在半導(dǎo)體制造的精密流程中，wafer清洗環(huán)節(jié)意義非凡。以下是對其核心功能與技術(shù)參數(shù)的介紹：

核心功能

污染物去除：通過化學(xué)溶液（如SC-1、SC-2）溶解有機(jī)物和金屬離子，或利用兆聲波高頻振動(dòng)剝離亞微米級顆粒。針對氧化層使用稀釋氫氟酸（DHF）選擇性腐蝕，避免損傷硅基底。

表面活化與均勻性控制：部分工藝需通過等離子體或臭氧處理活化表面，增強(qiáng)后續(xù)薄膜沉積的附著力；同時(shí)確保晶圓邊緣與中心區(qū)域的清洗均勻性誤差≤5%。

低損傷傳輸：采用非接觸式承載臺(tái)減少機(jī)械劃傷，兼容薄晶圓（厚度<100μm）及復(fù)雜結(jié)構(gòu)（如FinFET、TSV孔）。

環(huán)保優(yōu)化：配備廢液回收系統(tǒng)，降低HF等高危化學(xué)品排放，符合綠色生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。

技術(shù)參數(shù)

環(huán)境條件：工作溫度范圍為10~60℃，濕度控制在40%~85%，氣壓維持在0.5~0.7MPa。

硬件規(guī)格：主軸轉(zhuǎn)速通常設(shè)定為1000–2000rpm以保障均勻清洗效果；設(shè)備尺寸典型值為750mm×650mm×1250mm，整機(jī)重量約180kg。

潔凈度指標(biāo)：達(dá)到ISO 3級以上標(biāo)準(zhǔn)，即顆粒尺寸小于0.5μm。

智能控制系統(tǒng)：集成PLC編程實(shí)現(xiàn)預(yù)洗→主洗→漂洗→干燥全流程自動(dòng)化操作；支持MES數(shù)據(jù)追溯并具備過載報(bào)警和緊急停機(jī)保護(hù)功能。

能耗管理：采用節(jié)能型加熱模塊配合閉路循環(huán)設(shè)計(jì)使DI水消耗量大幅減少。

半導(dǎo)體 wafer 清洗憑借多元核心功能與精準(zhǔn)技術(shù)參數(shù)把控，持續(xù)為芯片制造筑牢品質(zhì)根基，助力行業(yè)邁向更高精度與可靠性的發(fā)展新階段。

審核編輯 黃宇