該ADS58C28是一款雙通道、11位模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC），采樣率最高可達(dá)200MSPS。該器件采用創(chuàng)新設(shè)計(jì)技術(shù)，在1.8V供電下極低功耗的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了高動(dòng)態(tài)性能。這種架構(gòu)非常適合多載波寬帶通信應(yīng)用。

該ADS58C28采用第三代SNRBoost處理器^3G^克服因量化噪聲引起的信噪比限制的技術(shù)（對(duì)于小于奈奎斯特，f 帶寬） S /2).SNRBoost 的改進(jìn)^3G^技術(shù)支持在寬帶寬（最高60MHz）范圍內(nèi)提升信噪比。此外，還有獨(dú)立的SNRBoost。^3G^每個(gè)通道也可以編程系數(shù)。
*附件：ads58c28.pdf

該器件具有數(shù)字增益功能，可用于提升SFDR在較低全刻度輸入范圍的性能。它包含一個(gè)直流偏移校正環(huán)路，可用于取消ADC偏移。所有通道的數(shù)字輸出均以雙倍數(shù)據(jù)率（DDR）低壓差分信號(hào)（LVDS）形式輸出，同時(shí)輸出LVDS時(shí)鐘。該接口的數(shù)據(jù)率較低（200MSPS 采樣率下400MBPS），使得使用基于現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）的低成本接收器成為可能。LVDS輸出緩沖器的強(qiáng)度可以增加以支持50Ω差分終端。這一提升使輸出時(shí)鐘信號(hào)能夠連接到兩個(gè)具有有效終端50Ω的獨(dú)立接收芯片（例如GC5330的兩個(gè)時(shí)鐘端口）。相同的數(shù)字輸出引腳也可以配置為并行1.8伏CMOS接口。

該器件包含內(nèi)部參考，而傳統(tǒng)的參考引腳和相關(guān)的解耦電容已被取消。ADS58C28在工業(yè)溫度范圍內(nèi)（–40°C至+85°C）內(nèi)規(guī)定。

特性

• 最大采樣率：200MSPS
• 高動(dòng)態(tài)性能：
  • 83dBc SFDR，140MHz
  • 使用SNRBoost提供60MHz波段的72.5dBFS信噪比^3G^科技
• SNRBoost^3G^突出：
  • 支持寬帶寬（最高60MHz）
  • 可編程帶寬：
    20MHz、30MHz和40MHz
  • 頻段內(nèi)的平坦噪聲底
  • 獨(dú)立SNRBoost^3G^兩個(gè)通道的系數(shù)
• 輸出接口：
  • 雙倍數(shù)據(jù)率（DDR）LVDS，具備可編程擺動(dòng)和強(qiáng)度：
    • 標(biāo)準(zhǔn)擺幅：350mV
    • 低擺幅：200mV
    • 默認(rèn)強(qiáng)度：100Ω終端
    • 2× 強(qiáng)度：50Ω終端
  • 兼容GC6016
  • 還支持 1.8V 并行 CMOS 接口
• 單1.8伏電源的超低功率：
  • 470mW總功率
  • 710mW總功率（200MSPS），使用SNRBoost。^3G^兩個(gè)頻道
• 可編程增益最高可達(dá)6dB，用于信
  噪比/SFDR權(quán)衡
• 直流偏移校正
• 支持低輸入時(shí)鐘幅度
• 包裝：QFN-64（9毫米×9毫米）

參數(shù)

方框圖

ADS58C28 是德州儀器（TI）推出的雙通道 11 位高速低功耗模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC），核心優(yōu)勢(shì)為 200 MSPS 高采樣率、SNRBoost3G 寬頻帶信噪比增強(qiáng)技術(shù)與靈活輸出接口，動(dòng)態(tài)性能優(yōu)異，適配多載波、寬帶通信等高速多通道數(shù)據(jù)采集場(chǎng)景。

一、核心產(chǎn)品參數(shù)

1. 基礎(chǔ)性能指標(biāo)

