電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 12月1日，由智新半導(dǎo)體有限公司牽頭，聯(lián)合株洲中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體有限公司、重慶大學(xué)、華中科技大學(xué)等 20 余家產(chǎn)學(xué)研單位共同制定的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn) T/CASAS 041—2025《基于感性負(fù)載的 SiC 功率模塊老化篩選試驗(yàn)方法》正式發(fā)布并同步實(shí)施。該標(biāo)準(zhǔn)歷經(jīng)起草小組研討、廣泛征求行業(yè)意見(jiàn)、委員會(huì)草案投票等規(guī)范流程，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）發(fā)布，填補(bǔ)了國(guó)際上 SiC 功率模塊感性負(fù)載老化篩選領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)空白，為產(chǎn)業(yè)規(guī)?；l(fā)展提供了統(tǒng)一技術(shù)遵循。

作為針對(duì) SiC 功率模塊量產(chǎn)篩選的專(zhuān)項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)，T/CASAS 041-2025 圍繞 “模擬實(shí)際工況、高效篩選缺陷” 核心目標(biāo)，構(gòu)建了完整的試驗(yàn)技術(shù)體系。

標(biāo)準(zhǔn)適用于含 SiC MOSFET 的功率半導(dǎo)體模塊（含全橋、半橋模塊及分立器件），重點(diǎn)適配三相逆變拓?fù)潆娐窇?yīng)用場(chǎng)景，同時(shí)為其他拓?fù)潆娐窇?yīng)用提供參考，可滿(mǎn)足高頻、高壓功率系統(tǒng)的器件篩選需求，尤其契合新能源汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)等核心應(yīng)用場(chǎng)景。

標(biāo)準(zhǔn)創(chuàng)新性采用 “三相電抗器替代電機(jī)” 的設(shè)計(jì)思路，通過(guò)模擬電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的逆變工況（含額定、峰值工況）和堵轉(zhuǎn)工況，復(fù)現(xiàn) SiC 器件實(shí)際工作中的電熱應(yīng)力環(huán)境。試驗(yàn)以 “多工況循環(huán)” 模式開(kāi)展，可靈活設(shè)置逆變額定工況、峰值工況、堵轉(zhuǎn)工況的持續(xù)時(shí)間及循環(huán)次數(shù)，既保證了測(cè)試的真實(shí)性，又大幅降低了傳統(tǒng)電機(jī)臺(tái)架測(cè)試的硬件成本和能耗，適配量產(chǎn)篩選需求。

在試驗(yàn)裝置方面，標(biāo)準(zhǔn)明確了直流電源、散熱系統(tǒng)、控制驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的技術(shù)指標(biāo)：直流電源需覆蓋器件額定電壓電流范圍，分辨率與精度需滿(mǎn)足高可靠性測(cè)試要求；散熱系統(tǒng)需實(shí)現(xiàn) 0-85℃寬溫域控制，溫度波動(dòng)度優(yōu)于 3℃；測(cè)量系統(tǒng)需實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè) VGS、VDS、輸出電流等關(guān)鍵參數(shù)，具備抗干擾和數(shù)據(jù)備份能力。

在測(cè)試流程上，標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了 “樣品選擇 — 初始值測(cè)量 — 參數(shù)設(shè)置 — 低壓驗(yàn)證 — 系統(tǒng)預(yù)熱 —SVPWM 發(fā)波測(cè)試 — 終點(diǎn)測(cè)量 — 數(shù)據(jù)處理” 的全流程規(guī)范，要求對(duì)柵源漏電流、閾值電壓、漏源極導(dǎo)通電阻等核心參數(shù)進(jìn)行試驗(yàn)前后對(duì)比分析。

標(biāo)準(zhǔn)明確了雙重失效判據(jù)：一是外觀判據(jù)，器件端子壓痕、外殼臟污變色均視為失效；二是參數(shù)判據(jù)，規(guī)定漏 - 源極導(dǎo)通電壓、體二極管正向壓降、閾值電壓等參數(shù)相對(duì)于初始值的變化率不得超過(guò) 5%，零柵壓漏源漏電流、柵源漏電流變化率不得超過(guò) 500%（初始值小于 10nA 時(shí)測(cè)試后不超過(guò) 50nA），總諧波畸變率不超過(guò) 3%。數(shù)據(jù)處理采用威布爾分布模型，可精準(zhǔn)定位早期失效器件，為可靠性壽命預(yù)測(cè)提供量化依據(jù)。

近年來(lái)，SiC 功率器件憑借高阻斷電壓、低開(kāi)關(guān)損耗等優(yōu)勢(shì)，在新能源汽車(chē)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)高速增長(zhǎng)。預(yù)測(cè)顯示，至 2029 年全球 SiC 器件市場(chǎng)總值將超 100 億美元，其中汽車(chē)和移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)占比達(dá) 82%。然而，傳統(tǒng)測(cè)試方法存在明顯局限：電機(jī)臺(tái)架測(cè)試設(shè)備復(fù)雜、成本高昂，雙脈沖 + 短路 + 靜態(tài)測(cè)試無(wú)法模擬實(shí)際工況，導(dǎo)致部分早期缺陷器件難以被篩選，影響終端產(chǎn)品可靠性。

T/CASAS 041-2025 的發(fā)布，不僅填補(bǔ)了國(guó)際相關(guān)領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)空白，更解決了產(chǎn)業(yè) “測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)不統(tǒng)一、篩選效率低” 的痛點(diǎn)。其核心價(jià)值體現(xiàn)在：一是通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化試驗(yàn)方法，幫助企業(yè)高效篩選出浴盆曲線中的早期失效器件，將產(chǎn)品失效率控制在合理范圍，尤其滿(mǎn)足新能源汽車(chē)主驅(qū)逆變器等高品質(zhì)要求場(chǎng)景；二是統(tǒng)一了行業(yè)測(cè)試技術(shù)要求，降低了供需雙方的技術(shù)對(duì)接成本；三是彰顯了中國(guó)在 SiC 功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)引領(lǐng)地位，為國(guó)內(nèi)企業(yè)參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)提供了標(biāo)準(zhǔn)支撐。

未來(lái)，隨著該標(biāo)準(zhǔn)的推廣應(yīng)用，將進(jìn)一步推動(dòng) SiC 功率模塊產(chǎn)業(yè)的規(guī)范化、高質(zhì)量發(fā)展，為第三代半導(dǎo)體技術(shù)在新能源汽車(chē)、高端電力電子等領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用筑牢基礎(chǔ)。