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ADC10DV200 雙路 10 位 200MSPS 低功耗模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)產(chǎn)品手冊(cè)總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-11-24 11:17 ? 次閱讀
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ADC10DV200是一種單片模擬轉(zhuǎn)數(shù)字轉(zhuǎn)換器,能夠以最高200兆采樣率(MSPS)將兩個(gè)模擬輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為10位數(shù)字字。數(shù)字輸出模式可選擇,可以是差分LVDS或CMOS信號(hào)。該轉(zhuǎn)換器采用差分流水線架構(gòu),具備數(shù)字糾錯(cuò)和片上采樣保持電路,以最小化芯片尺寸和功耗,同時(shí)提供卓越的動(dòng)態(tài)性能。獨(dú)特的采樣保持級(jí)可提供900MHz的滿功率帶寬。該ADC10DV200采用核心CMOS工藝制造,可由單個(gè)1.8V電源供電。該ADC10DV200在奈奎斯特模式下約有9.6個(gè)有效比特,在CMOS模式下在170MSPS時(shí)僅耗費(fèi)280mW,在LVDS模式下在200MSPS時(shí)消耗450mW。通過(guò)降低采樣率,功耗還可進(jìn)一步縮減。
*附件:adc10dv200.pdf

特性

  • 單1.8伏電源作。
  • 功率與時(shí)鐘頻率的調(diào)整。
  • 內(nèi)部采樣并保存。
  • 內(nèi)部或外部參照。
  • 關(guān)閉電源模式。
  • 偏移二進(jìn)制或2補(bǔ)碼輸出數(shù)據(jù)格式。
  • LVDS或CMOS輸出信號(hào)。
  • 60針WQFN封裝,(9x9x0.8毫米,0.5毫米針距)
  • 時(shí)鐘工作周期穩(wěn)定器。
  • IF采樣帶寬>900MHz。

主要規(guī)格

  • 分辨率 10位
  • 轉(zhuǎn)換率 200 MSPS
  • ENOB 9.6位(類型)@Fin=70 MHz
  • SNR 59.9 dBFS(類型)@Fin=70 MHz
  • SINAD 59.9 dBFS(類型)@Fin=70 MHz
  • SFDR 82 dBFS(類型)@Fin=70 MHz
  • LVDS 功率 450mW(類型)@Fs=200 MSPS
  • CMOS 功率 280mW(類型)@Fs=170 MSPS
  • 工作溫度范圍為?40°C至+85°C。

參數(shù)
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方框圖
image.png

一、產(chǎn)品核心概述

ADC10DV200 是德州儀器推出的低功耗雙路高速 ADC,核心優(yōu)勢(shì)為雙通道并行、靈活輸出與寬頻采樣。產(chǎn)品支持兩路獨(dú)立模擬信號(hào)同時(shí)采樣,每通道最高采樣率 200MSPS,分辨率 10 位,工作溫度范圍 -40°C~85°C,采用 60 引腳 WQFN 封裝(9mm×9mm×0.8mm),單 1.8V 供電,集成片上采樣保持電路、時(shí)鐘占空比穩(wěn)定器,支持 LVDS/CMOS 雙模式輸出,適配通信、醫(yī)療成像、便攜式儀器、數(shù)字視頻等中高速低功耗數(shù)據(jù)采集場(chǎng)景。

二、關(guān)鍵特性與規(guī)格

1. 核心性能參數(shù)

