安森美NST856MTWFT PNP晶體管設計用于通用放大器應用。這些晶體管采用緊湊型DFN1010-3封裝，帶可濕性側翼，適用于汽車行業(yè)。NST856MTWFT晶體管 無鉛、無鹵/無BFR,符合RoHS指令。這些晶體管的集電極-發(fā)射極電壓為65V，集電極連續(xù)電流為100mA。NST856MTWFT晶體管非常適合用于低功耗表面貼裝應用。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：onsemi NST856MTWFT PNP晶體管數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 可濕性側翼封裝，實現(xiàn)最佳自動光學檢測（AOI）
• NSV前綴，適用于需要獨特現(xiàn)場和控制變更要求的汽車和其他應用
• 符合AEC-Q101標準并具有PPAP功能
• 工作結溫和儲存溫度范圍：-65°C至150°C
• 這些器件無鉛、無鹵/無BFR,符合RoHS指令

封裝尺寸

?基于 onsemi NST856MTWFT 晶體管的通用放大器設計與應用指南?

一、產(chǎn)品概述與技術定位

NST856MTWFT 是一款 65V、100mA 的通用 PNP 雙極晶體管，采用超緊湊 DFN1010-3 封裝并具備?可濕側翼?結構，專為汽車電子自動光學檢測需求優(yōu)化。其核心特性包括：

• ?耐壓能力?：集電極-發(fā)射極擊穿電壓 V(BR)CEO = -65V，集電極-基極擊穿電壓 V(BR)CBO = -80V
• ?電流處理?：連續(xù)集電極電流 IC = -100mA，峰值電流 ICM = -200mA
• ?封裝優(yōu)勢?：符合 AEC-Q101 車規(guī)認證，支持 PPAP 流程，無鉛/無鹵素設計

二、關鍵電氣特性解析

1. 靜態(tài)參數(shù)

• ?直流電流增益?：在 VCE = -5V、IC = -10mA 時，hFE 典型值為 220，范圍 150~290（詳見圖 1 特性曲線）
• ?飽和壓降?：
  • VCE(sat) ≤ -0.25V（IC = -10mA, IB = -0.5mA）
  • VBE(sat) ≤ -0.9V（IC = -100mA, IB = -5.0mA）

2. 動態(tài)性能

• ?過渡頻率?：fT = 100MHz（IC = -10mA, VCE = -5V），適用于中頻放大電路
• ?電容特性?：輸出電容 Cobo = 1.8pF（VCB = -10V），輸入電容 Cibo 隨偏壓變化（圖 10）

三、熱設計與可靠性要點

• ?熱阻參數(shù)?：結到環(huán)境熱阻 RθJA = 191°C/W（基于 JESD51-7 標準測試）
• ?功率降額?：在 25°C 環(huán)境溫度下，最大功耗 PD = 650mW
• ?SOA 保護?：根據(jù)圖 13 安全操作區(qū)曲線，需避免同時出現(xiàn)高電壓/大電流工作狀態(tài)

四、典型應用電路設計

1. 低噪聲放大電路

• ?偏置配置?：利用 VBE(on) = -0.75V（IC = -10mA）的穩(wěn)定性，設計分壓式偏置網(wǎng)絡
• ?抗干擾措施?：結合 NF ≤ 1dB（RS=2kΩ, f=1kHz）的噪聲特性，建議在基極串聯(lián) 100Ω 電阻

2. 開關驅動應用

• ?飽和深度控制?：根據(jù)圖 4-6 的飽和壓降特性，推薦使用 IC/IB = 10~20 的過驅動系數(shù)

五、PCB 布局與工藝建議

• ?可焊性設計?：利用 wettable flank 封裝特性，焊盤應外延 0.2mm 以滿足 AOI 檢測需求
• ?散熱增強?：在 1oz 銅厚條件下，建議預留 2×2mm 的背面散熱過孔陣列

六、選型替代與風險規(guī)避

• ?車規(guī)級需求?：需選擇 NSVT856MTWFTBG 型號（帶 NSV 前綴）
• ?極限參數(shù)防護?：嚴禁超過 VEBO = -5V 的發(fā)射極-基極反向電壓

七、實測數(shù)據(jù)與曲線解讀

通過分析圖 1-圖 12 的典型特性曲線可知：

• hFE 在 -55°C~150°C 范圍內呈現(xiàn)正溫度系數(shù)（圖 1）
• VCE(sat) 在低溫環(huán)境下顯著降低（圖 5），適合低溫啟動電路

?附錄：關鍵參數(shù)速查表?