1工作原理

儲(chǔ)能系統(tǒng)已成為構(gòu)建新型電力系統(tǒng)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，而電池管理系統(tǒng)BMS在儲(chǔ)能中的作用有哪些，在11.11的研討會(huì)直播上，MDD高級(jí)FAE對(duì)該問(wèn)題進(jìn)行了深入解析。

BMS的核心使命是確保電池組安全、高效、長(zhǎng)壽。它通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電池電壓、電流、溫度等參數(shù)，實(shí)現(xiàn)三大核心保護(hù)功能：

01過(guò)充/過(guò)放保護(hù)：電壓超限時(shí)切斷相應(yīng)MOSFET回路

02過(guò)流/短路保護(hù)：極短時(shí)間內(nèi)(<100ms)關(guān)斷放電MOSFET

03過(guò)溫保護(hù)：溫度異常時(shí)禁止充放電操作，防止熱失控。

在短路保護(hù)場(chǎng)景中，回路內(nèi)阻極小(約100mΩ)，瞬間電流可達(dá)數(shù)百至數(shù)千安培，這對(duì)MOSFET的抗沖擊能力提出極高要求。

2MOS在BMS中的應(yīng)用

在儲(chǔ)能BMS中，充放電控制和主動(dòng)均衡是兩大關(guān)鍵電路，都離不開(kāi)高性能的MOSFET。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出的MDDG03R04Q與MDDG04R06Q兩款N溝道MOSFET，采用先進(jìn)的SGT工藝，輕松應(yīng)對(duì)BMS中的會(huì)遇到的挑戰(zhàn)。

01低導(dǎo)通內(nèi)阻，帶來(lái)更高效率

MDDG03R04Q的導(dǎo)通電阻最大僅4.3mΩ，在正常充放電時(shí)能顯著減少導(dǎo)通損耗，降低溫升，從而提升整個(gè)儲(chǔ)能系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率，這對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的儲(chǔ)能設(shè)備至關(guān)重要。

02強(qiáng)大的抗浪涌能力，守護(hù)系統(tǒng)安全

MDDG03R04Q的連續(xù)漏極電流高達(dá)80A，脈沖電流更達(dá)300A，能夠承受瞬間的巨大電流沖擊，確保在故障發(fā)生時(shí)能快速、可靠地切斷電路，為整個(gè)電池包筑起最堅(jiān)固的安全防線。

03更高的耐壓與更低的開(kāi)關(guān)損耗

MDDG04R06Q 耐壓可達(dá)40V，適用于更寬的工作電壓范圍?？倴艠O電荷Qg 極低(典型值 17nC)，意味著驅(qū)動(dòng)損耗更低，開(kāi)關(guān)速度更快，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求也更低。

04小封裝，節(jié)省系統(tǒng)空間

采用緊湊的封裝PDFN3*3-8L，有助于BMS設(shè)計(jì)工程師優(yōu)化PCB板布局，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的小型化與高集成度。

3選型推薦

隨著儲(chǔ)能市場(chǎng)向高可靠性、高效率方向發(fā)展，MOSFET作為BMS中的關(guān)鍵執(zhí)行器件，其性能直接影響系統(tǒng)安全。MDD的MOSFET產(chǎn)品以其低內(nèi)阻、高抗浪涌和優(yōu)異熱穩(wěn)定性等特性，為儲(chǔ)能BMS提供可靠保障，助力能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型。

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深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱MDD辰達(dá)半導(dǎo)體)是一家專注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試及銷售的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。

公司深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域17載，始終堅(jiān)持以產(chǎn)品技術(shù)為驅(qū)動(dòng)，以客戶需求為核心，打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產(chǎn)品服務(wù)矩陣，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)控制、消費(fèi)電子、通信、家電、醫(yī)療、照明、安防、儀器儀表等多個(gè)領(lǐng)域，服務(wù)于全球40多個(gè)國(guó)家與地區(qū)。