TE Connectivity (TE) 的NanoRF光學(xué)混合模塊提供85GHz最大額定頻率和50Ω 阻抗額定值。這些模塊在背板上采用浮動(dòng)插件，其引導(dǎo)功能可在連接前對(duì)預(yù)對(duì)準(zhǔn)觸點(diǎn)，從而降低損壞的可能性。NanoRF模塊在基于VPX的嵌入式計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的通用連接器模塊內(nèi)提供高密度射頻和光學(xué)連接。TE NanoRF光學(xué)混合模塊適合用于電子對(duì)抗、導(dǎo)彈引導(dǎo)、戰(zhàn)術(shù)通信以及雷達(dá)應(yīng)用。

數(shù)據(jù)手冊(cè)；*附件：TE Connectivity NanoRF光學(xué)混合模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 可提高密度和速度
• 背板上浮動(dòng)插件包含觸點(diǎn)和光學(xué)安裝架
• 外形小巧
• 具有對(duì)準(zhǔn)特性，實(shí)現(xiàn)可靠、無螺柱插配

TE Connectivity NanoRF光學(xué)混合模塊技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述與核心創(chuàng)新

?TE Connectivity NanoRF光學(xué)混合模塊?代表了下一代VPX模塊技術(shù)的重要突破。該產(chǎn)品通過創(chuàng)新的設(shè)計(jì)理念，在小型化封裝中實(shí)現(xiàn)了?密度和速度的顯著提升?。

?關(guān)鍵技術(shù)特征?：

• 采用背板側(cè)浮動(dòng)插芯設(shè)計(jì)，集成NanoRF接觸件和光學(xué)安裝座
• 配備對(duì)中特征，確?？煽康臒o短截線插配
• 專門針對(duì)VPX嵌入式計(jì)算系統(tǒng)的高密度RF和光學(xué)連接需求

二、應(yīng)用領(lǐng)域與市場(chǎng)定位

?核心應(yīng)用場(chǎng)景?：

• 雷達(dá)系統(tǒng)
• 電子戰(zhàn)設(shè)備
• 導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng)
• 戰(zhàn)術(shù)通信系統(tǒng)

?目標(biāo)市場(chǎng)細(xì)分?：

• 地面防御
• 導(dǎo)彈防御
• C5ISR（指揮、控制、通信、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)、情報(bào)、監(jiān)視和偵察）

三、接口標(biāo)準(zhǔn)與機(jī)械特性

?通用插配接口?：
支持CableMT和邊緣安裝收發(fā)器，為客戶提供額外的模塊化選擇和靈活性。多種插槽配置和連接器模塊已加入VITA 65.0和65.1標(biāo)準(zhǔn)，確保不同VPX硬件供應(yīng)商之間的互插性和互操作性，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈體系。

?材料選擇?：
提供基卡和夾層邊緣安裝或電纜選項(xiàng)，滿足不同應(yīng)用需求。

四、電氣性能參數(shù)詳解

?高頻性能?：

• 額定最高頻率：85 GHz
• 隔離度（電纜對(duì)電纜）：
  27至40 GHz：≥ 90 dB
  3至27 GHz：≥ 100 dB
  30至3 GHz：≥ 120 dB
  3至30 MHz：≥ 140 dB

?測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)?：

• 測(cè)試包含電纜對(duì)邊緣發(fā)射的板端接效應(yīng)
• 依據(jù)EIA 364-90方法B進(jìn)行測(cè)試
• 阻抗：50歐姆

?駐波比性能?：

• 表面VSWR（電纜對(duì)電纜）：
  至40 GHz最大1.4:1（0.047和0.086電纜）
  40至50 GHz最大1.5:1（0.086電纜）
  40至67 GHz最大1.5:1（0.047電纜）
  67至85 GHz最大1.6:1（0.047電纜）
• 電纜對(duì)PCB邊緣發(fā)射：
  至40 GHz最大1.4:1
  40至67 GHz最大1.5:1（0.047電纜）

五、機(jī)械可靠性與環(huán)境適應(yīng)性

?耐久性能?：

• 插配循環(huán)次數(shù)：500次
• 工作溫度范圍：-55°C至+125°C
• 電纜直徑：
  插件卡：0.047
  背板選項(xiàng)：0.047和0.086