應(yīng)用背景
在功率電子設(shè)備向小型化、高效化發(fā)展的當(dāng)下,合科泰TOLL4封裝是超結(jié)MOS管HKTS13N65,憑借超結(jié)工藝與TOLL4封裝的協(xié)同優(yōu)化,成為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)等領(lǐng)域提升功率密度的核心選擇。這款N溝道功率器件實(shí)現(xiàn)650伏耐壓與13安培連續(xù)電流的平衡,采用超結(jié)工藝讓VGS為10伏時(shí)的導(dǎo)通電阻低至300毫歐,比傳統(tǒng)平面MOS管顯著降低導(dǎo)通損耗。

超結(jié)工藝與TOLL4封裝的協(xié)同優(yōu)勢(shì)
HKTS13N65的核心價(jià)值來(lái)自技術(shù)融合。超結(jié)結(jié)構(gòu)通過(guò)P型柱與N型漂移區(qū)交替排列,在高壓環(huán)境下有效降低導(dǎo)通損耗,100攝氏度結(jié)溫時(shí)仍能保持8安培持續(xù)電流輸出,120毫焦的雪崩能量為光伏逆變器等高壓場(chǎng)景提供安全保障。TOLL4封裝重新設(shè)計(jì)物理形態(tài),無(wú)引腳表面貼裝支持自動(dòng)化生產(chǎn),頂部散熱結(jié)構(gòu)與開爾文源極設(shè)計(jì)帶來(lái)差異化優(yōu)勢(shì)。實(shí)測(cè)顯示,這款封裝的寄生電感僅5納亨,能有效抑制開關(guān)噪聲,支持600千赫茲開關(guān)頻率,比傳統(tǒng)封裝大幅提升;開爾文源極將柵極驅(qū)動(dòng)與主功率回路分開,開關(guān)損耗大幅降低,在LLC諧振電路中能讓系統(tǒng)效率明顯提升。
覆蓋高功率密度場(chǎng)景的應(yīng)用適配
在快充電源領(lǐng)域,20瓦PD快充方案中,HKTS13N65的2.0毫米厚度配合600千赫茲開關(guān)頻率,讓產(chǎn)品厚度控制在18毫米以內(nèi),效率保持較高水平;30分鐘滿負(fù)載循環(huán)中,外殼溫度穩(wěn)定在58攝氏度,比傳統(tǒng)方案明顯降低,契合快充領(lǐng)域功率與體驗(yàn)平衡的趨勢(shì)。
在光伏逆變器領(lǐng)域,組串式逆變器的Boost電路里,HKTS13N65的-55攝氏度至150攝氏度寬結(jié)溫范圍確保-30攝氏度低溫啟動(dòng)時(shí)性能不衰減,120毫焦的雪崩能量能承受電網(wǎng)故障時(shí)的電壓尖峰,為系統(tǒng)提供可靠保障。
在UPS系統(tǒng)領(lǐng)域,10千伏安UPS的雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器中,HKTS13N65的100納秒開關(guān)速度讓轉(zhuǎn)換效率保持較高水平,比IGBT方案明顯提升;低電感特性讓EMI輻射明顯降低,輕松通過(guò)EN55022ClassB標(biāo)準(zhǔn),滿足嚴(yán)格的電磁兼容要求。
在工業(yè)開關(guān)電源領(lǐng)域,TOLL4封裝支持的雙面PCB布局,讓功率回路面積明顯減少,特別適合多相電源的高密度設(shè)計(jì),幫工程師實(shí)現(xiàn)更緊湊的產(chǎn)品形態(tài)。
工程實(shí)踐的關(guān)鍵指南
散熱焊盤設(shè)計(jì)遵循銅箔最大化原則,散熱焊盤面積不小于封裝尺寸的一點(diǎn)五倍,推薦使用2盎司銅厚,布置1毫米間距的0.3毫米過(guò)孔陣列,過(guò)孔需做金屬化處理,孔壁銅厚不低于25微米,這樣能有效降低熱阻,10瓦功耗下結(jié)溫明顯下降。
功率回路布局核心是縮小高頻環(huán)路面積,輸入電容、MOS管與變壓器初級(jí)組成的回路要控制在2平方厘米以內(nèi),采用田字形對(duì)稱布線讓電流均勻分布,能有效降低開關(guān)損耗和EMI峰值;柵極驅(qū)動(dòng)走線需遠(yuǎn)離功率路徑,長(zhǎng)度不超過(guò)5毫米。
柵極驅(qū)動(dòng)優(yōu)化需正確實(shí)施開爾文連接,驅(qū)動(dòng)信號(hào)直接連接至源極Sense引腳,避免與主功率回路共用路徑;推薦使用2.2歐姆柵極電阻抑制振蕩,高頻應(yīng)用可并聯(lián)100皮法電容優(yōu)化開關(guān)速度,這種配置能讓硬開關(guān)條件下的電壓過(guò)沖明顯降低,顯著提升可靠性。