  • 分辨率與線性度 :10 位無(wú)丟失碼,微分非線性(DNL)±0.43LSB,積分非線性(INL)±0.92LSB;增益誤差 ±3.11% FS,偏移誤差 ±0.75% FS,增益溫漂 13~15ppm/°C,偏移溫漂 4ppm/°C。
  • 動(dòng)態(tài)性能:全功率帶寬 >900MHz,70MHz 輸入時(shí) ENOB 典型 9.6 位,SNR 59.9dBFS,SFDR 82dBFS,總諧波失真(THD)-84dBFS;雙音互調(diào)失真(IMD)93dBFS,通道間串?dāng)_ 97dB。
  • 輸入與參考:差分輸入范圍 1.5Vpp,共模電壓 0.8V1.0V(推薦 0.9V);支持內(nèi)部(0.5V/0.75V 可選)或外部(0.5V1.0V)參考,輸入電容 1~2.5pF,輸入阻抗適配 <100Ω 源阻抗。
  • 功耗與延遲:LVDS 模式典型功耗 450mW(200MSPS),CMOS 模式 280mW(170MSPS);孔徑延遲 0.7ns,孔徑抖動(dòng) 0.3ps rms;轉(zhuǎn)換延遲 5~5.5 個(gè)時(shí)鐘周期,支持功耗隨時(shí)鐘頻率縮放。

2. 核心功能

  • 雙通道并行采樣:兩路獨(dú)立 10 位 ADC 并行工作,支持同時(shí)采集兩路模擬信號(hào),通道間隔離度高,串?dāng)_低至 97dB,適配多通道數(shù)據(jù)采集場(chǎng)景。
  • 靈活輸出配置:可通過(guò)引腳選擇 LVDS 或 CMOS 輸出,數(shù)據(jù)格式支持偏移二進(jìn)制或二進(jìn)制補(bǔ)碼;LVDS 模式支持 DDR 數(shù)據(jù)傳輸,CMOS 模式適配低速接口,輸出驅(qū)動(dòng)電壓 1.8V。
  • 時(shí)鐘優(yōu)化:內(nèi)置時(shí)鐘占空比穩(wěn)定器(DCS),兼容 30%70% 時(shí)鐘占空比,65MHz200MHz 采樣率范圍內(nèi)自動(dòng)校正占空比,降低時(shí)鐘源要求。
  • 低功耗設(shè)計(jì):?jiǎn)?1.8V 供電,支持通道獨(dú)立掉電模式,掉電功耗僅 57~60mW;功耗隨采樣率線性縮放,低速場(chǎng)景可進(jìn)一步降低功耗。

三、封裝與引腳

1. 封裝信息

  • 60 引腳 WQFN 封裝:引腳間距 0.5mm,外露熱焊盤需接地以保證散熱與性能;MSL 等級(jí) 3,支持 260°C 回流焊,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),ESD 防護(hù)等級(jí) 2500V(人體模型)。

2. 關(guān)鍵引腳功能

  • 電源與地:V_A(模擬供電)、V_D(數(shù)字供電)、V_DR(輸出驅(qū)動(dòng)供電),對(duì)應(yīng)地引腳 AGND(模擬地)、DRGND(數(shù)字驅(qū)動(dòng)地),外露熱焊盤接 AGND,需就近并聯(lián) 0.1μF 去耦電容。
  • 輸入與參考:VIN A±/VIN B±(兩路差分模擬輸入)、V_REF(參考選擇 / 外部參考輸入);VRP/VRM/VRN(參考旁路引腳,需并聯(lián) 0.1μF 電容)、REXT(偏置電流編程電阻,標(biāo)稱 3.3kΩ 接地)。
  • 控制與輸出:CLK±(差分采樣時(shí)鐘,支持單端模式)、PD_A/PD_B(通道掉電控制)、OUTSEL(輸出模式選擇:LVDS/CMOS)、DF/DCS(數(shù)據(jù)格式 / 占空比穩(wěn)定選擇);LVDS 輸出(D0D9、DRDY、OR)或 CMOS 輸出(DA0DA9、DB0~DB9、DRDYA/DRDYB、ORA/ORB)。

