TO-220封裝因其結(jié)構(gòu)堅(jiān)固、安裝方便、散熱性能優(yōu)良，廣泛應(yīng)用于各類中高功率場合，如DC/DC電源、儲能系統(tǒng)、園林工具以及BLDC電機(jī)驅(qū)動等。

在這些應(yīng)用中，MOS管的耐壓、電流承載能力、導(dǎo)通損耗和開關(guān)性能直接影響整機(jī)效率與可靠性。因此飛虹半導(dǎo)體推出的FHP110N8F5B（TO-220封裝）是一款性能優(yōu)異的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，適用于多種中高壓、大電流場景，為電源管理與電機(jī)驅(qū)動電路提供了可靠的國產(chǎn)場效應(yīng)管。

1FHP110N8F5B在電源與電機(jī)驅(qū)動設(shè)計(jì)的特點(diǎn)

1、電壓電流適配廣泛：85V的漏源電壓（VDSS）與147A的連續(xù)漏極電流（ID），使其能夠勝任多數(shù)DC-DC變換器及電機(jī)驅(qū)動中的功率開關(guān)任務(wù)。

2、低導(dǎo)通電阻，高效率：RDS(on)典型值僅為4.4mΩ@VGS=10V，最大值為5.0mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗，提升電源轉(zhuǎn)換效率和電機(jī)驅(qū)動性能。

3、強(qiáng)柵極驅(qū)動兼容性：VGS耐受范圍達(dá)±20V，適配主流柵極驅(qū)動芯片，提升系統(tǒng)設(shè)計(jì)的靈活性。

4、優(yōu)良的開關(guān)特性：低反向傳輸電容（C_rss = 23pF）有助于實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)，降低開關(guān)損耗，適用于高頻開關(guān)電源及PWM電機(jī)控制。

2FHP110N8F5B核心參數(shù)的匹配適用

該器件為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，主要參數(shù)如下：

VDSS: 85V

ID: 147A

最大脈沖漏極電流IDM: 480A

RDS(on) = 5.0mΩ(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) =4.4mΩ(TYP) @VGS = 10 V

VGS(th): 2.0–4.0V

封裝: TO-220

FHP110N8F5B是一款性能全面、封裝適用廣的中低壓MOSFET，特別適用于DC/DC電源、儲能設(shè)備和電機(jī)驅(qū)動等中高功率應(yīng)用。飛虹半導(dǎo)體作為國內(nèi)功率器件重要供應(yīng)商，不僅提供各類型MOS管、IGBT單管、三極管等標(biāo)準(zhǔn)型號，還支持定制化需求，并已實(shí)現(xiàn)與多家BMS廠商的穩(wěn)定合作。