Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設(shè)計用于高效電源開關(guān)應(yīng)用。SiEH4800EW采用緊湊型PowerPAK^?^ 8mmx8mm接合無線（BWL）封裝，在VGS 為10V時具有0.00115Ω超低導(dǎo)通電阻，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗并提高散熱性能。Vishay/Siliconix MOSFET具有260A的最大連續(xù)漏極電流和117nC的低柵極電荷，優(yōu)化用于快速開關(guān)和大電流處理，因此非常適合用于同步整流、電機(jī)驅(qū)動器和高性能直流-直流轉(zhuǎn)換器。堅固的設(shè)計和先進(jìn)的溝槽技術(shù)確保在嚴(yán)苛環(huán)境中可靠運行。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Vishay ， Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET?第四代N溝道MOSFET數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• TrenchFET第四代功率MOSFET
• 采用節(jié)省空間的PowerPAK 8mm x 8mm BWL封裝，具有1mm超薄高度，可最大限度地降低寄生電感，同時最大程度地提高電流能力
• 可濕性側(cè)翼封裝提高了可焊性，同時更容易目測檢查焊點可靠性
• 采用熔斷引線，增加源焊盤可焊接面積，實現(xiàn)更穩(wěn)健的設(shè)計
• 低最大RthJC ：0.36°C/W，提高了散熱性能
• 導(dǎo)通電阻低至0.88mΩ（10V時典型值），可最大限度地降低導(dǎo)通時的功率損耗，從而提高效率
• 超低RDS x Qg品質(zhì)因數(shù)(FOM)
• 工作溫度高達(dá)+175°C
• 占位面積比D2PAK (TO-263)小50%
• 經(jīng)100% Rg和UIS測試
• 完全無鉛、無鹵，符合RoHS指令

?Vishay SiEH4800EW 80V TrenchFET? 第四代N溝道功率MOSFET技術(shù)解析?

?一、核心產(chǎn)品定位?

Vishay Siliconix推出的SiEH4800EW是一款采用?TrenchFET? Gen IV技術(shù)?的N溝道功率MOSFET，具有?80V耐壓?和?175°C最高結(jié)溫?能力。其采用?PowerPAK? 8×8 BWL?封裝，專為高效率、高功率密度場景設(shè)計，適用于同步整流、電機(jī)驅(qū)動、電池管理等工業(yè)與汽車電子領(lǐng)域。

?二、關(guān)鍵技術(shù)特性深度解析?

?1. 電氣性能突破?

• ?導(dǎo)通電阻?：
  • ? VGS=10V時典型值0.00088Ω（最大值0.00115Ω） ?
  • ? VGS=7.5V時典型值0.00091Ω（最大值0.00135Ω） ?
• ?柵極電荷?：?典型值140nC?，實現(xiàn)?低開關(guān)損耗?
• ?連續(xù)漏極電流?：
  • ?TC=25°C時達(dá)381A?
  • ?TA=25°C時達(dá)34A?
• ?柵極閾值電壓?：? 2V~4V（ID=250μA） ?

?2. 封裝與散熱創(chuàng)新?

• ?PowerPAK? 8×8 BWL封裝?較傳統(tǒng)D2PAK面積縮小50%
• ?熱阻參數(shù)?：
  • ?結(jié)到環(huán)境（RthJA）最大44°C/W?
  • ?結(jié)到外殼（RthJC）最大0.36°C/W?
• ?可濕性側(cè)翼設(shè)計?提升焊接可靠性，支持自動光學(xué)檢測（AOI）

?3. 動態(tài)特性優(yōu)化?

• ?開關(guān)速度?（VDD=40V, ID=10A）：
  • ?開啟延遲td(on)≤45ns，上升時間tr≤140ns?
  • ?關(guān)斷延遲td(off)≤130ns，下降時間tf≤40ns?
• ?體二極管特性?：
  • ?反向恢復(fù)時間trr≤165ns?
  • ? 正向壓降VSD≤1.1V（IS=10A） ?

?三、典型應(yīng)用場景分析?

? 1. 同步整流（開關(guān)電源） ?

憑借? 超低RDS(on)×Qg優(yōu)值（FOM） ?，可在高頻LLC諧振轉(zhuǎn)換器中替代肖特基二極管，提升效率3%~5%。

?2. 電機(jī)驅(qū)動控制?

• ? 高連續(xù)電流（381A） ? 支持大功率BLDC/PMSM驅(qū)動
• ?快速開關(guān)特性?減少死區(qū)時間損耗，適用于工業(yè)伺服與電動汽車電控

? 3. 電池管理系統(tǒng)（BMS） ?

• ?80V耐壓?覆蓋16S~18S鋰電池組保護(hù)
• ?175°C結(jié)溫?保障高溫環(huán)境下的可靠性

?四、設(shè)計關(guān)鍵考量?

?1. 驅(qū)動要求?

• ?推薦柵極電壓≥7.5V?以充分發(fā)揮低導(dǎo)通電阻優(yōu)勢
• ?柵極電阻需≤1Ω?以避免開關(guān)振蕩

?2. 熱管理建議?

• ? 結(jié)到外殼熱阻僅0.27°C/W（典型） ?，需通過PCB銅箔或外部散熱器及時導(dǎo)熱
• ?功率降額曲線?顯示TC≥100°C時需線性降低電流負(fù)載

?3. 布局優(yōu)化?

• ?推薦焊盤圖案?包含8個1.10mm×1.05mm的接觸區(qū)
• ?底部散熱焊盤尺寸6.00mm×6.00mm?，要求與PCB大面積覆銅連接

?五、性能曲線核心解讀?

1. ?輸出特性?：VGS=10V至4V范圍內(nèi)呈現(xiàn)?優(yōu)異線性度?
2. ?轉(zhuǎn)移特性?：跨導(dǎo)gfs達(dá)150S（典型），提供高增益
3. ?導(dǎo)通電阻溫漂?：150°C時RDS(on)增至25°C時的1.6倍

?六、技術(shù)趨勢關(guān)聯(lián)?

• ?第四代TrenchFET技術(shù)?通過單元密度優(yōu)化，實現(xiàn)?RDS(on)與Qg的平衡?
• ?無鉛環(huán)保設(shè)計?符合歐盟RoHS指令，適配綠色能源發(fā)展需求