四、工作模式與核心功能

1. 核心工作模式

  • 采樣模式:雙通道同步采樣,每通道最高 200MSPS,支持 45MHz200MHz 時(shí)鐘輸入(DCS 關(guān)閉)或 65MHz200MHz(DCS 開(kāi)啟),采樣時(shí)鐘上升沿觸發(fā)轉(zhuǎn)換。
  • 輸出模式:LVDS 模式下 DRDY 為 DDR 時(shí)鐘(A 通道數(shù)據(jù)在上升沿有效,B 通道在下降沿有效);CMOS 模式下 DRDYA/DRDYB 為單沿時(shí)鐘,分別對(duì)應(yīng)兩路數(shù)據(jù)輸出。
  • 低功耗模式:支持單通道或雙通道掉電,掉電后通道輸出高阻態(tài),恢復(fù)后需重新穩(wěn)定以保證采樣精度。

2. 關(guān)鍵功能

  • 參考靈活配置:通過(guò) V_REF 引腳選擇內(nèi)部 0.5V/0.75V 參考或外部 0.5V~1.0V 參考,外部參考可優(yōu)化 SNR 性能,內(nèi)部參考簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
  • 時(shí)鐘與數(shù)據(jù)調(diào)理:時(shí)鐘占空比穩(wěn)定器自動(dòng)校正非理想占空比,數(shù)據(jù)格式支持偏移二進(jìn)制與二進(jìn)制補(bǔ)碼切換,適配不同后端處理需求。
  • 過(guò)范圍指示:OR 引腳(LVDS 模式)或 ORA/ORB 引腳(CMOS 模式)指示輸入信號(hào)超量程,方便系統(tǒng)增益動(dòng)態(tài)調(diào)整。

五、應(yīng)用場(chǎng)景與設(shè)計(jì)支持

1. 典型應(yīng)用

  • 通信系統(tǒng):多通道射頻信號(hào)采集、中頻(IF)采樣、軟件無(wú)線電(SDR)前端。
  • 醫(yī)療與儀器:超聲成像設(shè)備、便攜式測(cè)試儀器、數(shù)據(jù)采集卡(DAQ)。
  • 數(shù)字視頻:高清視頻信號(hào)采集、視頻監(jiān)控設(shè)備、圖像傳感器數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換。

2. 設(shè)計(jì)資源

  • 電源與去耦:模擬與數(shù)字電源需獨(dú)立布線,每個(gè)電源引腳就近放置 0.1μF 陶瓷電容 + 100pF 電容去耦,減少電源噪聲耦合
  • 布局要點(diǎn):時(shí)鐘走線盡量短且遠(yuǎn)離模擬信號(hào),避免交叉;LVDS 輸出走線阻抗控制 100Ω,終端匹配電阻靠近接收端;模擬地與數(shù)字地單點(diǎn)共地,外露熱焊盤充分接地。
  • 輸入驅(qū)動(dòng):支持變壓器或差分放大器驅(qū)動(dòng),低頻場(chǎng)景(≤70MHz)推薦變壓器驅(qū)動(dòng),高頻場(chǎng)景(>70MHz)需優(yōu)化匹配以降低失真;輸入共模電壓推薦使用 V_RM 引腳輸出的 0.9V 穩(wěn)定電壓。
  • 時(shí)鐘設(shè)計(jì):推薦低抖動(dòng)時(shí)鐘源(如晶振 + 緩沖器),時(shí)鐘走線特性阻抗匹配,避免時(shí)鐘抖動(dòng)影響動(dòng)態(tài)性能。

六、可靠性與訂單信息

  • 可靠性保障:絕對(duì)最大額定值:供電電壓 -0.3V~2.2V,引腳電流 ±25mA,結(jié)溫 150°C;熱阻 θJA 30°C/W,符合工業(yè)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)。
  • 可訂購(gòu)型號(hào):ADC10DV200CISQ/NOPB(卷盤 2000 片)、ADC10DV200CISQE/NOPB(小卷盤 250 片),引腳鍍層為錫(SN),MSL 等級(jí) 3(168 小時(shí)防潮)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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