安森美 (onsemi) NVD5867NL單N通道功率MOSFET的漏源電壓為60V，最大漏源導(dǎo)通電阻為39mΩ。該N通道MOSFET的R DS(on) 值低，可最大限度地減少導(dǎo)通損耗，并具有大電流能力。NVD5867NL N通道MOSFET符合雪崩能量規(guī)格要求，通過AEC-Q101認(rèn)證，并支持PPAP。這款N通道MOSFET無鉛、無鹵/無BFR，符合RoHS指令。典型應(yīng)用包括汽車電磁閥/繼電器驅(qū)動器、汽車燈驅(qū)動器、汽車電機(jī)驅(qū)動器、汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出驅(qū)動器以及汽車信息娛樂系統(tǒng)。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：onsemi NVD5867NL單N溝道功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 低R DS(on) 值，可最大限度降低導(dǎo)通損耗
• 大電流能力
• 指定雪崩能量
• 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能
• 無鉛、無鹵/無BFR
• 符合RoHS指令

N 通道 MOSFET

NVD5867NL 單N溝道功率MOSFET技術(shù)詳解?

?一、產(chǎn)品概述?
NVD5867NL是onsemi推出的一款60 V耐壓、22 A電流的單N溝道功率MOSFET，采用DPAK封裝。該器件具有39 mΩ（@10 V）的低導(dǎo)通電阻，適用于高頻開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動等高效能應(yīng)用場景。

?二、關(guān)鍵特性解析?

1. ?電氣性能優(yōu)勢?
   • ?低導(dǎo)通電阻?：10 V驅(qū)動時僅39 mΩ，4.5 V驅(qū)動時為50 mΩ，可顯著降低導(dǎo)通損耗
   • ?高電流能力?：連續(xù)漏極電流22 A（TC=25℃），脈沖電流達(dá)85 A
   • ?雪崩耐量?：單脈沖雪崩能量18 mJ（IL=19 A條件下）
2. ?可靠性設(shè)計?
   • AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證，支持PPAP流程
   • 無鉛、無鹵素環(huán)保材料，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
   • 工作結(jié)溫范圍-55℃至175℃

?三、極限參數(shù)說明?

?四、電氣特性深度分析?

1. ?靜態(tài)參數(shù)?
   • ?閾值電壓? VGS(TH)：1.8 V（典型值），保證在1.5-2.5 V范圍內(nèi)
   • ?跨導(dǎo)? gFS：8.0 S（@11 A），體現(xiàn)柵極控制能力
   • ?漏電流? IDSS：1 μA（@60 V），顯示優(yōu)異關(guān)斷特性
2. ?動態(tài)參數(shù)?
   • ?柵極電荷? QG(TOT)：7.6 nC（@10 V），直接影響驅(qū)動電路設(shè)計
   • ?開關(guān)時間?：
     • 開啟延遲 td(on)：6.5 ns
     • 上升時間 tr：12.6 ns
     • 關(guān)斷延遲 td(off)：18.2 ns
     • 下降時間 tf：2.4 ns

?五、熱管理要點(diǎn)?

1. ?熱阻參數(shù)?
   • 結(jié)到外殼 RθJC：3.5 ℃/W
   • 結(jié)到環(huán)境 RθJA：45 ℃/W
2. ?降額曲線應(yīng)用?
   • 圖13的熱阻曲線顯示：脈沖寬度1 ms時瞬態(tài)熱阻約0.5 ℃/W

?六、應(yīng)用設(shè)計指南?

1. ?驅(qū)動電路設(shè)計?
   • 推薦柵極電阻2.5 Ω（測試條件）
   • 需確保VGS不超過±20 V極限值
2. ?安全工作區(qū)?
   • 圖11的SOA曲線指明：
     • 10 ms脈沖下可承受60 V/22 A
     • 直流工況需嚴(yán)格遵循熱限曲線

?七、選型與布局建議?

1. ?PCB布局?
   • 散熱焊盤需連接650 mm2銅箔
   • 柵極驅(qū)動回路面積最小化

?八、性能曲線解讀?

1. ?圖3? RDS(on)隨VGS變化曲線：建議實(shí)際驅(qū)動電壓不低于8 V以確保充分導(dǎo)通
2. ?圖5? 溫度特性：RDS(on)在150℃時約為25℃時的2.2倍