• 采樣與精度 ：11 位分辨率，積分非線性（INL）±1.5 LSB，差分非線性（DNL）-0.6~0.6 LSB；170 MHz 輸入時(shí)，SNR 典型值 66 dBFS、SFDR 80 dBc，雙音互調(diào)失真（IMD）83 dBFS，動(dòng)態(tài)性能穩(wěn)定。
• 輸入特性 ：差分輸入范圍 2 VPP（0 dB 增益），共模電壓 0.95 V；模擬輸入帶寬 550 MHz，支持最高 600 MHz 高頻信號(hào)采集；輸入阻抗 0.75 kΩ（200 MHz）、輸入電容 3.7 pF，適配高速信號(hào)源驅(qū)動(dòng)。
• 功耗與供電 ：?jiǎn)?1.8 V 電源供電（AVDD/DRVDD），200 MSPS 時(shí)總功耗 470 mW（SNRBoost3G 關(guān)閉）、710 mW（雙通道 SNRBoost3G 開(kāi)啟）；支持全局掉電（功耗 15 mW）與待機(jī)模式，適配低功耗設(shè)備。
• 增強(qiáng)技術(shù) ：集成 SNRBoost3G 技術(shù)，支持 20/30/40/60 MHz 可編程帶寬，60 MHz 帶寬下 SNR 典型值 72.5 dBFS，較默認(rèn)模式提升 4.2 dBFS，噪聲底平坦。

2. 環(huán)境與封裝

• 工作溫度：-40°C 至 85°C，滿足工業(yè)級(jí)寬溫要求；
• 封裝形式：64 引腳 QFN 封裝（9mm×9mm），RoHS 兼容，引腳鍍層為 Cu/NiPdAu，MSL 等級(jí) 3，峰值回流溫度 260°C；
• ESD 防護(hù)：人體模型（HBM）2 kV，防護(hù)性能適配工業(yè)操作環(huán)境。

二、關(guān)鍵功能特性

1. 靈活輸出與接口

• 雙輸出接口：支持 DDR LVDS 與并行 CMOS 接口，LVDS 模式支持標(biāo)準(zhǔn)（350 mV）/ 低（200 mV）擺幅，輸出強(qiáng)度可編程（適配 100Ω/50Ω 終端）；CMOS 模式適配 1.8 V 邏輯電平，支持 11 位并行輸出。
• 控制接口：4 線 SPI 兼容接口（最高 20 MHz），支持 QSPI、MICROWIRE 協(xié)議；同時(shí)支持并行引腳配置，可通過(guò) CTRL1~CTRL3 引腳快速控制 SNRBoost3G 開(kāi)關(guān)與掉電模式，靈活適配不同系統(tǒng)架構(gòu)。
• 多通道協(xié)同：雙通道獨(dú)立可編程，支持通道 A/B 分別配置 SNRBoost3G 參數(shù)、增益與偏移校正，也可通過(guò)多路復(fù)用模式將雙通道數(shù)據(jù)合并輸出，適配多樣化采集需求。

2. 性能增強(qiáng)與校正功能

• SNRBoost3G 技術(shù)：支持 55 種預(yù)編程濾波器組合，可靈活配置帶寬（20~60 MHz）與中心頻率，噪聲底呈 “浴缸形” 平坦特性，在目標(biāo)帶寬內(nèi)顯著提升信噪比，且不影響諧波性能。
• 可編程增益：支持 0~6 dB 可編程增益（0.5 dB 步進(jìn)），增益提升可優(yōu)化 SFDR 性能，適配不同幅度輸入信號(hào)，低增益下兼顧 SNR。
• 直流偏移校正：內(nèi)置偏移校正環(huán)路，可校正 ±10 mV 直流偏移，支持校正時(shí)間常數(shù)編程與校正值凍結(jié)，提升直流精度。

3. 同步與時(shí)序特性

• 通道同步：兩通道孔徑延遲匹配 ±70 ps，確保多通道采集時(shí)序一致性；支持外部 LDAC 信號(hào)同步更新輸出，適配多 ADC 級(jí)聯(lián)場(chǎng)景。
• latency：默認(rèn)模式下 latency 16 個(gè)時(shí)鐘周期，開(kāi)啟 SNRBoost3G 后 17 個(gè)時(shí)鐘周期，增益與偏移校正均開(kāi)啟時(shí) 24 個(gè)時(shí)鐘周期，時(shí)序可預(yù)測(cè)性強(qiáng)。

二、關(guān)鍵功能特性

1. 靈活輸出與接口

• 雙輸出接口：支持 DDR LVDS 與并行 CMOS 接口，LVDS 模式支持標(biāo)準(zhǔn)（350 mV）/ 低（200 mV）擺幅，輸出強(qiáng)度可編程（適配 100Ω/50Ω 終端）；CMOS 模式適配 1.8 V 邏輯電平，支持 11 位并行輸出。
• 控制接口：4 線 SPI 兼容接口（最高 20 MHz），支持 QSPI、MICROWIRE 協(xié)議；同時(shí)支持并行引腳配置，可通過(guò) CTRL1~CTRL3 引腳快速控制 SNRBoost3G 開(kāi)關(guān)與掉電模式，靈活適配不同系統(tǒng)架構(gòu)。
• 多通道協(xié)同：雙通道獨(dú)立可編程，支持通道 A/B 分別配置 SNRBoost3G 參數(shù)、增益與偏移校正，也可通過(guò)多路復(fù)用模式將雙通道數(shù)據(jù)合并輸出，適配多樣化采集需求。

