安森美NCV81071柵極驅(qū)動(dòng)器是高速雙路低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器，能夠?yàn)槿菪载?fù)載提供較大的峰值電流。這些驅(qū)動(dòng)器可在米勒平坦區(qū)域提供5A峰值電流，有助于降低MOSFET開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換期間的米勒效應(yīng)。NCV81071柵極驅(qū)動(dòng)器還具有使能功能，可在不同應(yīng)用中提供更好的控制能力。這些柵極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部上拉至驅(qū)動(dòng)器的輸入電壓，實(shí)現(xiàn)高電平有效邏輯，并可打開(kāi)以進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)操作。NCV81071柵極驅(qū)動(dòng)器的工作輸入電壓范圍為4.5V至20V，符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。這些柵極驅(qū)動(dòng)器非常適合用于服務(wù)器電源、電信和數(shù)據(jù)中心電源、同步整流器、功率因數(shù)校正、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、可再生能源和太陽(yáng)能逆變器。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：onsemi NCV81071 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 大電流驅(qū)動(dòng)能力：±5A
• TTL/CMOS兼容輸入，與電源電壓無(wú)關(guān)
• 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳分配
• 針對(duì)各驅(qū)動(dòng)器的使能功能
• 典型上升時(shí)間8ns，典型下降時(shí)間8ns（1.8nF負(fù)載時(shí)）
• 典型傳播延遲時(shí)間在輸入下降時(shí)為20ns，在輸入上升時(shí)為20ns
• 輸入電壓范圍：4.5 V至20 V
• 雙輸出可并聯(lián)以獲得大驅(qū)動(dòng)電流
• 工作溫度范圍：-40 °C至140 °C
• 符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能
• 這些器件無(wú)鉛、無(wú)鹵/無(wú)BFR，符合RoHS指令

典型應(yīng)用電路

尺寸圖

?基于NCV81071柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

?一、產(chǎn)品概述?

NCV81071是安森美半導(dǎo)體推出的一款?高速雙通道低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器?，具備?**±5A大電流驅(qū)動(dòng)能力?和?獨(dú)立的使能控制功能**?。該器件專(zhuān)為優(yōu)化功率MOSFET的開(kāi)關(guān)性能而設(shè)計(jì)，通過(guò)提供高驅(qū)動(dòng)電流有效抑制米勒效應(yīng)，適用于高頻率開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。

?二、核心技術(shù)特性?

1. ?電氣參數(shù)?
   • ?工作電壓?：4.5V至20V寬范圍供電
   • ?峰值電流?：±5A（米勒平臺(tái)區(qū)域4.5A源電流/3.5A灌電流）
   • ?開(kāi)關(guān)速度?：典型上升/下降時(shí)間8ns（1.8nF負(fù)載）
   • ?傳播延遲?：20ns（輸入上升/下降沿）
   • ?溫度范圍?：-40℃至+140℃結(jié)溫
2. ?功能創(chuàng)新?
   • ?使能引腳?（ENA/ENB）支持獨(dú)立通道控制，內(nèi)部集成200kΩ上拉電阻
   • ?工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝?（MSOP-8）兼容現(xiàn)有設(shè)計(jì)
   • ?并聯(lián)輸出能力?：雙通道可并聯(lián)實(shí)現(xiàn)更高驅(qū)動(dòng)電流

?三、引腳配置與邏輯控制?

? 邏輯真值表示例（NCV81071A） ?：

• ENA=H, INA=L → OUTA=H
• ENA=L, INA=任意 → OUTA=L

?四、典型應(yīng)用場(chǎng)景?

1. ?服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心電源?
   • 高電流驅(qū)動(dòng)能力滿(mǎn)足CPU/GPU供電需求
   • 快速開(kāi)關(guān)特性提升DC/DC轉(zhuǎn)換效率
2. ?可再生能源系統(tǒng)?
   • 太陽(yáng)逆變器中的MOSFET驅(qū)動(dòng)
   • 寬溫度范圍適應(yīng)戶(hù)外環(huán)境
3. ?電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制?
   • PWM輸出精確控制電機(jī)轉(zhuǎn)速
   • 使能功能實(shí)現(xiàn)安全關(guān)斷

?五、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

1. ?PCB布局建議?
   • 驅(qū)動(dòng)器盡量靠近功率MOSFET
   • VDD-GND旁路電容需采用低電感貼片器件
   • 電源回路需最短路徑設(shè)計(jì)，降低寄生電感
2. ?熱管理要求?
   • 裸露焊盤(pán)需連接多層接地平面
   • 通過(guò)過(guò)孔陣列將熱量傳導(dǎo)至底層

?六、選型與配置指南?