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隨著AI技術的快速發(fā)展，CPU核心數(shù)量不斷增加，數(shù)據(jù)處理需求呈指數(shù)級增長，傳統(tǒng)DDR4內存的帶寬和能效已逐漸成為系統(tǒng)性能的瓶頸。DDR5作為下一代內存標準應運而生，旨在滿足數(shù)據(jù)中心、高性能計算及高端計算機對更高速度和更大容量的迫切需求。而新一代存儲技術的變革與發(fā)展，對電感器的產品尺寸、電氣性能等也提出了更高的要求。

一、DDR5對電感器的需求

DDR5 是第五代雙倍數(shù)據(jù)率內存技術的縮寫。它是計算機系統(tǒng)中用于存儲數(shù)據(jù)的一種高速隨機訪問內存類型。相對于 DDR4內存，DDR5的帶寬和傳輸速度比 DDR4提高了近 2.5 倍，這使得DDR5能夠處理更多的數(shù)據(jù)，提升系統(tǒng)性能。DDR5單條最大容量可達到甚至超過128GB，適合人工智能、數(shù)據(jù)中心等對大內存有需求的場景。另外，DDR5在50%峰值電流負載下電源轉換效率要求高于92%，高于DDR4 的90%轉換效率?？傮w來看，DDR5數(shù)據(jù)傳輸速度更快、功耗更小、效率轉換要求更高、內存容量更大。

與 DDR4 將主要電源管理芯片放在主板上不同，DDR5 內存模組集成了電源管理芯片PCIM。正是這一架構變化，使得電感器的作用和性能要求也發(fā)生了改變。其對電感的主要需求如下：

更高的工作頻率：DDR5 的 PMIC 采用開關電源架構，為了實現(xiàn)更高轉換效率和更快的瞬態(tài)響應，其開關頻率更高（1MHz 以上）。電感器需具備高頻特性，在高頻率應用下保持穩(wěn)定的磁特性，即低磁芯損耗。

更高轉換效率、更低損耗：DDR5高于92%的電源轉換效率，要求電感器具有更低的直流電阻和更低的磁芯損耗。在高頻開關下，磁芯的磁滯損耗和渦流損耗必須最小化。

更高的飽和電流：DDR5內存顆粒的工作電壓更低，但數(shù)據(jù)處理量更大、速度更快，導致其瞬間峰值電流很高且波動劇烈。優(yōu)異的飽和電流特性使電感器可以處理瞬間高峰值電流，避免電感器失效。

更小尺寸、更高功率密度：DDR5的PMIC及其周邊的無源元件都直接集成在內存條上，PCB板空間極其有限。且每個內存條上都有多相電源，需要用到多個電感，這推動了電感向小型化、輕薄化、高功率密度發(fā)展。

二、小尺寸一體成型電感KSTB系列

為滿足終端客戶對DDR5電感的需求，科達嘉通過自主研發(fā)和技術創(chuàng)新，推出多個系列小體積、高效率和低損耗電感產品。其中，KSTB系列一體成型電感憑借小尺寸、高功率密度、高可靠性等特點，精準匹配DDR5內存設計需求，助力DDR5的升級發(fā)展。

KSTB一體成型電感目前推出了三個系列，分別是KSTB201610、KSTB252012、KSTB322512。其中，KSTB201610系列電感尺寸僅2.0mm x 1.6mm x 1.0mm。KSTB系列電感采用扁平線繞組+金屬磁粉芯壓鑄，具有低損耗、高效率、應用頻率寬等特點，電感值范圍0.10~4.70μH，飽和電流2.30~12.00 A，電阻值范圍4.0~115 mΩ。