基本信息。

↑↑↑2600MHz-CPUZ

我們跑AIDA64看一下具體數(shù)據(jù)。

↑↑↑2600MHz內(nèi)存讀寫測(cè)試

我們來對(duì)比一下2400MHz的數(shù)據(jù)。

↑↑↑AIDA64內(nèi)存讀寫測(cè)試對(duì)比

↑↑↑AIDA64內(nèi)存延遲測(cè)試對(duì)比

可以非常直觀的看到,在2600MHz加持下,即使用了性能更低的I3 Intel平臺(tái),其性能也得到大幅提升。

內(nèi)存讀寫拷貝速度,分別為37434MB/s、38788MB/s、31808MB/s,相比2400MHz提升了33%、27%、7% ,而內(nèi)存延遲更是直接到51ns,速度提升36%。

由此,可以得出結(jié)論,極光A30是具有一定超頻性能的,而且不止2600MHz,說不定極限還能更高。

但是,A30畢竟是定位在入門的普條,而日常使用也并不需要超頻,因此筆者并未做更多的測(cè)試。而且考慮到內(nèi)存長(zhǎng)期高負(fù)荷運(yùn)行的穩(wěn)定性問題,也不建議有意入手A30的玩家在超頻下使用。

四、總結(jié):DDR4內(nèi)存入門首選

以往,DIY玩家們提到DDR4入門普條,第一反應(yīng)就是2133MHz、沒有散熱馬甲等等固定印象。

而臺(tái)電雖未公布極光A30的售價(jià),但官方指出價(jià)格定位會(huì)與DDR4主流入門級(jí)別的普條相當(dāng),可以看得出,臺(tái)電選擇了拉高內(nèi)存市場(chǎng)下限這樣一個(gè)進(jìn)入市場(chǎng)的方式。

2400Mhz、散熱馬甲、8層 PCB、原廠內(nèi)存顆粒甚至超頻性能等等普通消費(fèi)者期待的東西一個(gè)都沒拉下,足以見臺(tái)電的誠(chéng)意和殺入內(nèi)存市場(chǎng)的野心。

總得來說,對(duì)比市面上同價(jià)位DDR4入門普條,臺(tái)電A30將是一款非常具有性價(jià)比的產(chǎn)品,在內(nèi)存一路漲價(jià)的2017年,期待臺(tái)電能給我們帶來新的驚喜吧。

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