探索 onsemi NVBLS1D5N10MC：高性能 N 溝道 MOSFET 的卓越之選

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其性能直接影響到整個(gè)電路系統(tǒng)的效率與穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入探討 onsemi 推出的 NVBLS1D5N10MC 這款 100V、1.5mΩ、300A 的單 N 溝道 MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特的魅力。

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特性亮點(diǎn)

低損耗設(shè)計(jì)

NVBLS1D5N10MC 具有極低的導(dǎo)通電阻 $R{DS(on)}$，這一特性能夠最大程度地減少導(dǎo)通損耗，提高電路的效率。同時(shí)，它的低柵極電荷 $Q{G}$ 和電容，可有效降低驅(qū)動(dòng)損耗，為工程師在設(shè)計(jì)高效電源電路時(shí)提供了有力支持。大家在實(shí)際設(shè)計(jì)中，是否有遇到過(guò)因?qū)〒p耗過(guò)大而影響電路性能的情況呢？

汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn)

該器件通過(guò)了 AEC - Q101 認(rèn)證，并且具備 PPAP 能力，這意味著它能夠滿足汽車電子等對(duì)可靠性要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景。在汽車電子日益發(fā)展的今天，這樣的特性無(wú)疑為其在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用打開(kāi)了廣闊的市場(chǎng)。

低噪聲與環(huán)保

它能夠降低開(kāi)關(guān)噪聲和 EMI，有助于減少電磁干擾對(duì)其他電路的影響。而且，該器件是無(wú)鉛產(chǎn)品，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，體現(xiàn)了環(huán)保理念，順應(yīng)了電子行業(yè)綠色發(fā)展的趨勢(shì)。

典型應(yīng)用

極限參數(shù)

電壓與電流參數(shù)

這些參數(shù)為我們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)提供了明確的邊界，確保器件在安全的工作范圍內(nèi)運(yùn)行。當(dāng)我們需要設(shè)計(jì)大電流、高電壓的電路時(shí)，就需要特別關(guān)注這些極限參數(shù)，避免因超出范圍而損壞器件。

功率與溫度參數(shù)

需要注意的是，整個(gè)應(yīng)用環(huán)境會(huì)對(duì)熱阻產(chǎn)生影響，熱阻并非恒定值，僅在特定條件下有效。在實(shí)際應(yīng)用中，我們要充分考慮環(huán)境溫度對(duì)器件性能的影響，合理設(shè)計(jì)散熱方案。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：$V{(BR)DSS}$ 在 $V{GS}=0V$，$I_{D}=250\mu A$ 時(shí)為 100V，并且具有 60mV/$^{\circ}C$ 的溫度系數(shù)。這表明在不同的溫度環(huán)境下，擊穿電壓會(huì)有所變化，我們?cè)谠O(shè)計(jì)時(shí)需要考慮溫度因素對(duì)其的影響。
• 零柵壓漏極電流：$I{DSS}$ 在 $V{DS}=100V$，$V{GS}=0V$，$T{J}=125^{\circ}C$ 時(shí)為 100μA，體現(xiàn)了器件在關(guān)斷狀態(tài)下的漏電情況。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓：$V{GS(TH)}$ 在 $V{GS}=V{DS}$，$I{D}=799\mu A$ 時(shí)為 2.0 - 4.0V，其閾值溫度系數(shù)為 -9.3mV/$^{\circ}C$。這意味著隨著溫度的升高，閾值電壓會(huì)降低，我們?cè)谠O(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)要考慮這一特性。
• 漏源導(dǎo)通電阻：$R{DS(on)}$ 在 $V{GS}=10V$，$I_{D}=80A$ 時(shí)為 1.2 - 1.5mΩ，低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通損耗。

電荷與電容特性

輸入電容 $C{ISS}$、輸出電容 $C{OSS}$ 和反向傳輸電容 $C_{RSS}$ 等參數(shù)，對(duì)于理解器件的動(dòng)態(tài)特性至關(guān)重要。例如，低電容值可以減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損耗，提高開(kāi)關(guān)速度。大家在設(shè)計(jì)高速開(kāi)關(guān)電路時(shí)，是否會(huì)特別關(guān)注這些電容參數(shù)呢？

開(kāi)關(guān)特性

開(kāi)關(guān)特性包括開(kāi)啟延遲時(shí)間 $t{d(ON)}$、上升時(shí)間 $t{r}$、關(guān)斷延遲時(shí)間 $t{d(OFF)}$ 和下降時(shí)間 $t{f}$ 等。這些參數(shù)在 $V{GS}=10V$，$V{DS}=50V$，$I{D}=80A$，$R{G}=6\Omega$ 的條件下給出，并且開(kāi)關(guān)特性與工作結(jié)溫?zé)o關(guān)。這為我們?cè)诓煌瑴囟拳h(huán)境下設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電路提供了便利。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓：$V{SD}$ 在 $V{GS}=0V$，$I{S}=80A$，$T{J}=25^{\circ}C$ 時(shí)為 0.81 - 1.3V，$T_{J}=125^{\circ}C$ 時(shí)為 0.68V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間：$t{RR}$ 為 110ns，反向恢復(fù)電荷 $Q{RR}$ 為 143nC。這些參數(shù)對(duì)于理解二極管的反向恢復(fù)特性，以及在設(shè)計(jì)包含二極管的電路時(shí)非常重要。

典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線，如導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓關(guān)系等。這些曲線直觀地展示了器件在不同工作條件下的性能變化，幫助我們更好地理解器件的特性，為電路設(shè)計(jì)提供參考。例如，通過(guò)導(dǎo)通電阻與溫度的關(guān)系曲線，我們可以預(yù)測(cè)在不同溫度下器件的導(dǎo)通損耗情況。

封裝與訂購(gòu)信息

NVBLS1D5N10MC 采用 H - PSOF8L 封裝，文檔詳細(xì)給出了封裝尺寸的具體參數(shù)。同時(shí)，提供了器件的訂購(gòu)信息，如 NVBLS1D5N10MCTXG 型號(hào)采用 2000/Tape& Reel 的包裝方式。在選擇器件時(shí)，封裝尺寸和包裝方式也是我們需要考慮的重要因素。

總的來(lái)說(shuō)，onsemi 的 NVBLS1D5N10MC 是一款性能卓越的 N 溝道 MOSFET，在降低損耗、提高效率、滿足汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn)等方面表現(xiàn)出色。電子工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)功率電路、汽車電子等相關(guān)應(yīng)用時(shí)，可以充分考慮這款器件的優(yōu)勢(shì)，為自己的設(shè)計(jì)帶來(lái)更好的性能和可靠性。大家在使用類似 MOSFET 器件時(shí)，有沒(méi)有遇到過(guò)一些獨(dú)特的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。