高壓功率MOSFET在高頻開關(guān)電源中起到關(guān)鍵角色，其耐壓能力、開關(guān)速度及可靠性直接決定整機效率與穩(wěn)定性。尤其在AC-DC開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器及高壓H橋PWM電機驅(qū)動等場景中，MOS管需承受高電壓應(yīng)力、快速開關(guān)頻率及復(fù)雜電磁環(huán)境。

飛虹半導(dǎo)體推出的FHP8N65W（TO-220封裝）是一款高性能N溝道增強型高壓功率MOSFET，以其650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及卓越開關(guān)特性，為工程師提供國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)場效應(yīng)管替代之選，完美對標國際品牌型號FQPF8N65C。

FHP8N65W在高頻開關(guān)電源設(shè)計的特點

1、高壓參數(shù)的適配能力：650V的漏源電壓（VDSS）與8A的連續(xù)漏極電流（ID@25℃），使其能夠勝任高壓開關(guān)電源及電機驅(qū)動中的功率開關(guān)任務(wù)，覆蓋工業(yè)級應(yīng)用需求。

2、低導(dǎo)通電阻與高效率：RDS(on)典型值低至1.0Ω@VGS=10V，最大值為1.25Ω，有效降低導(dǎo)通損耗，提升電源轉(zhuǎn)換效率與電機驅(qū)動性能。

3、快速開關(guān)與低損耗：總柵極電荷（Qg）僅22nC，反向傳輸電容（Crss）低至2.6pF，結(jié)合快速的導(dǎo)通/關(guān)斷時間（td(on)=31ns, td(off)=78ns）。

4、高可靠性設(shè)計與強抗干擾性：通過100%雪崩測試（EAS=180mJ），支持高抗dv/dt能力（5V/ns），確保在電壓尖峰與反向恢復(fù)等惡劣條件下穩(wěn)定工作，延長系統(tǒng)壽命。

FHP8N65W核心參數(shù)的匹配適用

該器件為N溝道增強型功率MOSFET，主要參數(shù)如下：

VDSS: 650V

ID: 8A

最大脈沖漏極電流IDM: 32A

RDS(on) = 1.25Ω(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) =1.0Ω(TYP) @VGS = 10 V

VGS(th): 2.0–4.0V

封裝: TO-220

FHP8N65W以其一致性好、高可靠性及低導(dǎo)通內(nèi)阻等優(yōu)勢，成為高頻開關(guān)電源、高壓電機驅(qū)動等領(lǐng)域的理想國產(chǎn)替代方案。飛虹半導(dǎo)體作為國內(nèi)功率器件重要供應(yīng)商，不僅提供各類型MOS管、IGBT單管、三極管等標準型號，還支持定制化需求，并已實現(xiàn)與多家電源廠商的穩(wěn)定合作。