2. 性能增強(qiáng)與校正功能

• SNRBoost3G 技術(shù)：支持 55 種預(yù)編程濾波器組合，可靈活配置帶寬（20~60 MHz）與中心頻率，噪聲底呈 “浴缸形” 平坦特性，在目標(biāo)帶寬內(nèi)顯著提升信噪比，且不影響諧波性能。
• 可編程增益：支持 0~6 dB 可編程增益（0.5 dB 步進(jìn)），增益提升可優(yōu)化 SFDR 性能，適配不同幅度輸入信號(hào)，低增益下兼顧 SNR。
• 直流偏移校正：內(nèi)置偏移校正環(huán)路，可校正 ±10 mV 直流偏移，支持校正時(shí)間常數(shù)編程與校正值凍結(jié)，提升直流精度。

3. 同步與時(shí)序特性

• 通道同步：兩通道孔徑延遲匹配 ±70 ps，確保多通道采集時(shí)序一致性；支持外部 LDAC 信號(hào)同步更新輸出，適配多 ADC 級(jí)聯(lián)場(chǎng)景。
• 延遲特性：默認(rèn)模式下延遲 16 個(gè)時(shí)鐘周期，開(kāi)啟 SNRBoost3G 后 17 個(gè)時(shí)鐘周期，增益與偏移校正均開(kāi)啟時(shí) 24 個(gè)時(shí)鐘周期，時(shí)序可預(yù)測(cè)性強(qiáng)。

三、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

1. 典型應(yīng)用場(chǎng)景

• 通信系統(tǒng)：多載波基站、寬帶射頻接收機(jī)、軟件無(wú)線電（SDR）；
• 工業(yè)檢測(cè)：高速數(shù)據(jù)采集卡、無(wú)損檢測(cè)設(shè)備、多通道測(cè)試儀器；
• 醫(yī)療電子：超聲成像設(shè)備、高速生理信號(hào)采集系統(tǒng)。

2. 硬件設(shè)計(jì)建議

• 供電與去耦 ：AVDD 與 DRVDD 需獨(dú)立供電，電源引腳就近放置 0.1 μF 陶瓷電容 + 10 μF 鉭電容去耦，模擬地（AGND）與數(shù)字地（DRGND）單點(diǎn)連接，減少噪聲耦合。
• 輸入驅(qū)動(dòng)：推薦差分驅(qū)動(dòng)電路，輸入引腳串聯(lián) 5~15 Ω 電阻抑制寄生振蕩；通過(guò) 25 Ω 電阻將輸入引腳端接至 0.95 V 共模電壓（VCM 引腳提供），降低共模噪聲。
• 布局規(guī)范：模擬信號(hào)與數(shù)字信號(hào)分區(qū)布線，LVDS 信號(hào)線等長(zhǎng)設(shè)計(jì)；裸露焊盤（PowerPAD）需焊接至接地平面，提升散熱與抗干擾性能。

3. 軟件與配置

• 接口配置：支持 SPI 串行配置與并行引腳配置，SPI 接口可讀寫(xiě)內(nèi)部寄存器，配置 SNRBoost3G 參數(shù)、增益、偏移校正等功能；并行引腳可快速控制核心模式，無(wú)需寄存器編程。
• SNRBoost3G 配置：需先禁用數(shù)字模式位，選擇濾波器編號(hào)后啟用功能，支持通過(guò) CTRL 引腳動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)通道 A/B 的 SNRBoost3G，適配實(shí)時(shí)場(chǎng)景切換。
• 測(cè)試模式：支持全 0 / 全 1、翻轉(zhuǎn)、斜坡、自定義測(cè)試圖案，便于系統(tǒng)鏈路驗(yàn)證；寄存器支持讀回功能，可診斷配置正確性。

四、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)與選型適配

• 核心優(yōu)勢(shì)：雙通道獨(dú)立可編程，適配多通道同步采集；SNRBoost3G 技術(shù)突破寬頻帶信噪比瓶頸；1.8 V 單電源簡(jiǎn)化供電設(shè)計(jì)，LVDS/CMOS 雙接口靈活適配后端處理芯片。
• 選型建議：對(duì)多通道、寬頻帶、高信噪比要求的通信與測(cè)試設(shè)備優(yōu)先選擇；低功耗場(chǎng)景可關(guān)閉 SNRBoost3G 并啟用掉電模式；需更高分辨率可考慮 TI ADS414x 系列 14 位產(chǎn)品，需更高采樣率可選擇 ADS58C48（300 MSPS）。