威兆半導體推出的VSU070N65HS3是一款面向 650V 高壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 TO-247 封裝，適配高壓電源管理、DC/DC 轉換器等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值460mΩ，\(V_{GS}=20V\)時典型值400mΩ，高壓場景下傳導損耗可控；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 硅片約束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：48A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為31A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：143A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），滿足負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• Super Junction 工藝：適配高壓場景，兼顧耐壓與導通電阻的平衡；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試與 100% Rg 測試，單脈沖雪崩能量達 1561mJ，抗沖擊能力強；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：TO-247 直插封裝，包裝規(guī)格為 300pcs/Tube，適配高壓大電流散熱需求的電路設計；
• 典型應用：
  • 650V 級高壓 DC/DC 轉換器開關管；
  • 工業(yè)設備的高壓電源管理系統(tǒng)；
  • 光伏、儲能等高壓場景的功率開關。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。）