安規(guī)設(shè)計(jì)需滿足650伏電壓等級(jí)的爬電距離要求,初級(jí)與次級(jí)間距離不小于2.5毫米,建議采用開槽隔離增強(qiáng)安全性;PCB優(yōu)先選擇FR-4基材,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度不低于170攝氏度,濕熱環(huán)境下可使用鋁基板,進(jìn)一步降低熱阻。
結(jié)語(yǔ)
TOLL4封裝的發(fā)展與新能源、工業(yè)4.0趨勢(shì)深度契合,未來(lái)在快充、光伏、儲(chǔ)能等領(lǐng)域應(yīng)用會(huì)更廣泛。HKTS13N65不是簡(jiǎn)單的一款MOS管,而是一套完整的功率密度解決方案,幫助工程師在功率電子小型化、高效化的趨勢(shì)中突破設(shè)計(jì)限制,實(shí)現(xiàn)更可靠、更緊湊的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。合科泰始終以技術(shù)創(chuàng)新為核心,為客戶提供適配產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)的功率器件,助力行業(yè)升級(jí)。
公司介紹
合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術(shù)及專精特新企業(yè)。專注提供高性價(jià)比的元器件供應(yīng)與定制服務(wù),滿足企業(yè)研發(fā)需求。
產(chǎn)品供應(yīng)品類:全面覆蓋分立器件及貼片電阻等被動(dòng)元件,主要有MOSFET、TVS、肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復(fù)、橋堆、二極管、三極管、電阻、電容。
兩大智能生產(chǎn)制造中心:華南和西南制造中心(惠州7.5萬(wàn)㎡+南充3.5萬(wàn)㎡)配備共3000多臺(tái)先進(jìn)設(shè)備及檢測(cè)儀器;2024年新增3家半導(dǎo)體材料子公司,從源頭把控產(chǎn)能與交付效率。
提供封裝測(cè)試OEM代工:支持樣品定制與小批量試產(chǎn),配合100多項(xiàng)專利技術(shù)與ISO9001、IATF16949認(rèn)證體系,讓“品質(zhì)優(yōu)先”貫穿從研發(fā)到交付的每一環(huán)。
合科泰在始終以“客戶至上、創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)”為核心,為企業(yè)提供穩(wěn)定可靠的元件。
-
封裝
+關(guān)注
關(guān)注
128文章
9118瀏覽量
147815 -
MOS管
+關(guān)注
關(guān)注
110文章
2744瀏覽量
74739 -
合科泰
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
175瀏覽量
1088
原文標(biāo)題:合科泰TOLL4封裝超結(jié)MOS管:功率密度突破的系統(tǒng)方案
文章出處:【微信號(hào):合科泰半導(dǎo)體,微信公眾號(hào):合科泰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
合科泰超結(jié)MOS管與碳化硅MOS管的區(qū)別
合科泰TO-252封裝N溝道MOS管HKTD100N03的核心優(yōu)勢(shì)
合科泰TOLL4封裝MOS管在高電流系統(tǒng)中的應(yīng)用
合科泰ESOP-8封裝MOS管在高速風(fēng)筒中的應(yīng)用
合科泰650V高壓MOS管HKTD7N65的特性和應(yīng)用
合科泰電子元件的核心作用與應(yīng)用場(chǎng)景
淺談合科泰MOS管的優(yōu)化策略
合科泰MOS管在手機(jī)快充中的應(yīng)用
合科泰MOS管的典型應(yīng)用場(chǎng)景和優(yōu)勢(shì)
合科泰N溝道增強(qiáng)型MOSFET HKTS80N06介紹
合科泰N溝道MOSFET HKTS80N06在儲(chǔ)能BMS主開關(guān)中的應(yīng)用
合科泰三款N溝道MOSFET的區(qū)別

合科泰TOLL4封裝超結(jié)MOS管HKTS13N65的應(yīng)用場(chǎng)景
評(píng)論