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onsemi NVBG050N170M1 碳化矽 MOSFET 技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-11-22 17:36 ? 次閱讀
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安森美 (onsemi) NVBG050N170M1碳化矽(SiCSiC)MOSFET是1700V M1平面SiC MOSFET系列的一部分,該系列專為快速開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化。此MOSFET具有最大76mΩ(在20V最大RDS(ON) 、1700V漏極至源極電壓、50A漏極連續(xù)電流和超低柵極充電/電荷(典型 QG(tot) = 107nC)時)。NVBG050N170M1 SiC MOSFET的有效輸出電容較低(典型Coss = 97pF),柵極至源極電壓為-15V/+25V。該碳化硅MOSFET 100%經(jīng)過雪崩測試,采用D2PAK-7L封裝。NVBG050N170M1碳化矽(SiC)MOSFET為無鉛2LI,不含鹵化物,符合RoHS標準,豁免7a條。典型應(yīng)用包括反激式轉(zhuǎn)換器、電動汽車/混合動力汽車用DC-DC轉(zhuǎn)換器以及車載充電器(OBC)。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:onsemi NVBG050N170M1碳化矽(SiC)MOSFET數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

  • 典型RDS(on) = 53mΩ(VGS = 20V)
  • 超低柵極電荷(典型QG(tot) = 107nC)
  • 低有效輸出電容(典型Coss = 97pF)
  • 100% 經(jīng)雪崩測試
  • 不含鹵素
  • 符合RoHS指令(7a豁免)
  • 無鉛2LI(二級互連)

MOSFET概述

1.png

典型特性

2.png

尺寸

3.png

onsemi NVBG050N170M1 碳化矽 MOSFET 技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述

?NVBG050N170M1? 是安森美(onsemi)推出的EliteSiC系列1700V碳化矽MOSFET,采用D2PAK-7L封裝,具備53mΩ的超低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)特性。該器件專為?電動汽車/混合動力汽車?的? 車載充電器(OBC) ? 和?DC-DC變換器?等高壓應(yīng)用場景設(shè)計。

二、核心技術(shù)特性

2.1 電氣性能參數(shù)

  • ?擊穿電壓?:1700V (V(BR)DSS)
  • ?導(dǎo)通電阻?:典型值53mΩ @ VGS=20V, ID=35A, TJ=25°C
  • ?最大連續(xù)漏極電流?:
    • 50A @ TC=25°C
    • 35A @ TC=100°C
  • ?柵極電荷?:總電荷典型值107nC,閾值電荷7.6nC

2.2 開關(guān)特性優(yōu)勢

  • ?極低輸出電容?:典型值97pF (Coss)
  • ?快速開關(guān)能力?:
    • 開啟延遲時間:14ns
    • 上升時間:22ns
  • ?開關(guān)損耗?:在VDS=1200V, ID=35A條件下,總開關(guān)損耗典型值1001mJ

2.3 熱管理特性

  • ?結(jié)殼熱阻?:0.39°C/W (RθJC)
  • ?工作結(jié)溫范圍?:-55°C至+175°C
  • ?雪崩能量?:單脈沖260mJ (EAS)

三、關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新

3.1 柵極驅(qū)動優(yōu)化

?推薦工作電壓范圍?:-5V至+20V,提供更安全的驅(qū)動裕量。與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比,碳化矽器件需要更負的關(guān)斷電壓以確保可靠性。

3.2 體二極管特性

  • ?連續(xù)源極電流?:87A (體二極管)
  • ?反向恢復(fù)時間?:27ns
  • ?反向恢復(fù)電荷?:233nC

3.3 溫度穩(wěn)定性

導(dǎo)通電阻在高溫下表現(xiàn)穩(wěn)定:

  • 25°C時:53mΩ
  • 175°C時:107mΩ
    溫度系數(shù)為正,有利于并聯(lián)應(yīng)用的均流。

四、應(yīng)用設(shè)計指南

4.1 柵極驅(qū)動設(shè)計

  • ?驅(qū)動電壓?:建議使用-5V關(guān)斷,+20V開啟
  • ?柵極電阻?:外部柵極電阻影響開關(guān)損耗,需根據(jù)實際應(yīng)用優(yōu)化選擇

4.2 散熱設(shè)計考量

基于熱阻參數(shù),設(shè)計散熱系統(tǒng)時需確保:

  • 最大結(jié)溫不超過175°C
  • 考慮瞬態(tài)熱阻抗對脈沖功率處理能力的影響

4.3 保護電路設(shè)計

  • ?雪崩能量?:器件經(jīng)過100%雪崩測試,在設(shè)計中可利用此特性實現(xiàn)有效的過壓保護

五、典型應(yīng)用場景

5.1 電動汽車充電系統(tǒng)

在車載充電器中,該器件的高壓特性支持直接處理電網(wǎng)電壓,簡化電路拓撲。

5.2 高壓DC-DC變換器

適用于電動汽車動力電池系統(tǒng)中的高壓直流變換,提供高效率的功率轉(zhuǎn)換。

5.3 工業(yè)電源系統(tǒng)

在工業(yè)應(yīng)用中,1700V的擊穿電壓為三相380V系統(tǒng)提供充足的電壓裕量。

六、設(shè)計注意事項

6.1 極限參數(shù)遵守

  • ?絕對最大柵源電壓?:-15V/+25V
  • ?最大功耗?:385W @ TC=25°C

6.2 PCB布局建議

  • 充分利用D2PAK-7L封裝的多個源極引腳,降低寄生電感
  • 為柵極驅(qū)動提供低阻抗回路,確保開關(guān)穩(wěn)定性
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