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探索ON Semiconductor NSS40300CT PNP晶體管:高效節(jié)能的理想之選

h1654155282.3538 ? 2025-11-26 15:01 ? 次閱讀
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探索ON Semiconductor NSS40300CT PNP晶體管:高效節(jié)能的理想之選

在電子設(shè)備的設(shè)計中,選擇合適的晶體管對于實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能至關(guān)重要。今天,我們將深入探討ON Semiconductor推出的NSS40300CT PNP晶體管,看看它在電子設(shè)計領(lǐng)域能為我們帶來哪些優(yōu)勢。

文件下載:onsemi NSS40300CT 雙極晶體管.pdf

產(chǎn)品概述

NSS40300CT屬于ON Semiconductor的e2PowerEdge系列低 $V{CE(sat)}$ 晶體管。該系列晶體管采用表面貼裝技術(shù),具有超低飽和電壓 $V{CE(sat)}$ 和高電流增益能力,專為低電壓、高速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計,在需要經(jīng)濟高效能源控制的場景中表現(xiàn)出色。

原理圖

封裝尺寸

產(chǎn)品特性

封裝優(yōu)勢

NSS40300CT采用超纖薄的LFPAK4 5x6封裝,這種封裝不僅節(jié)省了PCB空間,還具有可焊側(cè)翼,滿足汽車行業(yè)光學(xué)檢測方法的要求。這使得它在便攜式和電池供電產(chǎn)品(如手機數(shù)碼相機和MP3播放器)的DC - DC轉(zhuǎn)換器電源管理中得到廣泛應(yīng)用,同時也適用于汽車領(lǐng)域的安全氣囊展開、動力總成控制單元和儀表盤等終端應(yīng)用。

互補性與兼容性

它與NSS40301CT互補,為設(shè)計提供了更多的選擇和靈活性。此外,NSV前綴適用于汽車和其他有獨特場地和控制變更要求的應(yīng)用,并且通過了AEC - Q101認證,具備PPAP能力,確保了產(chǎn)品在不同應(yīng)用場景下的可靠性和穩(wěn)定性。

環(huán)保特性

該器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,符合RoHS標準,體現(xiàn)了ON Semiconductor在環(huán)保方面的努力,滿足了現(xiàn)代電子設(shè)備對綠色環(huán)保的要求。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

額定值 符號 單位
集電極 - 發(fā)射極電壓 VCEO 40 Vdc
集電極 - 基極電壓 VcB 40 Vdc
發(fā)射極 - 基極電壓 VEB 6.0 Vdc
基極電流 - 連續(xù) IB 1.0 Adc
集電極電流 - 連續(xù) Ic 3.0 Adc
集電極電流 - 峰值 ICM 5.0 Adc
總功率耗散(TA = 25°C) PD 2.0(注1)
0.80(注2)
W
工作和存儲結(jié)溫范圍 TJ, Tstg -55 至 +150 °C

需要注意的是,超過最大額定值可能會損壞器件,影響其功能和可靠性。注1表示安裝在1″平方(645平方毫米)FR - 4板材料的集電極焊盤上,注2表示安裝在0.012″平方(7.6平方毫米)FR - 4板材料的集電極焊盤上。

熱特性

特性 符號 最大值 單位
熱阻(結(jié)到殼)
結(jié)到環(huán)境(1″平方集電極焊盤)
結(jié)到環(huán)境(0.012平方集電極焊盤)
RJA
ReJA
58
149
°C/W

熱特性對于晶體管的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要,合理的熱設(shè)計可以確保晶體管在工作過程中保持良好的性能。

電氣特性

關(guān)斷特性

特性 符號 最小值 典型值 最大值 單位
集電極 - 發(fā)射極維持電壓($I{B}= 10 mAd$,$I{E}= 0 Adc$) VCEO(sus) 40 - - Vdc
發(fā)射極 - 基極電壓($I{E}=50 \mu Adc$,$I{C}=0 Adc$) VEBO 6.0 - - Vdc
集電極截止電流($V_{CB} =40 Vdc$) ICBO - - 100 nAdc
發(fā)射極截止電流($V_{BE} =6.0 Vdc$) IEBO - - 100 nAdc

導(dǎo)通特性

特性 條件 典型值 單位
集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 $I{C}=0.5 Adc$,$I{B} =50mAdc$ 0.070 Vdc
$I{C}=1.0 Adc$,$I{B} =20mAdc$ 0.150 Vdc
$I{C}=3.0Adc$,$I{B}=0.3 Adc$ 0.400 Vdc
基極 - 發(fā)射極飽和電壓 $I{C}=1.0 Adc$,$I{B} =0.1 Adc$ 1.0 Vdc
基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓 $I{C}=1.0 Adc$,$V{CE}=2.0 Vdc$ 0.9 Vdc
直流電流增益 $I{C}=0.5 Adc$,$V{CE}=1.0 Vdc$ 200 - 600 -
$I{C}=1.0Adc$,$V{CE}=1.0 Vdc$ 175 - 600 -
$I{C}=3.0 Adc$,$V{CE}=1.0 Vdc$ 100 - 600 -

動態(tài)特性

特性 條件 單位
輸出電容 $V_{C} = 10 Vdc$,$f = 1.0 MHz$ 40 pF
輸入電容 $V_{EB} =5.0 Vdc$,$f = 1.0 MHz$ 130 pF
電流增益 - 帶寬積 $I{C}=500mA$,$V{CE}=10V$,$F_{test}= 1.0 MHz$ 160 MHz

這些電氣特性為工程師在設(shè)計電路時提供了重要的參考依據(jù),有助于實現(xiàn)最佳的電路性能。

典型特性曲線

文檔中還提供了一系列典型特性曲線,包括直流電流增益、集電極 - 發(fā)射極飽和電壓、基極 - 發(fā)射極飽和電壓、輸入電容、輸出電容、電流增益 - 帶寬積和安全工作區(qū)等。這些曲線直觀地展示了晶體管在不同工作條件下的性能表現(xiàn),工程師可以根據(jù)實際需求進行參考和分析。

訂購信息

器件 封裝 包裝
NSS40300CTWG LFPAK4 5x6(無鉛) 3,000/卷帶包裝
NSV40300CTWG* LFPAK 5x6(無鉛) 3,000/卷帶包裝

*NSV前綴適用于汽車和其他有獨特場地和控制變更要求的應(yīng)用,通過了AEC - Q101認證,具備PPAP能力。

總結(jié)

ON Semiconductor的NSS40300CT PNP晶體管憑借其超低飽和電壓、高電流增益能力、超纖薄封裝和環(huán)保特性,在低電壓、高速開關(guān)應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。無論是便攜式電子設(shè)備還是汽車電子領(lǐng)域,它都能為工程師提供可靠的解決方案。在實際設(shè)計中,工程師可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求,結(jié)合晶體管的各項參數(shù)和特性曲線,進行合理的電路設(shè)計和優(yōu)化。你在使用類似晶體管時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

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