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標(biāo)簽 > TrenchFET
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Vishay SiRS5700DP N溝道MOSFET技術(shù)深度解析:性能優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用實(shí)踐
Vishay SiRS5700DP N溝道150V(D-S)MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET,具有非常低的R~DS~ x Q...
基于Vishay SiJK140E MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay/Siliconix SiJK140E N溝道40V(D-S)MOSFET采用TrenchFET^?^ 第五代功率技術(shù)。該MOSFET優(yōu)化了...
Vishay SiEH4800EW 80V TrenchFET? 第四代N溝道功率MOSFET技術(shù)解析
Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設(shè)計(jì)用于高效電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用。SiEH48...
基于Vishay SiJK5100E N溝道MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析
Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET,具有100V漏源電壓。該...
Vishay Siliconix發(fā)布新款N溝道TrenchFET功率MOSFET-SiR872ADP
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB
Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
Vishay推出新款40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L
Vishay推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
Vishay發(fā)布新款TrenchFET功率MOSFET-SiB437EDKT
日前,Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFE...
Vishay發(fā)布TrenchFET功率MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA923EDJ
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923ED...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA427DJ
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器...
Vishay推出非對(duì)稱雙通道TrenchFET功率MOSFE
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen ...
2010-11-25 標(biāo)簽:TrenchFET 1.3k 0
Vishay推出背面絕緣的TrenchFET功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT 芯片級(jí)封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --...
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