繼SiC MOSFET在新能源汽車主驅領域實現(xiàn)快速上量應用后，AI數據中心電源正成為其下一個爆發(fā)式增長市場。

近日，芯聯(lián)集成（688469.SH）發(fā)布全新碳化硅G2.0技術平臺，采用了8英寸更先進制造技術，已達到全球領先水平。

該技術平臺通過器件結構與工藝制程的雙重優(yōu)化，實現(xiàn)“高效率、高功率密度、高可靠”核心目標，全面覆蓋電驅與電源兩大核心應用場景，可廣泛應用新能源汽車主驅、車載電源及AI數據中心電源等廣闊市場。

在電驅領域，芯聯(lián)集成碳化硅G2.0電驅版憑借更低導通損耗與優(yōu)異開關軟度，功率密度提升20%，可顯著增強新能源汽車主驅系統(tǒng)動力輸出與能效表現(xiàn)，為整車續(xù)航提升提供關鍵支撐。

電源場景中，芯聯(lián)集成碳化硅G2.0電源版針對性優(yōu)化寄生電容設計，通過封裝優(yōu)化強化散熱，開關損耗降低高達30%，兼具強化的動態(tài)可靠性設計，實現(xiàn)電源轉換效率與系統(tǒng)功率密度大幅提升，完美適配SST、HVDC等AI數據中心電源及車載OBC電源需求。

2024年，芯聯(lián)集成SiC MOSFET收入超10億元，今年預計仍將實現(xiàn)50%以上增長。隨著AI數據中心電源需求的增加，明年公司預計在該領域將實現(xiàn)更快增速發(fā)展。

芯聯(lián)集成此次發(fā)布的全新碳化硅G2.0技術平臺，核心參數及各類核心指標均實現(xiàn)對國際主流廠商最先進水平對標，進一步鞏固了自身技術領先地位。未來，該平臺將極大助力客戶把握新能源電氣化與AI算力建設雙重機遇，構建領先的差異化競爭優(yōu)勢。